| 요약 |
본 발명은 고주파 가변 소자용 후막 유전체 조성물 및 그 제조방법에 관한 것으로, (BaYSr1-Y)TiO3 100 중량부에 대하여 Li2CO3 X 중량부를 혼합한 하기의 식 1로 표현되는 고주파 가변 소자용 후막 유전체 세라믹 조성물을, 1000~1350℃ 범위에서 소결 열처리됨에 의해 형성되는 고주파 가변 소자용 후막 유전체 조성물을 기술적 요지로 한다.[ 화학식 1 ](BaYSr1-Y)TiO3 + X 중량부 Li2CO3상기 화학식1에서, 1≤x≤20 이며 상기 화학식1에서, 0.01≤Y≤0.99 이다.그리고, 원료물질인 BaCO3, SrCO3, TiO3 분말을 혼합하고 열처리 한 후, 분쇄시켜 (BaYSr1-Y)TiO3 을 형성시키는 기본 조성물 형성과정과; 상기 기본 조성물 형성과정에서 형성된 (BaYSr1-Y)TiO3 에 Li2CO3 분말을 혼합하여 소자용 조성물을 형성시키는 소자용 조성물 형성과정과; 상기 소자용 조성물을 1000~1350℃에서 열처리시키는 소결과정;을 포함하여 형성되는 고주파 가변 소자용 후막 유전체 조성물 제조방법을 기술적 요지로 한다. 이에 따라, 낮은 온도에서 소결이 가능하면서도 적은 손실, 큰 k-factor, 높은 가변율과 우수한 마이크로파 유전특성을 가지는 고주파 가변 소자용 후막 유전체 조성물을 형성시킬 수 있고, 금(Au), 은(Ag), 구리(Cu), 이들의 합금 또는 Ag/Pd(5중량% 미만) 합금을 내부전극으로 사용하여 후막 적층칩 가변 캐패시터, 후막 적층칩 가변 필터, 적층칩 캐패시터/인덕터 복합소자 및 모듈, 저온소결 기판, 공진기, 위상 변위기, 가변 필터 등으로 이용가능하다는 이점이 있다. 고주파 가변 소자 후막 유전체 소결
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