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화소회로 및 그 구동방법

  • 기술번호 : KST2014012361
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 화소회로 및 그 구동방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 화소회로는 스캔라인을 통해 인가되는 스캔전압에 따라 데이터라인을 통해 인가되는 데이터전압을 출력하는 선택스위치, 선택스위치와 접속되고, 선택스위치로부터 출력되는 데이터전압을 저장하는 저장부, 데이터전압이 저장된 저장부에 스윕전압(Sweep Voltage)을 인가하는 스윕전압발생부 및 저장부의 데이터전압 및 스윕전압에 따라 구동되는 화소표시부를 포함한다. 본 발명에 따른 화소회로와 그 구동방법을 이용하면, 낮은 스위칭 속도만으로도 화소표시부 또는 유기발광소자를 시간분할방식으로 구동시킬 수 있게 하여 높은 화면 해상도와 계조 해상도를 실현할 수 있다. 디지털마이크로미러(Digital Micromirror Device, DMD), 간섭계변조기(Interferometric Modulator, iMod), 유기발광다이오드(Organic Light Emitting Diode, OLED), 마이크로전기기계시스템, 나노전기기계시스템
Int. CL G09G 3/30 (2011.01) G09G 3/20 (2011.01) G09G 3/34 (2011.01)
CPC G09G 3/3225(2013.01) G09G 3/3225(2013.01) G09G 3/3225(2013.01) G09G 3/3225(2013.01)
출원번호/일자 1020080022761 (2008.03.12)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-0914929-0000 (2009.08.25)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20090901) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.03.12)
심사청구항수 21

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 윤준보 대한민국 대전 유성구
2 이정언 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김성호 대한민국 서울특별시 강남구 도곡로 *** (역삼동,미진빌딩 *층)(KNP 특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.03.12 수리 (Accepted) 1-1-2008-0178350-17
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2008.09.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2008.10.13 수리 (Accepted) 9-1-2008-0065033-96
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2009.05.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0232453-59
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2009.07.28 수리 (Accepted) 1-1-2009-0460941-18
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2009.07.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0460947-92
7 등록결정서
Decision to grant		 2009.08.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0349859-92
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
