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레진과 분산제를 준비하고, 희석제로 희석시키는 제 1 단계와;상기 제 1 단계 후 CuInS2와 CuS로 분말 전구체를 구성하고, 상기 분말 전구체를 분쇄하는 제 2 단계와;상기 제 2 단계 후 상기 전구체 페이스트를 기판에 분포하여 CuS-doped CuInS2 흡수층을 형성시키는 제 3 단계와;상기 제 3 단계 후 상기 CuS-doped CuInS2 흡수층을 가열판(hotplate)에서 가열하여 공기 중의 산소와 결합되도록 하여 산화처리하는 제 4 단계와;상기 제 4 단계 후 상기 CuS-doped CuInS2 흡수층을 황 분말이 들어있는 흑연상자에 넣은 후, 흑연상자를 가열하여, 연소된 황 분말이 황 가스(gas)로 되어 CuS-doped CuInS2 흡수층과 결합되도록 하여 황화처리하는 제 5 단계;를 포함하여 수행하는 것을 특징으로 하는 박막 태양전지 흡수층의 제조 방법
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청구항 1에 있어서,상기 제 1 단계는,레진으로 에틸셀룰로스를 사용하고, 분산제로 인산 에스테르를 사용하며, 희석제로 디하이드로 테르피네올을 사용하는 것을 특징으로 하는 박막 태양전지 흡수층의 제조 방법
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청구항 2에 있어서,상기 제 1 단계는,레진인 에틸셀룰로스를 디하이드로 테르피네올에 의해 2 ~ 10%로 희석시키고, 분산제인 인산 에스테르를 디하이드로 테르피네올에 의해 30 ~ 70%로 희석시키는 것을 특징으로 하는 박막 태양전지 흡수층의 제조 방법
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청구항 1에 있어서,상기 제 2 단계는,상기 분말 전구체를 트리플 롤 밀러로 분쇄하는 것을 특징으로 하는 박막 태양전지 흡수층의 제조 방법
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청구항 1에 있어서,상기 제 2 단계는,Cu(CuInS2) : Cu(CuS) 의 몰비를 5:2로 설정한 것을 특징으로 하는 박막 태양전지 흡수층의 제조 방법
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청구항 1에 있어서,상기 제 3 단계는,상기 기판으로 DC 스퍼터링에 의해 0
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청구항 1에 있어서,상기 제 3 단계는,상기 CuS-doped CuInS2 흡수층을 페이스트를 이용하여 형성할 때, 에멀젼 두께, 스퀴지 각도, 메시 크기, 인쇄 속도, 스냅 오프 거리를 포함한 인쇄 매개변수는 상수로 유지한 것을 특징으로 하는 박막 태양전지 흡수층의 제조 방법
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청구항 1 내지 청구항 7 중 어느 하나의 항에 있어서,상기 제 4 단계는,가열된 가열판(hotplate)이 20 ~ 50분 동안 200 ~ 350℃로 유지되도록 하여, CuS-doped CuInS2 흡수층의 산화처리를 수행하는 것을 특징으로 하는 박막 태양전지 흡수층의 제조 방법
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청구항 8에 있어서,상기 제 5 단계는,가열된 흑연상자가 50 ~ 70분 동안 500 ~ 600℃로 유지되도록 하여, CuS-doped CuInS2 흡수층의 황화처리를 수행하는 것을 특징으로 하는 박막 태양전지 흡수층의 제조 방법
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청구항 9에 있어서,상기 제 5 단계는,상기 황화처리가 불활성 상태의 폐쇄된 흑연 상자 내에서 실행되도록 하는 것을 특징으로 하는 박막 태양전지 흡수층의 제조 방법
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청구항 10에 있어서,상기 제 5 단계에서 불활성 상태는,질소 가스를 이용한 것을 특징으로 하는 박막 태양전지 흡수층의 제조 방법
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