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(a) 실리콘 웨이퍼의 양측 표면에 각각 제1 실리콘 질화물층 및 제2 실리콘 질화물층을 형성하는 단계와;(b) 상기 제1 실리콘 질화물층의 표면에 직사각형의 마스크 패턴이 형성된 마스크 층을 도포하는 단계와;(c) 상기 마스크 패턴에 의해 노출된 상기 제1 실리콘 질화물층의 영역을 에칭하여 상기 실리콘 웨이퍼의 표면을 노출시키는 단계와;(d) 상기 (c) 단계에서 노출된 상기 실리콘 웨이퍼의 영역을 에칭하여 상기 제2 실리콘 질화물층의 표면을 상기 실리콘 웨이퍼 내부에서 노출시키는 단계와;(e) 상기 실리콘 웨이퍼 내부에서 노출된 상기 제2 실리콘 질화물층의 표면을 밀링하여, 상호 마주하게 한 쌍의 노치 패턴을 형성하는 단계 - 한 쌍의 상기 노치 패턴 각각의 뾰족한 모서리 영역이 상호 마주하며 이격되고, 상호 마주하는 상기 모서리 영역 사이에 브릿지 영역이 형성됨 - 와;(f) 상기 브릿지 영역에서 한 쌍의 상기 노치 패턴을 연결하는 방향으로 발생하는 크랙에 의해 나노 갭이 형성되는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 갭 플랫폼의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 (f) 단계에서 상기 크랙은 상기 제2 실리콘 질화물층 중 상기 브릿지 영역에서의 국부 응력이 상기 제2 실리콘 질화물층의 강도를 초과하여 발생하는 것을 특징으로 하는 나노 갭 플랫폼의 제조방법
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제2항에 있어서,상기 (f) 단계에서의 상기 크랙은 상기 국부 응력에 따른 상기 브릿지 영역의 파손 후 한 쌍의 상기 노치 영역 사이를 가로지는 방향으로의 응력 집중에 따른 상기 제2 실리콘 질화물층의 수축 현상에 의해 발생하는 것을 특징으로 하는 나노 갭 플랫폼의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 (a) 단계에서 상기 제1 실리콘 질화물층과 상기 제2 실리콘 질화물층은 화학기상증착 기법을 통해 상기 실리콘 웨이퍼에 증착되는 것을 특징으로 하는 나노 갭 플랫폼의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 (b) 단계는(b1) 포지티브 포토레지스트가 상기 제1 실리콘 질화물층에 스핀 코팅을 통해 도포되는 단계와;(b2) 현상 기법을 통해 상기 포지티브 포토레지스트에 상기 마스크 패턴을 형성하여 상기 마스크 층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 갭 플랫폼의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 (c) 단계에서는 반응성 이온 에칭을 이용한 건식 에칭을 통해 상기 마스크 패턴에 의해 노출된 상기 제1 실리콘 질화물층의 영역이 에칭되는 것을 특징으로 하는 나노 갭 플랫폼의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 (e) 단계에서는 집속이온빔(Focused Ion Beam : FIB)을 이용하여 상기 제2 실리콘 질화물층의 표면을 밀링하는 것을 특징으로 하는 나노 갭 플랫폼의 제조방법
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제7항에 있어서,상기 (e) 단계는(e1) 상기 실리콘 웨이퍼 내부에서 노출된 상기 제2 실리콘 질화물층의 표면을 밀링하여 직사각형 형상의 제1 영역과 제2 영역을 형성하는 단계 - 상기 제1 영역과 상기 제2 영역은 제1 방향으로 상호 이격되며, 밀링되지 않은 상기 제2 실리콘 질화물층에 의해 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장 형상되는 구획 격벽에 의해 상호 이격됨 - 와,(e2) 상기 구획 격벽의 중간 영역에 상기 제1 방향으로 마주하는 한 쌍의 상기 노치 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 갭 플랫폼의 제조방법
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제8항에 있어서,상기 구획 격벽은 상기 (f) 단계에서 형성된 상기 나노 갭에 의해 상기 제2 방향으로 제1 캔틸레버와 제2 캔틸레버로 구획되는 것을 특징으로 하는 나노 갭 플랫폼의 제조방법
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제9항에 있어서,(g) 상기 제1 캔틸레버 및 상기 제2 캔틸레버의 표면에 도전성을 갖는 금속을 도포하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 갭 플랫폼의 제조방법
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제10항에 있어서,상기 (g) 단계에서는 전자빔 증착(EBID : Electron beam-induced deposition) 기법을 통한 증착을 통해 금속이 도포되는 것을 특징으로 하는 나노 갭 플랫폼의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 (c) 단계와 상기 (d) 단계 사이에 상기 마스크 층을 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 갭 플랫폼의 제조방법
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제12항에 있어서,상기 마스크 층은 습식 에칭을 통해 제거되는 것을 특징으로 하는 나노 갭 플랫폼의 제조방법
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