스캔라인을 통해 인가되는 스캔전압에 따라 데이터라인을 통해 인가되는 데이터전압을 출력하는 선택스위치; 상기 선택스위치와 접속되고, 상기 선택스위치로부터 출력되는 데이터전압을 저장하는 저장부; 상기 데이터전압이 저장된 상기 저장부에 스윕전압(Sweep Voltage)을 인가하는 스윕전압발생부; 및 상기 저장부의 데이터전압 및 스윕전압에 따라 구동되는 화소표시부를 포함하며, 상기 화소표시부는, 상기 저장부와 접속된 제4 전극; 및 상기 제4 전극과 이격되고, 기준전압과 접속된 제5 전극을 포함하며, 상기 제4 전극 및 상기 제5 전극간의 전위차에 따른 정전기력에 의해 상기 제4 전극 및 상기 제5 전극간의 이격거리가 변화됨에 따라 광학적특성이 변화되는 것을 특징으로 하는 화소회로
2 2
제1항에 있어서, 상기 선택스위치는, 모스트랜지스터(MOS Transistor), 박막트랜지스터(Thin Film Transistor, TFT), 산화막트랜지스터(Oxide Thin Film Transistor) 및 유기전계효과트랜지스터(Organic Field Effect Transistor, OFET) 중 하나를 포함하는, 화소회로
3 3
제1항에 있어서, 상기 선택스위치는, 상기 데이터라인에 접속된 제1 전극; 상기 스캔라인에 접속되고, 상기 제1 전극과 이격된 제2 전극; 상기 저장부에 접속되고, 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극과 이격된 제3 전극; 및 일단은 상기 제1 전극과 접속되고, 타단은 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극간의 전위차에 따라 상기 제3 전극과 접속되는 전도성구조체를 포함하는 기계식 스위치인, 화소회로
4 4
제3항에 있어서, 상기 전도성구조체는 금(Au), 니켈(Ni), 구리(Cu), 질화티타늄(TiN), 알루미늄(Al) 및 은(Ag) 중 어느 하나 이상이 포함된 금속박막 및 인-주석 산화물(ITO), 아연산화물(ZnO), IGZO(In-Ga ZnO) 및 인듐아연산화물(IZO) 중 하나가 포함된 전도성 산화물 중 하나를 포함하여 형성된, 화소회로
5 5
제3항에 있어서, 상기 기계식 스위치는, 마이크로전기기계시스템(Micro Electro Mechanical System, MEMS)스위치 및 나노전기기계시스템(Nano Elector Mechanical System, NEMS)스위치 중 하나를 포함하는, 화소회로
6 6
제1항에 있어서, 상기 저장부는, 상기 선택스위치와 접속된 제1 단자; 및 상기 스윕전압발생부와 접속된 제2 단자를 포함하고, 상기 데이터전압 및 상기 스윕전압을 저장하는, 화소회로
7 7
제1항에 있어서, 상기 스윕전압의 파형은 삼각파인, 화소회로
8 8
삭제
9 9
제1항에 있어서, 상기 화소표시부는, 마이크로셔터(Micro Shutter), 마이크로디지털미러(Micro Digital Mirror, DMD) 및 간섭계 변조기(Interferometric Modulator, IMod) 중 하나를 포함하는, 화소회로
10 10
스캔라인을 통해 인가되는 스캔전압에 따라 데이터라인을 통해 인가되는 데이터전압을 출력하는 제1 스위치; 상기 제1 스위치와 접속되고, 상기 제1 스위치로부터 출력되는 데이터전압을 저장하는 저장부; 상기 데이터전압이 저장된 상기 저장부에 스윕전압을 인가하는 스윕전압발생부; 전원공급부와 접속된 유기발광소자; 및 상기 저장부의 데이터전압 및 스윕전압에 따라 상기 유기발광소자와 기준전압을 접속시키는 제2 스위치를 포함하며, 상기 제2 스위치는, 상기 기준전압과 접속된 제4 전극; 상기 저장부에 접속되고, 상기 제4 전극과 이격된 제5 전극; 상기 상기 유기발광소자와 접속되고, 상기 제4 전극 및 상기 제5 전극과 이격된 제6 전극; 및 일단은 상기 제4 전극과 접속되고, 타단은 상기 제4 전극 및 상기 제5 전극간의 전위차에 따라 상기 제6 전극과 접속되는 제2 전도성구조체를 포함하는 기계식 스위치인 것을 특징으로 하는 화소회로
11 11
제10항에 있어서, 상기 제1 스위치는, 모스트랜지스터(MOS Transistor), 박막트랜지스터(Thin Film Transistor, TFT), 산화막트랜지스터(Oxide Thin Film Transistor) 및 유기전계효과트랜지스터(Organic Field Effect Transistor, OFET) 중 하나를 포함하는, 화소회로
12 12
