맞춤기술찾기

이전대상기술

압전 에너지 하베스팅 장치 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015090886
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 유연 압전 에너지 하베스팅 장치가 제공된다. 이 에너지 하베스팅 장치는 제 1 유연 전극 기판, 제 1 유연 전극 기판 상에 배치되되, 일 방향으로 서로 이격된 복수의 제 1 압전 선들 및 압전 선들 사이의 공간들을 채우는 복수의 제 2 압전 선들로 구성된 압전층, 및 압전층 상에 배치된 제 2 유연 전극 기판을 포함한다.
Int. CL H01L 41/02 (2006.01) H01L 41/22 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020120141161 (2012.12.06)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2014-0073201 (2014.06.16) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.12.04)
심사청구항수 20

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 이상균 대한민국 광주 광산구
2 양일석 대한민국 대전 유성구
3 권종기 대한민국 대전 서구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 특허법인 고려 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
최종권리자 정보가 없습니다
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2012.12.06 수리 (Accepted) 1-1-2012-1014126-57
2 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2015.01.16 수리 (Accepted) 1-1-2015-0045352-65
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
4 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2017.12.04 수리 (Accepted) 1-1-2017-1206329-05
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2018.06.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2018.08.07 수리 (Accepted) 9-1-2018-0038806-95
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2019.03.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0207517-42
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2019.05.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0388994-41
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제 1 유연 전극 기판;상기 제 1 유연 전극 기판 상에 배치되되, 일 방향으로 서로 이격된 복수의 제 1 압전 선들 및 상기 제 1 압전 선들 사이의 공간들을 채우는 복수의 제 2 압전 선들로 구성된 압전층; 및상기 압전층 상에 배치된 제 2 유연 전극 기판을 포함하는 유연 압전 에너지 하베스팅 장치
2 2
제 1항에 있어서,상기 제 1 및 제 2 유연 전극 기판들은 도전성 물질을 포함하는 유연 압전 에너지 하베스팅 장치
3 3
제 1항에 있어서,상기 제 1 및 제 2 유연 전극 기판들 각각은:절연성 폴리머층; 및상기 압전층과 인접하는 상기 절연성 폴리머층의 일면 상에 배치된 전극 패턴을 포함하는 유연 압전 에너지 하베스팅 장치
4 4
제 3항에 있어서,상기 전극 패턴은 빗살 전극 구조를 갖는 유연 압전 에너지 하베스팅 장치
5 5
제 1항에 있어서,상기 제 1 압전 선들은 압전 세라믹 물질 또는 단결정 물질을 포함하는 유연 압전 에너지 하베스팅 장치
6 6
제 5항에 있어서,상기 제 1 압전 선들은 상기 압전 세라믹 물질을 포함하고, 상기 압전 세라믹 물질은 티탄산 지르코산 납을 포함하는 유연 압전 에너지 하베스팅 장치
7 7
