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복수의 연산 워드 라인을 통해 인가되는 입력 신호와 기 저장된 가중치의 곱 연산을 수행하고, 곱 연산에 따른 제1 출력 신호를 복수의 연산 비트 라인에 내보내는 복수의 메모리 셀을 포함하는 메모리 셀 어레이;기준 신호를 생성하고, 상기 기준 신호를 복수의 더미 비트 라인에 내보내는 복수의 더미 셀을 포함하는 더미 셀 어레이;상기 제1 출력 신호가 상기 복수의 연산 비트 라인을 통해 합 연산된 제2 출력 신호 및 상기 기준 신호를 수신하고, 상기 제2 출력 신호 및 상기 기준 신호를 시간 도메인으로 변환하는 복수의 VTC 회로; 및상기 제2 출력 신호와 상기 기준 신호를 비교하고, 비교 결과에 기초하여 상기 제2 출력 신호를 디지털 도메인으로 변환하는 복수의 TDC 회로를 포함하는 전자 장치
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제1항에 있어서,상기 복수의 연산 비트 라인은 프리차징 회로를 통해 기 설정된 충전 전압으로 충전되고, 상기 입력 신호와 상기 기 저장된 가중치가 같을 경우 상기 기 설정된 충전 전압에서 감소된 전압을 갖고, 상기 입력 신호와 상기 기 저장된 가중치가 다를 경우 상기 기 설정된 충전 전압이 유지되는 전자 장치
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제1항에 있어서,상기 입력 신호의 펄스 폭은 상기 제2 출력 신호의 선형성이 유지되도록 기 설정된 폭 이하로 설정되는 전자 장치
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제1항에 있어서,상기 복수의 VTC 회로 각각은:풀 다운 전류를 생성하고, 상기 풀 다운 전류에 기초하여 상기 제2 출력 신호 및 상기 기준 신호를 방전시키는 풀 다운 회로; 및상기 제2 출력 신호 및 상기 기준 신호의 전압이 문턱 전압 초과이면 논리 '0'에 대응되는 신호를 출력하고, 문턱 전압 이하이면 논리 '1'에 대응되는 신호를 출력하는 변환 회로를 포함하는 전자 장치
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제4항에 있어서,상기 복수의 VTC 회로 각각은 상기 제2 출력 신호를 동일한 크기의 전압으로 방전시키는 전자 장치
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제1항에 있어서,상기 복수의 더미 셀 각각은 논리 '0' 또는 논리 '1'에 대응되는 더미 가중치를 저장하는 전자 장치
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제6항에 있어서,상기 복수의 더미 셀은 상기 복수의 더미 비트 라인 각각에 연결되는 복수의 더미 열로 정의되고,상기 기준 신호는 상기 복수의 더미 열 마다 생성되되, 상기 복수의 더미 열 각각에 저장된 상기 더미 가중치 중 논리 '1'이 많을수록 시간 도메인 상에서 더 빠른 위상을 갖도록 생성되는 전자 장치
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제1항에 있어서,상기 복수의 TDC 회로 각각은 상기 제2 출력 신호의 위상이 상기 기준 신호 보다 느릴 경우 상기 제2 출력 신호를 논리 '0'으로 변환하고, 상기 기준 신호 보다 빠를 경우 상기 제2 출력 신호를 논리 '1'로 변환하는 전자 장치
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제1 인에이블 신호, 제2 인에이블 신호 및 더미 워드 라인 신호를 생성하는 제어 회로;상기 제1 인에이블 신호에 기초하여 입력 신호를 생성하고, 복수의 연산 워드 라인에 전달하는 드라이버 회로;상기 입력 신호와 기 저장된 가중치의 곱 연산을 수행하고, 곱 연산에 따른 제1 출력 신호를 복수의 연산 비트 라인에 내보내는 메모리 셀 어레이;상기 더미 워드 라인 신호에 기초하여 기준 신호를 생성하고, 상기 기준 신호를 복수의 더미 비트 라인에 내보내는 더미 셀 어레이;상기 제1 출력 신호가 상기 복수의 연산 비트 라인을 통해 합 연산된 제2 출력 신호 및 상기 기준 신호를 수신하고, 상기 제2 인에이블 신호에 기초하여 상기 제2 출력 신호 및 상기 기준 신호를 시간 도메인으로 변환하는 VTC 어레이; 및상기 제2 출력 신호와 상기 기준 신호를 비교하고, 비교 결과에 기초하여 상기 제2 출력 신호를 디지털 도메인으로 변환하는 TDC 어레이를 포함하는 전자 장치
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제9항에 있어서,상기 더미 셀 어레이는 복수의 더미 셀을 포함하고,상기 복수의 더미 셀 각각은 논리 '0' 또는 논리 '1'에 대응되는 더미 가중치를 저장하고,상기 복수의 더미 셀은 상기 복수의 더미 비트 라인 각각에 연결되는 복수의 더미 열로 정의되고,상기 기준 신호는 상기 복수의 더미 열 마다 생성되되, 상기 복수의 더미 열 각각에 저장된 상기 더미 가중치 중 논리 '1'이 많을수록 시간 도메인 상에서 더 빠른 위상을 갖도록 생성되는 전자 장치
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