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플라즈마 식각 장치 및 이를 이용한 태양전지의 텍스쳐링 방법

  • 기술번호 : KST2015161699
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 플라즈마 식각 장치에 관한 것이다. 본 발명에 따른 플라즈마 식각 장치는 태양전지의 표면에 텍스쳐링 공정을 수행하는 플라즈마 식각 장치에 있어서, 공정 가스가 채워지고, 식각 공정을 수행하는 공정 챔버; 상기 공정 챔버 내부의 일측에 배치되는 제1 전극; 상기 제1 전극이 배치된 일측과 대향되는 상기 공정 챔버 내부의 타측에 배치되는 제2 전극; 기판을 안착시키기 위해 상기 제2 전극 정면에 설치되는 척; 상기 제1 전극과 제2 전극 사이에 배치되되, 상기 제2 전극으로부터 사전에 설정된 거리만큼 떨어져 배치되고, 다수 개의 미세한 홀이 형성되어 있어 제1 전극 및 제2 전극을 통해 형성된 플라즈마가 상기 미세한 홀을 통과하면서 회절 및 산란되어 상기 척으로 입사되도록 하는 메시 구조물;을 구비한다. 본 발명에 따른 플라즈마 식각 장치는 리모트 플라즈마를 이용하여 플라즈마 형성 영역과 증착 영역을 구분되는 위치에 메시 구조물을 배치시킴으로써, 블랙실리콘 형성 원리 및 메시 구조물을 통한 플라즈마의 회절과 산란으로 인하여 피라미드 구조의 텍스쳐링이 가능하게 된다.
Int. CL H01L 31/18 (2014.01) H01L 31/0236 (2014.01) H01L 31/04 (2014.01)
CPC H01L 31/1804(2013.01) H01L 31/1804(2013.01) H01L 31/1804(2013.01) H01L 31/1804(2013.01)
출원번호/일자 1020110043152 (2011.05.06)
출원인 경북대학교 산학협력단, (주)울텍
등록번호/일자 10-1222910-0000 (2013.01.10)
공개번호/일자 10-2012-0125077 (2012.11.14) 문서열기
공고번호/일자 (20130116) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.05.06)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 경북대학교 산학협력단 대한민국 대구광역시 북구
2 (주)울텍 대한민국 대구광역시 달서구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이종현 대한민국 대구광역시 남구
2 조찬섭 대한민국 대구광역시 달서구
3 석창길 대한민국 대구광역시 달서구
4 공대영 대한민국 대구광역시 북구
5 서창택 대한민국 대구광역시 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이지연 대한민국 서울특별시 관악구 남부순환로 ****, ***호 제니스국제특허법률사무소 (봉천동, 청동빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 경북대학교 산학협력단 대구광역시 북구
2 (주)울텍 대구광역시 달서구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2011.05.06 수리 (Accepted) 1-1-2011-0338639-19
2 보정요구서
Request for Amendment
2011.05.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2011-0040798-97
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2011.06.09 수리 (Accepted) 1-1-2011-0434789-78
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2012.02.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2012.03.21 수리 (Accepted) 9-1-2012-0021238-56
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.06.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0360850-89
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.08.13 수리 (Accepted) 1-1-2012-0648141-56
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.08.13 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0647999-23
9 등록결정서
Decision to grant
2012.12.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0770504-57
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2014-0079047-98
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.03.26 수리 (Accepted) 4-1-2018-5051994-32
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.23 수리 (Accepted) 4-1-2020-5136893-04
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
