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기판;도전성 물질을 포함하는 제1 가스 및 상기 도전성 물질과 다른 성질의 물질을 포함하는 제2 가스를 촉매와 화학적으로 반응시켜 상기 기판상에 성장되는 상기 도전성 물질로 이루어지며, 상기 제1 가스 및 상기 제2 가스 중 적어도 하나의 유량 변화에 따라 상기 기판상에 성장되는 상기 도전성 물질의 도핑 농도가 다르게 형성되는 도핑 층;상기 도핑 층상에 형성되며, 상기 도핑 층 이후의 후속 공정 시 상기 도핑 층과의 물리적 특성 차이로 인해 성장 층에 가해지는 스트레스를 줄이는 완충 층(buffer layer); 및상기 완충 층상에 형성되는 PN 접합 층을포함하며,상기 기판은 N형 실리콘 기판이고, 상기 도핑 층은 P형 실리콘 단결정 또는 다결정 층으로서, 상기 N형 실리콘 기판 및 상기 P형 실리콘 단결정 또는 다결정 층은 실리콘 PN 접합을 형성하는 것을 특징으로 하는 탠덤형 태양전지
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제1항에 있어서,상기 완충 층은 도전성 물질로 형성되며, 상기 완충 층을 형성하는 도전성 물질은 상기 실리콘 PN 접합과 상기 PN 접합 층 사이의 격자 상수 및 열팽창 계수 중 적어도 하나에 근거하여 선택되는 것을 특징으로 하는 탠덤형 태양전지
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제1항에 있어서,상기 완충 층은 두 개 이상의 층을 갖는 것을 특징으로 하는 탠덤형 태양전지
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제1항에 있어서,상기 PN 접합 층은 상기 완충 층상에 차례로 적층되는 N형 층과 P형 층을 포함하며, 상기 N형 층 및 상기 P형 층은 질화물계의 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 탠덤형 태양전지
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제1항에 있어서,상기 도핑 층은 표면이 비평탄한 것을 특징으로 하는 탠덤형 태양전지
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제1항에 있어서,상기 도전성 물질은 알루미늄(Al), 갈륨(Ga), 붕소(B), 비소(As) 중 어느 하나이고, 상기 다른 성질의 물질은 실리콘(Si)인 것을 특징으로 하는 탠덤형 태양전지
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기판을 준비하는 단계;도전성 물질을 포함하는 제1 가스 및 상기 도전성 물질과 다른 성질의 물질을 포함하는 제2 가스를 촉매와 화학적으로 반응시켜 상기 기판상에 도핑 층을 성장시키는 단계;상기 도핑 층 이후의 후속 공정 시 상기 도핑 층과의 물리적 특성 차이로 인해 성장 층에 가해지는 스트레스를 줄이기 위하여 상기 도핑 층상에 완충 층(buffer layer)을 형성하는 단계; 및상기 완충 층상에 PN 접합 층을 형성하는 단계를포함하며,상기 기판은 N형 실리콘 기판이고, 상기 도핑 층은 P형 실리콘 단결정 또는 다결정 층으로서, 상기 N형 실리콘 기판 및 상기 P형 실리콘 단결정 또는 다결정 층은 실리콘 PN 접합을 형성하는 것을 특징으로 하는 탠덤형 태양전지의 제조방법
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제8항에 있어서,상기 도핑 층을 성장시키는 단계는,상기 제1 가스 및 상기 제2 가스 중 적어도 하나의 유량을 변화시켜 상기 도전성 물질의 도핑 농도를 다르게 하여 상기 도핑 층을 성장시키는 것을 특징으로 하는 탠덤형 태양전지의 제조방법
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제8항에 있어서,상기 완충 층을 형성하는 단계는 상기 완충 층이 두 개 이상의 층을 갖도록 형성하는 것을 특징으로 하는 탠덤형 태양전지의 제조방법
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제8항에 있어서,상기 PN 접합 층을 형성하는 단계는,상기 완충 층상에 N형 층을 형성하는 단계; 및상기 N형 층상에 P형 층을 형성하는 단계를포함하는 것을 특징으로 하는 탠덤형 태양전지의 제조방법
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제11항에 있어서,상기 N형 층 및 상기 P형 층은 질화물계의 물질로 형성하는 것을 특징으로 하는 탠덤형 태양전지의 제조방법
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제8항에 있어서,상기 도핑 층을 성장시키는 단계는,상기 도전성 물질로서 알루미늄(Al), 갈륨(Ga), 붕소(B), 비소(As) 중 어느 하나를 사용하고, 상기 다른 성질의 물질로서 실리콘(Si)을 사용하는 것을 특징으로 하는 탠덤형 태양전지의 제조방법
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