제10항에 있어서, 상기 제1 스위치는, 상기 데이터라인에 접속된 제1 전극; 상기 스캔라인에 접속되고, 상기 제1 전극과 이격된 제2 전극; 상기 저장부에 접속되고, 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극과 이격된 제3 전극; 및 일단은 상기 제1 전극과 접속되고, 타단은 상기 데이터전압과 상기 스캔전압의 전위차에 따라 상기 제3 전극과 접속되는 제1 전도성구조체를 포함하는 기계식 스위치인, 화소회로
13 13
제12항에 있어서, 상기 제1 전도성구조체는 금(Au), 니켈(Ni), 구리(Cu), 질화티타늄(TiN), 알루미늄(Al) 및 은(Ag) 중 어느 하나 이상이 포함된 금속박막 및 인-주석 산화물(ITO), 아연산화물(ZnO), IGZO(In-Ga ZnO) 및 인듐아연산화물(IZO) 중 하나가 포함된 전도성 산화물 중 하나를 포함하여 형성된, 화소회로
14 14
제12항에 있어서, 상기 기계식 스위치는, 마이크로전기기계시스템(Micro Electro Mechanical System, MEMS)스위치 및 나노전기기계시스템(Nano Elector Mechanical System, NEMS)스위치 중 하나를 포함하는, 화소회로
15 15
제10항에 있어서, 상기 저장부는, 상기 제1 스위치와 접속된 제1 단자; 및 상기 스윕전압발생부와 접속된 제2 단자를 포함하고, 상기 데이터전압 및 상기 스윕전압을 저장하는, 화소회로
16 16
제10항에 있어서, 상기 스윕전압의 파형은 삼각파인, 화소회로
17 17
삭제
18 18
제10항에 있어서, 상기 제2 전도성구조체는 금(Au), 니켈(Ni), 구리(Cu), 질화티타늄(TiN), 알루미늄(Al) 및 은(Ag) 중 어느 하나 이상이 포함된 금속박막 및 인-주석 산화물(ITO), 아연산화물(ZnO), IGZO(In-Ga ZnO) 및 인듐아연산화물(IZO) 중 하나가 포함된 전도성 산화물 중 하나를 포함하여 형성된, 화소회로
19 19
제10항에 있어서, 상기 기계식 스위치는, 마이크로전기기계시스템(Micro Electro Mechanical System, MEMS)스위치 및 나노전기기계시스템(Nano Elector Mechanical System, NEMS)스위치 중 하나를 포함하는, 화소회로
20 20
제1항에 의한 화소회로를 동작시키는 구동방법에 있어서, 상기 선택스위치가 턴온되어 상기 데이터전압을 출력하는 단계; 상기 선택스위치의 온이 유지되는 상태에서, 상기 선택스위치로부터 출력되는 데이터전압이 상기 저장부에 저장되는 단계; 상기 선택스위치가 턴오프되고, 상기 저장된 데이터전압이 유지된 상태에서 상기 저장부에 스윕전압이 인가되는 단계; 및 상기 저장부의 데이터전압 및 스윕전압에 따라 상기 화소표시부가 구동되는 단계를 포함하며, 상기 화소표시부는 상기 저장부의 데이터전압 및 스윕전압의 합이 상기 화소표시부의 풀인전압 이상인 구간 동안 구동되는 것을 특징으로 하는 화소회로의 구동방법
21 21
제20항에 있어서, 상기 데이터전압을 출력하는 단계는, 상기 데이터라인을 통해 상기 데이터전압을 입력하는 단계; 및 상기 스캔라인을 통해 상기 스캔전압을 입력하는 단계를 포함하되, 상기 데이터전압 및 상기 스캔전압간의 전위차가 상기 선택스위치의 풀인전압 이상인, 화소회로의 구동방법
22 22
삭제
23 23
제10항에 의한 화소회로를 동작시키는 구동방법에 있어서, 상기 제1 스위치가 턴온되어 상기 데이터전압을 출력하는 단계; 상기 제1 스위치의 온이 유지되는 상태에서, 상기 제1 스위치로부터 출력되는 데이터전압이 상기 저장부에 저장되는 단계; 상기 제1 스위치가 턴오프되고, 상기 저장된 데이터전압이 유지되는 상태에서 상기 저장부에 스윕전압이 인가되는 단계; 및 상기 저장부의 데이터전압 및 스윕전압에 따라 상기 제2 스위치가 턴온되는 단계를 포함하며, 상기 제2 스위치는 상기 저장부의 데이터전압 및 스윕전압의 합이 상기 제2 스위치의 풀인전압 이상인 구간 동안 턴온되는 것을 특징으로 하는 화소회로의 구동방법
24 24
제23항에 있어서, 상기 데이터전압을 출력하는 단계는, 상기 데이터라인을 통해 상기 데이터전압을 입력하는 단계; 및 상기 스캔라인을 통해 상기 스캔전압을 입력하는 단계를 포함하되, 상기 데이터전압 및 상기 스캔전압간의 전위차가 상기 제1 스위치의 풀인전압 이상인, 화소회로의 구동방법
25 25
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.