태양전지의 표면에 텍스쳐링 공정을 수행하는 플라즈마 식각 장치에 있어서,공정 가스가 채워지고, 식각 공정을 수행하는 공정 챔버;상기 공정 챔버 내부의 일측에 배치되는 제1 전극;상기 제1 전극이 배치된 일측과 대향되는 상기 공정 챔버 내부의 타측에 배치되는 제2 전극;기판을 안착시키기 위해 상기 제2 전극 정면에 설치되는 척; 상기 제1 전극과 제2 전극 사이에 배치되고, 상기 제2 전극으로부터 사전에 설정된 거리만큼 떨어져 배치되고, 다수 개의 미세한 홀이 형성되어 있어 제1 전극 및 제2 전극을 통해 형성된 플라즈마가 상기 미세한 홀을 통과하면서 회절 및 산란되어 상기 척으로 입사되도록 하는 메시 구조물;제2 전극의 가장자리에 배치되는 가이드 지그; 및상기 가이드 지그의 정면에 배치되고, 사전에 설정된 길이로 형성되어 있어 상기 메시 구조물을 제2 전극으로부터 사전에 설정된 거리만큼 떨어져 배치되도록 고정시키는 지지부재;을 구비하고, 상기 플라즈마 식각 장치는 플라즈마 형성 영역과 식각 영역이 구분되는 리모트 플라즈마(remote plasma)를 이용하되, 상기 플라즈마 형성 영역과 식각 영역을 구분하는 쉬쓰 바운더리(sheath boundary)와 제2 전극 사이에 상기 메시 구조물을 배치하여 상기 척에 안착된 기판의 표면을 피라미드 구조로 텍스쳐링(texturing)하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 식각 장치
2 2
삭제
3 3
제 1항에 있어서, 상기 메시 구조물의 다수 개의 홀은원형 또는 다각형 모양으로 형성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 식각 장치
4 4
제 1항에 있어서, 상기 메시 구조물은금속 재질, 유리 재질, 세라믹 재질 중 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 식각 장치
5 5
제 1항에 있어서, 상기 가이드 지그는퀄츠(quartz) 재질로 형성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 식각 장치
6 6
제 1항에 있어서, 상기 공정 가스는SF6 가스 및 CF4 가스 중 어느 하나에 O2 가스가 첨가되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 식각 장치
7 7
제 6항에 있어서, 상기 공정가스는Ar 가스 및 Cl 가스 중 어느 하나를 더 첨가하여 사용하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 식각 장치
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태양전지의 텍스쳐링 방법에 있어서,(a) 플라즈마 식각 장치의 공정 챔버 내의 척에 태양 전지용 기판을 배치하는 단계;(b) 상기 태양 전지용 기판의 전면에 메시구조물을 배치하는 단계;(c) 상기 플라즈마 식각 장치에 전원을 인가하여 기판의 표면을 식각하는 단계;를 포함하고,상기 플라즈마 식각 장치는, 공정 챔버 내부의 일측에 배치되는 제1 전극; 상기 제1 전극이 배치된 일측과 대향되는 상기 공정 챔버 내부의 타측에 배치되는 제2 전극;기판을 안착시키기 위해 상기 제2 전극 정면에 설치되는 척; 상기 제1 전극과 제2 전극 사이에 배치되고, 상기 제2 전극으로부터 사전에 설정된 거리만큼 떨어져 배치되고, 다수 개의 미세한 홀이 형성되어 있어 제1 전극 및 제2 전극을 통해 형성된 플라즈마가 상기 미세한 홀을 통과하면서 회절 및 산란되어 상기 척으로 입사되도록 하는 메시 구조물;제2 전극의 가장자리에 배치되는 가이드 지그; 및상기 가이드 지그의 정면에 배치되고, 사전에 설정된 길이로 형성되어 있어 상기 메시 구조물을 제2 전극으로부터 사전에 설정된 거리만큼 떨어져 배치되도록 고정시키는 지지부재;를 구비하여, 플라즈마 형성 영역과 식각 영역이 구분되는 리모트 플라즈마(remote plasma)를 이용하여 상기 척에 안착된 기판의 표면을 피라미드 구조로 텍스쳐링(texturing)하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 식각 장치를 이용한 태양전지의 텍스쳐링 방법
9 9
제 8항에 있어서, 상기 메시 구조물은 다수 개의 미세한 홀이 형성되어 있어 상기 플라즈마 형성 영역에서 식각 영역으로 이동하는 플라즈마가 상기 미세한 홀을 통과하면서 회절 및 산란되어 상기 척에 안착된 기판의 표면으로 제공되도록 하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 식각 장치를 이용한 태양전지의 텍스쳐링 방법
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제 9항에 있어서, 상기 메시 구조물의 다수 개의 홀은원형 또는 다각형 모양으로 형성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 식각 장치를 이용한 태양전지의 텍스쳐링 방법
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제 8항에 있어서, 상기 메시 구조물은금속 재질, 유리 재질, 세라믹 재질 중 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 식각 장치를 이용한 태양전지의 텍스쳐링 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업자원부 경북대학교 산학 공동기술개발지원사업 폐 실리콘 웨이퍼를 활용한 태양전지용 실리콘 웨이퍼 및 texturing 공정 개발