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반도체 공정 장치의 공정 진행을 모니터링하는 반도체 공정 진단 센서 모듈에 있어서,챔버 또는 배기가스관에 탈부착이 가능하고, 내부에 공간이 구비된 케이스를구비하는 센서 세척 모듈;상기 케이스 내부에 구비되고, 상기 반도체 공정 및 반도체 공정 챔버의 변화를 모니터링하는 반도체 공정 진단 센서; 및상기 센서 세척 모듈의 작동을 제어하는 제어부;를 포함하는,반도체 공정 진단 센서 모듈
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제1항에 있어서,상기 반도체 공정 장치는 플라즈마 식각 또는 증착 장치인 것을 특징으로 하는,반도체 공정 진단 센서 모듈
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제2항에 있어서,상기 반도체 공정 장치는,대상물을 플라즈마 식각 또는 증착하기 위한 반응 챔버;상기 반응 챔버 내부에 플라즈마를 발생시키는 제1 방전전극;상기 반응 챔버 내부로 반응 가스를 공급하기 위한 가스 주입장치;상기 제1 방전전극에 전압을 인가하는 제1 전원장치; 및상기 반응 챔버 내부를 진공 상태로 만드는 제1 펌프;를 포함하는 것을 특징으로 하는,반도체 공정 진단 센서 모듈
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제3항에 있어서,상기 센서에 부착된 반응 부산물의 두께가 기 설정된 두께보다 큰 경우,상기 가스 주입장치로부터 반응 챔버로 공급되는 가스 중 일부를 상기 센서 세척 모듈의 케이스로 공급하는 것을 특징으로 하는,반도체 공정 진단 센서 모듈
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제4항에 있어서,상기 센서에 부착된 반응 부산물의 두께가 기 설정된 두께보다 큰 경우,상기 반도체 공정 장치의 제1 전원장치는 상기 제1 방전전극에 전압을 인가하여 상기 반응 챔버 및 케이스 내부에 플라즈마를 발생시키는 것을 특징으로 하는,반도체 공정 진단 센서 모듈
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제4항에 있어서,상기 센서 세척 모듈은,상기 케이스에 결합되어 상기 케이스 내부에 플라즈마를 발생시키는 제2 방전전극;을 더 포함하고,상기 센서에 부착된 반응 부산물의 두께가 기 설정된 두께보다 큰 경우,상기 반도체 공정 장치의 제1 전원장치는 상기 제2 방전전극에 전압을 인가하여 상기 케이스 내부에 플라즈마를 발생시키는 것을 특징으로 하는,반도체 공정 진단 센서 모듈
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제6항에 있어서,상기 센서 세척 모듈은,상기 제2 방전전극에 전압을 인가하는 제2 전원장치;를 더 포함하고,상기 센서에 부착된 반응 부산물의 두께가 기 설정된 두께보다 큰 경우,상기 제2 전원장치는 상기 제2 방전전극에 전압을 인가하여 상기 케이스 내부에 플라즈마를 발생시키는 것을 특징으로 하는,반도체 공정 진단 센서 모듈
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제4항에 있어서,상기 반도체 공정 장치의 제1 펌프는 상기 센서 세척 모듈의 케이스와 밸브를 통해 연결되고,상기 센서에 부착된 반응 부산물의 두께가 기 설정된 두께보다 큰 경우,상기 제어부는 상기 반도체 공정 장치의 제1 펌프의 밸브를 on 시켜 상기 센서 세척 모듈의 케이스 내부를 진공 상태로 만드는 것을 특징으로 하는,반도체 공정 진단 센서 모듈
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제4항에 있어서,상기 센서 세척 모듈은,상기 케이스 내부를 진공 상태로 만드는 제2 펌프;를 더 포함하고,상기 센서에 부착된 반응 부산물의 두께가 기 설정된 두께보다 큰 경우,상기 제2 펌프는 상기 케이스 내부를 진공 상태로 만드는 것을 특징으로 하는,반도체 공정 진단 센서 모듈
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제4항에 있어서,상기 센서 세척 모듈의 작동 후, 상기 센서에 부착된 반응 부산물의 두께가 기 설정된 제2 두께 이하가 되는 경우,상기 제어부는 상기 센서 세척 모듈의 케이스 내부로 반응 가스의 공급을 중단시키는 것을 특징으로 하는,반도체 공정 진단 센서 모듈
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제1항에 있어서,상기 반도체 공정 진단 센서는 수정 진동자 센서, 이온 프로브 센서, 트랜지스터 센서 및 광학 센서 중에서 선택되는 것인,반도체 공정 진단 센서 모듈
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반도체 공정 장치의 공정 진행을 모니터링하는 반도체 공정 진단 센서 모듈을 이용한 반도체 공정 진단 센서 세척 방법으로,반도체 공정 진단 센서가 내부 공간에 구비된 케이스 내부로 플라즈마를 발생시키기 위한 반응 가스를 공급하는 단계;상기 케이스 내부를 진공 상태로 만드는 단계; 및상기 케이스에 결합된 방전전극에 전압을 인가하여 상기 케이스 내부에 플라즈마를 발생시키고 상기 센서에 부착된 반응 부산물을 세척하는 단계;를 포함하는,반도체 공정 진단 센서 모듈을 이용한 반도체 공정 진단 센서 세척 방법
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제12항에 있어서,상기 반응 가스는, 상기 반도체 공정 장치의 가스 주입장치로부터 반응 챔버로 공급되는 가스 중 일부인 것을 특징으로 하는,반도체 공정 진단 센서 모듈을 이용한 반도체 공정 진단 센서 세척 방법
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제12항에 있어서,상기 케이스 내부를 진공 상태로 만드는 단계는,상기 반도체 공정 장치의 제1 펌프와 상기 케이스를 연결하는 밸브를 on 시켜 상기 케이스 내부를 진공 상태로 만드는 것을 특징으로 하는,반도체 공정 진단 센서 모듈을 이용한 반도체 공정 진단 센서 세척 방법
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제12항에 있어서,상기 케이스 내부를 진공 상태로 만드는 단계는,상기 반도체 공정 진단 센서 모듈에 구비된 제2 펌프를 작동시켜 상기 케이스 내부를 진공 상태로 만드는 것을 특징으로 하는,반도체 공정 진단 센서 모듈을 이용한 반도체 공정 진단 센서 세척 방법
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제12항에 있어서,상기 전압은 상기 반도체 공정 장치의 제1 전원장치로부터 공급되는 것을 특징으로 하는,반도체 공정 진단 센서 모듈을 이용한 반도체 공정 진단 센서 세척 방법
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제12항에 있어서,상기 전압은 상기 반도체 공정 진단 센서 모듈에 구비된 제2 전원장치로부터 공급되는 것을 특징으로 하는,반도체 공정 진단 센서 모듈을 이용한 반도체 공정 진단 센서 세척 방법
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