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하기 화학식 1로 표시되는 고불소화 고분자를 포함하며, 상기 고분자는 고불소계 용제로 네거티브 패턴 공정이 진행되고,상기 고불소화 고분자는 폴리(3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,9,9,10,10,10-헵타데카플루오로데실 메타크릴레이트)(PFDMA), 폴리(4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,9,9,10,10,11,11,11-헵타데카플루오로운데실 메타크릴레이트)(PFUDMA) 및 폴리(5,5,6,6,7,7,8,8,9,9,10,10,11,11,12,12,12-헵타데카플루오로도데실 메타크릴레이트)(PFDDMA)로 이루어진 군에서 선택된 것을 특징으로 하는 고불소화 전자선 레지스트 재료:[화학식 1]상기 화학식 1에서, x는 0 내지 10의 정수이고, n은 10 내지 1000의 정수임
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제 1항에 있어서, 상기 고불소화 고분자는 4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,9,9,10,10,11,11,11-헵타데카플루오로운데실 메타크릴레이트(FUDMA), 5,5,6,6,7,7,8,8,9,9,10,10,11,11,12,12,12-헵타데카플루오로도데실 메타크릴레이트(FDDMA) 및 3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,9,9,10,10,10-헵타데카플루오로데실 메타크릴레이트(FDMA)로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 단량체를 포함하는 것을 특징으로 하는 고불소화 전자선 레지스트 재료
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제 1항에 있어서, 상기 고불소화 고분자는 고불소계 용제에 용해되는 것을 특징으로 하는 고불소화 전자선 레지스트 재료
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제 1항에 있어서, 상기 고불소계 용제는 3-에톡시-1,1,1,2,3,4,4,5,5,6,6,6-도데카플루오로-2-트리플루오로메틸-헥세인(3-ethoxy-1,1,1,2,3,4,4,5,5,6,6,6-dodecafluoro-2-trifluoromethyl-hexane; HFE-7500), 퍼플루오로트리프로필아민(perfluorotripropylamine; FC-3283) 및 퍼플루오로-N-알킬 모르폴린(perfluoro-N-alkyl morpholines; FC-770)으로 이루어진 군에서 선택된 것을 특징으로 하는 고불소화 전자선 레지스트 재료
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제 1항에 있어서, 상기 고불소화 고분자는 수평균 분자량(Mn)이 8,000 내지 13,000인 것을 특징으로 하는 고불소화 전자선 레지스트 재료
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제 1항, 제 3항 내지 제 6항 중 어느 한 항에 따른 고불소화 전자선 레지스트 재료를 고불소계 용제에 용해시킨 후 기판에 도포하는 제 1공정;상기 기판을 가열 처리하여 레지스트 막을 형성하는 제 2공정;상기 레지스트 막에 전자선을 조사하는 제 3공정: 및상기 레지스트 막을 현상액으로 현상하고, 기판 상에 패턴을 형성하는 제 4공정;을 포함하는 패턴 형성 방법
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제 8항에 있어서, 상기 제 2공정의 가열 처리는 60 내지 80℃에서 30초 내지 2분 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법
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