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피식각층 상에 포토레지스트(photoresist) 패턴을 형성하는 단계;상기 포토레지스트 패턴을 탄소(C) 및 황(S)을 포함하는 개질 가스를 포함하는 제1 방전가스로부터 생성된 제1 플라즈마에 노출시키고 열처리하여 상기 포토레지스트 패턴 표면을 경화시키는 단계; 및상기 표면 경화된 포토레지스트 패턴을 마스크로 이용하여 상기 피식각층을 제2 방전가스로부터 생성된 제2 플라즈마로 식각하는 단계;를 포함하고,상기 포토레지스트 패턴은 상기 제1 플라즈마에의 노출에 의해 적어도 표면이 황으로 개질되고, 상기 열처리에 의해 상기 황이 상기 포토레지스트 패턴 내부로 확산하는,플라즈마 식각 방법
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제1항에 있어서,상기 제1 방전가스는 불활성가스를 더 포함하는,플라즈마 식각 방법
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제2항에 있어서,상기 제1 방전가스의 압력이 2 mtorr 내지 1 torr인 상태에서 방전하여 플라즈마를 발생하는,플라즈마 식각 방법
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제3항에 있어서,상기 개질 가스는 CS2를 포함하고,상기 CS2를 10 sccm 내지 1 slm으로 공급하여 플라즈마 생성에 사용하는,플라즈마 식각 방법
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제4항에 있어서,상기 제1 플라즈마 및 상기 제2 플라즈마를 유도 결합 플라즈마(Inductively Coupled Plasma), 용량 결합 플라즈마(Capacitively Coupled Plasma) 또는 마이크로웨이브 플라즈마(microwave plasma) 방식으로 생성하는,플라즈마 식각 방법
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제5항에 있어서,상기 제1 플라즈마를 20 내지 1000 W의 파워로 유도 결합 플라즈마 방식으로 생성하는,플라즈마 식각 방법
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제6항에 있어서,상기 포토레지스트 패턴을 상기 제1 플라즈마에 1초 내지 5분 노출하는,플라즈마 식각 방법
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제7항에 있어서,상기 포토레지스트 패턴 표면을 경화시키는 단계는, 상기 피식각층 및 상기 포토레지스트 패턴을 거치 전극 상에 거치한 상태로 진행하고,상기 포토레지스트 패턴 표면을 경화시키는 단계에서, 상기 포토레지스트 패턴을 상기 제1 플라즈마에 노출시키는 동안 상기 거치 전극을 부유(floating)하거나, 음의 직류 전압을 인가하거나, RF 전압을 인가하는,플라즈마 식각 방법
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제1항에 있어서,상기 포토레지스트 패턴을 40 내지 200 ℃에서 열처리하는,플라즈마 식각 방법
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제9항에 있어서,상기 포토레지스트 패턴을 40 내지 150 ℃에서 1 내지 20 분간 열처리하는,플라즈마 식각 방법
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제1항에 있어서,상기 제2 방전가스는 염소 화합물, 불소 화합물, Cl2, BCl3, HBr, NH3, CF4, CHF3, C2F6, CH2F2, SF6, CxFyHz(여기서, x는 1 내지 6의 자연수, y는 4 내지 8의 자연수, z는 1 내지 4의 자연수), NF3, N2, H2, O2, CO2, CO 및 COS를 포함하는 군에서 선택된 하나 이상의 물질을 포함하는 식각 가스; 및 He, Ar, Kr, Xe 및 Ne을 포함하는 군에서 선택된 하나 이상의 물질을 포함하는 불활성기체;를 포함하는,플라즈마 식각 방법
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제11항에 있어서,상기 식각은 제2 플라즈마 하에서 2 내지 600초 간 진행하는,플라즈마 식각 방법
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제1항에 있어서,상기 포토레지스트 패턴 표면을 경화시키는 단계 후 상기 식각하는 단계를 진행하는 경우, 상기 포토레지스트 패턴 표면을 경화시키는 단계 없이 상기 식각하는 단계를 진행하는 경우에 대하여, 상기 포토레지스트 패턴의 내식각성이 증가하는,플라즈마 식각 방법
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제1항에 있어서,상기 제1 플라즈마에의 노출, 상기 열처리 및 상기 제2 플라즈마를 통한 식각은 단일 챔버 내에서 연속적으로 진행되거나, 복수의 챔버에서 각각 진행되는,플라즈마 식각 방법
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