1 |
1
태양전지용 황화구리인듐(CulnS2) 흡수층의 제조 방법에 있어서,(a) 구리아세테이트(Cu acetate)와 인듐아세테이트(In acetate)를 2프로판올과 1프로판올에 각각 용해한 후 두 용액을 섞어서 제조한 금속유기전구체를 이용하여 출발용액을 제조하는 단계와;(b) 상기 출발용액으로 기판상에 박막을 코팅하는 단계와;(c) 상기 박막이 코팅된 상기 기판을 건조하는 단계; 및(d) 상기 건조 후 황(S)의 분말을 이용하여 황화 처리하여 CulnS2 흡수층을 완성하는 단계;를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 태양전지용 황화구리인듐 흡수층의 제조 방법
|
2 |
2
삭제
|
3 |
3
제 1 항에 있어서, 상기 단계 (a)의 인듐아세테이트는:1프로판올에 80℃의 조건에서 1시간 동안 용해한 후 다이에탄올아민을 섞어 용해하는 것을 특징으로 하는 태양전지용 황화구리인듐 흡수층의 제조 방법
|
4 |
4
제 1 항에 있어서, 상기 (a)단계에서,상기 출발용액의 구리/인듐 몰 비는 1이고,상기 구리의 몰 농도는 0
|
5 |
5
제 1 항에 있어서, 상기 (b)단계에서는:졸젤(sol-gel) 회전코팅법으로 박막을 코팅하는 것을 특징으로 하는 태양전지용 황화구리인듐 흡수층의 제조 방법
|
6 |
6
제 1 항에 있어서, 상기 (c)단계에서는:300℃에서 10분간 핫플레이트(hotplate) 상에서 건조하는 것을 특징으로 하는 태양전지용 황화구리인듐 흡수층의 제조 방법
|
7 |
7
제 1 항에 있어서, 상기 (c)단계에서는:원하는 박막의 두께가 나올 때까지 박막의 코팅과 건조를 반복하는 것을 특징으로 하는 태양전지용 황화구리인듐 흡수층의 제조 방법
|
8 |
8
제 1 항에 있어서, 상기 (d)단계에서는:500℃의 중성분위기에서 밀폐된 흑연상자 안에서 황화 처리하는 것을 특징으로 하는 태양전지용 황화구리인듐 흡수층의 제조 방법
|
9 |
9
제 8 항에 있어서, 상기 황화 처리된 박막의 표면 거칠기(rms)는 19
|
10 |
10
삭제
|