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레지스트 화합물 및 이를 사용한 패턴 형성 방법

  • 기술번호 : KST2023009863
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 레지스트 화합물, 레지스트 조성물, 및 패턴 형성 방법에 관한 것이다. 본 발명의 실시예들에 따르면, 레지스트 화합물은 화학식 1로 표시되는 물질을 포함할 수 있다. [화학식 1]
Int. CL G03F 7/004 (2006.01.01) G03F 7/038 (2006.01.01) H01L 21/027 (2006.01.01)
CPC G03F 7/004(2013.01) G03F 7/0042(2013.01) G03F 7/038(2013.01) H01L 21/0274(2013.01)
출원번호/일자 1020220051653 (2022.04.26)
출원인 삼성전자주식회사, 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2023-0151831 (2023.11.02) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 삼성전자주식회사 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김호영 경기도 수원시 영통구
2 이영관 경기도 수원시 장안구
3 김수찬 경기도 수원시 장안구
4 지형준 경기도 수원시 장안구
5 김현우 경기도 수원시 영통구
6 이송세 경기도 수원시 영통구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 고려 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2022.04.26 수리 (Accepted) 1-1-2022-0449573-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
화학식 1로 표시되는 물질을 포함하는 레지스트 화합물
2 2
제 1항에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 물질은 화학식 2로 표시되는 물질을 포함하는 레지스트 화합물
3 3
제 1항에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 물질은 화학식 3으로 표시되는 물질을 포함하는 레지스트 화합물
4 4
제 3항에 있어서, 상기 화학식 3에서 R2는 수소인 레지스트 화합물
5 5
제 1항에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 물질은 극자외선(EUV)에 대해 반응성을 갖는 레지스트 화합물
6 6
제 1항에 있어서, 상기 화학식 1에서, R1은 에틸기, 프로필기, 부틸기, 또는 펜틸기인 레지스트 화합물
7 7
제 1항에 있어서, 상기 화학식 1에서, R1은 에틸기이고, A는 O인 레지스트 화합물
8 8
화학식 1로 표시되는 화합물; 및 유기 용매를 포함하는 레지스트 조성물
9 9
제 8항에 있어서, 상기 유기 용매는 알코올 용매, 니트릴 용매, 아세테이트 용매, 할로겐화 알킬 용매, 방향족 에테르 용매, 및/또는 아마이드 용매를 포함하는 레지스트 조성물
10 10
기판 상에 제 1항에 따른 상기 레지스트 화합물을 포함하는 레지스트 조성물을 도포하여, 레지스트막을 형성하는 것; 상기 레지스트막 상에 빛을 조사하는 노광 공정을 수행하는 것; 및 상기 레지스트막 상에 현상 공정을 수행하여, 레지스트 패턴을 형성하는 것을 포함하는 패턴 형성 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.