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직접 광 리소그래피를 통한 2D 반데르발스 물질 상의 범용 패터닝 방법

  • 기술번호 : KST2023010023
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 2D 반데르발스 물질 상의 범용 패터닝 방법에 관한 것으로서, 2D 반데르발스 물질을 기재 상에 성장 시키는 준비 단계; 상기 기재 상에 성장한 2D 반데르발스 물질 상에 특정 패턴을 가진 포토마스크를 적층하는 마스킹 단계; 단-펄스 고출력 광을 조사하여, 광원이 상기 포토마스크를 통과하고 상기 포토마스크의 특정 패턴에 따라 2D 반데르발스 물질을 직접 에칭하는 일루미네이션 단계; 및 포토마스크를 제거하는 패터닝 단계;를 포함하고, 상기 단-펄스 고출력 광은 20 내지 25 kV 출력 전위에서 제논 가스 및 염소 가스의 혼합물로부터 방출되는 것으로 파장이 295 내지 310 nm 인 것을 특징으로 한다.
Int. CL G03F 7/20 (2006.01.01) C23C 16/30 (2006.01.01) C23C 16/52 (2018.01.01)
CPC G03F 7/202(2013.01) G03F 7/70025(2013.01) C23C 16/305(2013.01) C23C 16/52(2013.01)
출원번호/일자 1020220053672 (2022.04.29)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2023-0153795 (2023.11.07) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2022.04.29)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 강기범 대전광역시 유성구
2 조성래 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 오위환 대한민국 서울특별시 영등포구 선유로 *** ,*층 ***~***호 (양평동*가)
2 정기택 대한민국 서울특별시 영등포구 선유로 *** ,*층 ***~***호 (양평동*가)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2022.04.29 수리 (Accepted) 1-1-2022-0464102-61
2 특허고객번호 정보변경(경정)신고서·정정신고서
 2023.01.31 수리 (Accepted) 4-1-2023-5023571-05
3 특허고객번호 정보변경(경정)신고서·정정신고서
 2023.05.04 수리 (Accepted) 4-1-2023-5110236-33
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번호 청구항
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2D 반데르발스 물질을 기재 상에 성장 시키는 준비 단계;상기 기재 상에 성장한 2D 반데르발스 물질 상에 특정 패턴을 가진 포토마스크를 적층하는 마스킹 단계;단-펄스 고출력 광을 조사하여, 광원이 상기 포토마스크를 통과하고 상기 포토마스크의 패턴에 따라 2D 반데르발스 물질을 직접 에칭하는 일루미네이션 단계; 및포토마스크를 제거하는 패터닝 단계;를 포함하고,상기 단-펄스 고출력 광은 20 내지 25 kV 출력 전위에서 제논 가스 및 염소 가스의 혼합물로부터 방출되는 것으로 파장이 295 내지 310 nm 인 것을 특징으로 하는, 직접 광 리소그래피를 통한 2D 반데르발스 물질 상의 범용 패터닝 방법
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제 1 항에 있어서,상기 2D 반데르발스 물질은 단일층 MoS2, 이중층 MoS2, 그래핀, 단일층 WSe2 및 2D 금속-유기 골격체 (metal-organic framework; MOF) 중에서 선택되는 어느 하나 인 것을 특징으로 하는, 직접 광 리소그래피를 통한 2D 반데르발스 물질 상의 범용 패터닝 방법
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제 2 항에 있어서, 상기 단일층 MoS2, 이중층 MoS2은 Mo(CO)6 및 (C2H5)2S를 전구체 가스로 하며, 희석 가스의 도움 하에 Mo(CO)6은 유속 0
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제 3 항에 있어서, 상기 WSe2는 W(CO)6 및 (CH3)2Se를 전구체 가스로 하며, 희석 가스의 도움 하에 W(CO)6은 유속 4 sccm이고, (CH3)2Se은 유속 0
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제 1 항에 있어서, 상기 단-펄스 고출력 광은 XeCl 엑시머 레이저인 것을 특징으로 하는, 직접 광 리소그래피를 통한 2D 반데르발스 물질 상의 범용 패터닝 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 기재는 플렉서블 폴리머, 생체 적합 키토산, 쿼츠 및 SiO2/Si 중에서 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는, 직접 광 리소그래피를 통한 2D 반데르발스 물질 상의 범용 패터닝 방법
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제 1 항의 방법에 따라 패터닝된 2D 반데르발스 물질 구조체
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패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 한국과학기술원 차세대지능형반도체기술개발(R＆D) high-κ 절연체 터널장벽을 활용한 초저전력 2D-3D 전이금속 디켈코게나이드 초저전력 TFET와 로직 회로의 개발
2 과학기술정보통신부 한국과학기술원 미래소재디스커버리지원(R＆D) 레이저-소재 상호작용 기반 디스플레이 핵심소재 개발
3 과학기술정보통신부 한국과학기술원 나노·소재기술개발(R＆D) 이차원 수평초격자기반 sub-1nm scale 선택성장기술 개발