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4개 이상의 불소 원자를 포함하는 리간드가 결합된 유기금속 화합물로서, 하기 화학식1의 구조를 가지고,(화학식 1)[(R1M)iOjXk(OH)m] (OH)nR2p상기 화학식1에서, 상기 R1과 상기 R2 중에 하나는 CaFbHc, CaFbHcNd, CaFbHcPd, CaFbHcSd, CaFbHcOd, CaFbHcNdSe, CaFbHcPdSe, CaFbHcNdOe, 또는 CaFbHcPdOe이고, 상기 R1과 상기 R2 중에 다른 하나는 CaHc, CaFbHc, CaFbHcNd, CaFbHcPd, CaFbHcSd, CaFbHcOd, CaFbHcNdSe, CaFbHcPdSe, CaFbHcNdOe, 또는 CaFbHcPdOe이고,상기 a는 1 내지 20 의 정수이고, 상기 d와 상기 e는 각각 독립적으로 0 내지 5의 정수이고, 상기 c는 0 내지 20의 정수이고, 상기 b는 4 내지 30의 정수이고, 상기 M은 Sn, Sb, Te, Ir, Ti, Bi, Po, At, In, Ag, Au, Pt, Si, Al, Ga 중에 선택되는 하나의 금속이고, 상기 i는 1 내지 12의 정수이고, 상기 j는 1 내지 14의 정수이고, 상기 X는 I, Cl, F, Br 중에 하나인 할로겐 원소이고, 상기 k는 0 내지 6의 정수이고, 상기 m은 0 내지 6의 정수이고, 상기 n은 0 내지 2의 정수이고, 상기 p는 0 내지 2의 정수인 유기금속 화합물
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제1 항에 있어서,상기 유기금속 화합물은 케이지(cage) 형태를 가지는 유기금속 화합물
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제1 항에 있어서,상기 M은 Sn이고,상기 유기 금속 화합물은 하기 화학식2 내지 하기 화학식 5 중에 하나의 구조를 가지는 유기금속 화합물
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제3 항에 있어서,상기 R1은 , ,, , , , , , 중에 하나의 구조를 가지고,상기 R2는 의 구조를 가지는 유기금속 화합물
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유기금속 화합물; 및유기 용매를 포함하는 레지스트 조성물로서, 상기 유기 금속 화합물은 하기 화학식1의 구조를 가지고,(화학식 1003e#[(R1M)iOjXk(OH)m] (OH)nR2p상기 화학식1에서, 상기 R1과 상기 R2 중에 하나는 CaFbHc, CaFbHcNd, CaFbHcPd, CaFbHcSd, CaFbHcOd, CaFbHcNdSe, CaFbHcPdSe, CaFbHcNdOe, 또는 CaFbHcPdOe이고, 상기 R1과 상기 R2 중에 다른 하나는 CaHc, CaFbHc, CaFbHcNd, CaFbHcPd, CaFbHcSd, CaFbHcOd, CaFbHcNdSe, CaFbHcPdSe, CaFbHcNdOe, 또는 CaFbHcPdOe이고,상기 a는 1 내지 20 의 정수이고, 상기 d와 상기 e는 각각 독립적으로 0 내지 5의 정수이고, 상기 c는 0 내지 20의 정수이고, 상기 b는 4 내지 30의 정수이고, 상기 M은 Sn, Sb, Te, Ir, Ti, Bi, Po, At, In, Ag, Au, Pt, Si, Al, Ga 중에 선택되는 하나의 금속이고, 상기 i는 1 내지 12의 정수이고, 상기 j는 1 내지 14의 정수이고, 상기 X는 I, Cl, F, Br 중에 하나인 할로겐 원소이고, 상기 k는 0 내지 6의 정수이고, 상기 m은 0 내지 6의 정수이고, 상기 n은 0 내지 2의 정수이고, 상기 p는 0 내지 2의 정수인 레지스트 조성물
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제5 항에 있어서,상기 유기금속 화합물은 케이지(cage) 형태를 가지는 레지스트 조성물
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제5 항에 있어서,상기 M은 Sn이고,상기 유기 금속 화합물은 하기 화학식2 내지 하기 화학식 5 중에 하나의 구조를 가지는 레지스트 조성물
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제7 항에 있어서,상기 R1은 , ,, , , , , , 중에 하나의 구조를 가지고,상기 R2는 의 구조를 가지는 레지스트 조성물
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제5 항에 있어서,상기 유기금속 화합물은 상기 레지스트 조성물의 전체 중량의 1~30wt
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유기금속 화합물과 유기 용매를 포함하는 레지스트 조성물을 준비하는 단계;기판 상에 상기 레지스트 조성물을 코팅하여 레지스트막을 형성하는 단계;소프트 베이크 공정을 진행하여 상기 유기 용매를 증발시키는 단계;노광 공정과 포스트 베이크 공정을 진행하여 상기 레지스트막의 일부를 마스크 패턴으로 바꾸는 단계; 및현상 공정을 진행하여 상기 마스크 패턴을 남기고 상기 레지스트막을 제거하는 단계를 포함하되,상기 유기 금속 화합물은 하기 화학식1의 구조를 가지고,(화학식 1)[(R1M)iOjXk(OH)m] (OH)nR2p상기 화학식1에서, 상기 R1과 상기 R2 중에 하나는 CaFbHc, CaFbHcNd, CaFbHcPd, CaFbHcSd, CaFbHcOd, CaFbHcNdSe, CaFbHcPdSe, CaFbHcNdOe, 또는 CaFbHcPdOe이고, 상기 R1과 상기 R2 중에 다른 하나는 CaHc, CaFbHc, CaFbHcNd, CaFbHcPd, CaFbHcSd, CaFbHcOd, CaFbHcNdSe, CaFbHcPdSe, CaFbHcNdOe, 또는 CaFbHcPdOe이고, 상기 a는 1 내지 20 의 정수이고, 상기 d와 상기 e는 각각 독립적으로 0 내지 5의 정수이고, 상기 c는 0 내지 20의 정수이고, 상기 b는 4 내지 30의 정수이고, 상기 M은 Sn, Sb, Te, Ir, Ti, Bi, Po, At, In, Ag, Au, Pt, Si, Al, Ga 중에 선택되는 하나의 금속이고, 상기 i는 1 내지 12의 정수이고, 상기 j는 1 내지 14의 정수이고, 상기 X는 I, Cl, F, Br 중에 하나인 할로겐 원소이고, 상기 k는 0 내지 6의 정수이고, 상기 m은 0 내지 6의 정수이고, 상기 n은 0 내지 2의 정수이고, 상기 p는 0 내지 2의 정수인 반도체 장치의 제조 방법
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