제 5항에 있어서,상기 제 1 압전 선들은 상기 단결정 물질을 포함하고, 상기 단결정 물질은 납 마그네슘 니오브산염-납 티탄산염, 납 마그네슘 니오브산염-티탄산 지르코산 납, 납 인듐 니오브산염-납 티탄산염 또는 납 지르코산 티탄산염-납 티탄산염을 포함하는 유연 압전 에너지 하베스팅 장치
8 8
제 1항에 있어서,상기 제 2 압전 선들은 압전 폴리머 물질을 포함하되, 상기 압전 폴리머 물질은 폴리비닐리덴 디플루오라이드 폴리머계 압전 물질 또는 폴리비닐리덴 디플루오라이드-트리플루오로에틸렌 폴리머계 압전 물질을 포함하는 유연 압전 에너지 하베스팅 장치
9 9
제 1항에 있어서,상기 제 1 및 제 2 압전 선들 각각은 상기 일 방향을 가로지르는 타 방향으로 사각형 단면을 갖는 유연 압전 에너지 하베스팅 장치
10 10
제 1 유연 전극 기판 상에 일 방향으로 이격된 복수의 제 1 압전 선들 및 상기 제 1 압전 선들 사이의 공간들을 채우는 복수의 제 2 압전 선들로 구성된 압전층을 형성하는 단계; 및상기 압전층 상에 제 2 유연 전극 기판을 형성하는 단계를 포함하는 유연 압전 에너지 하베스팅 장치의 제조 방법
11 11
제 10항에 있어서,상기 제 1 및 제 2 유연 전극 기판들은 도전성 물질을 포함하는 유연 압전 에너지 하베스팅 장치의 제조 방법
12 12
제 10항에 있어서,상기 제 1 및 제 2 유연 전극 기판들 각각은:절연성 폴리머층; 및상기 압전층과 인접하는 상기 절연성 폴리머층의 일면 상에 배치된 전극 패턴을 포함하는 유연 압전 에너지 하베스팅 장치의 제조 방법
13 13
제 12항에 있어서,상기 전극 패턴은 빗살 전극 구조를 갖는 유연 압전 에너지 하베스팅 장치의 제조 방법
14 14
제 10항에 있어서,상기 압전층을 형성하는 단계는:희생 기판 상에 제 1 압전층을 형성하는 단계;상기 제 1 압전층을 패터닝하여, 일 방향으로 서로 이격된 복수의 제 1 압전 선들을 형성하는 단계;상기 제 1 압전 선들 사이의 공간들을 채우는 제 2 압전 선들을 형성하는 단계; 및상기 희생 기판 상의 상기 압전층을 상기 제 1 유연 전극 기판 상으로 옮기는 단계를 포함하는 유연 압전 에너지 하베스팅 장치의 제조 방법
15 15
제 14항에 있어서,상기 제 1 압전층은 압전 세라믹 물질 또는 단결정 물질로 형성되는 유연 압전 에너지 하베스팅 장치의 제조 방법
16 16
제 15항에 있어서,상기 압전 세라믹 물질은 티탄산 지르코산 납을 포함하는 유연 압전 에너지 하베스팅 장치의 제조 방법
17 17
제 15항에 있어서,상기 단결정 물질은 납 마그네슘 니오브산염-납 티탄산염, 납 마그네슘 니오브산염-티탄산 지르코산 납, 납 인듐 니오브산염-납 티탄산염 또는 납 지르코산 티탄산염-납 티탄산염을 포함하는 유연 압전 에너지 하베스팅 장치의 제조 방법
18 18
제 14항에 있어서,상기 제 1 압전 선들은 상기 일 방향을 가로지르는 타 방향으로 사각형 단면을 갖도록 형성되는 유연 압전 에너지 하베스팅 장치의 제조 방법
19 19
제 14항에 있어서,상기 제 2 압전 선들은 압전 폴리머 물질로 형성되되, 상기 압전 폴리머 물질은 폴리비닐리덴 디플루오라이드 또는 폴리비닐리덴 디플루오라이드-트리플루오로에틸렌을 포함하는 유연 압전 에너지 하베스팅 장치의 제조 방법
20 20
제 1 유연 전극 기판;상기 제 1 유연 전극 기판 상에 배치되되, 서로 이격되어 일정하게 배열된 복수의 제 1 압전 섬들 및 상기 제 1 압전 섬들 사이의 공간들을 채우는 제 2 압전 망 패턴으로 구성된 압전층; 및상기 압전층 상에 배치된 제 2 유연 전극 기판을 포함하는 유연 압전 에너지 하베스팅 장치
지정국 정보가 없습니다
순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - 패밀리정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US09379309 US 미국 FAMILY
2 US09876161 US 미국 FAMILY
3 US20140159542 US 미국 FAMILY
4 US20160268495 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2014159542 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US2016268495 US 미국 DOCDBFAMILY
3 US9379309 US 미국 DOCDBFAMILY
4 US9876161 US 미국 DOCDBFAMILY
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 한국전자통신연구원 산업원천기술개발사업(정보통신) 자가충전 전원모듈 기반 EPMIC