| 1 |
1
저잡음용 스핀토크형 소자를 사용하여 주입(injection) 발진기를 설계하는 단계;고출력용 스핀토크형 소자를 사용하여 자주(free running) 발진기를 설계하는 단계; 및상기 주입 발진기와 상기 자주 발진기를 한 쌍으로 조합하여 저잡음과 고출력을 동시에 충족하는 주입고정(injection locking) 발진기를 설계하는 단계를 포함하는 스핀토크형 주입고정 발진기의 설계방법
|
| 2 |
2
제1항에 있어서,상기 저잡음용 스핀토크형 소자는 자기소용돌이(magnetic vortex) 구조로 설계하는 것을 특징으로 하는 스핀토크형 주입고정 발진기의 설계방법
|
| 3 |
3
제1항에 있어서,상기 고출력용 스핀토크형 소자는 TMR(tunneling magnetoresistance) 구조로 설계하는 것을 특징으로 하는 스핀토크형 주입고정 발진기의 설계방법
|
| 4 |
4
제1항에 있어서,상기 저잡음용 스핀토크형 소자와 상기 고출력용 스핀토크형 소자의 구조의 설계는 자성층의 재료를 서로 달리하는 것을 특징으로 하는 스핀토크형 주입고정 발진기의 설계방법
|
| 5 |
5
제4항에 있어서,상기 재료는 코발트(Co), 니켈(Ni) 및 철(Fe) 중 적어도 하나를 포함하는 물질 또는 그 합금인 것을 특징으로 하는 스핀토크형 주입고정 발진기의 설계방법
|
| 6 |
6
제4항에 있어서,상기 재료는 체심입방(BCC) 결정구조인 것을 특징으로 하는 스핀토크형 주입고정 발진기의 설계방법
|
| 7 |
7
제1항에 있어서,상기 저잡음용 스핀토크형 소자와 상기 고출력용 스핀토크형 소자는 구동 직류전류를 서로 달리하는 것을 특징으로 하는 스핀토크형 주입고정 발진기의 설계방법
|
| 8 |
8
제1항 내지 제7항 중 어느 한 항으로 설계한 스핀토크형 주입고정 발진기를 CMOS 공정으로 집적화시키는 것을 특징으로 하는 스핀토크형 주입고정 발진기의 제작방법
|
| 9 |
9
제8항의 방법으로 제작된 스핀토크형 주입고정 발진기 칩
|
| 10 |
10
주입 발진기와 자주 발진기로 구성된 주입고정 발진기에 있어서,전류제어에 의해 주입 발진기로 동작하는 저잡음용 스핀토크형 소자; 및전류제어에 의해 자주 발진기로 동작하는 고출력용 스핀토크형 소자를 포함하고,상기 고출력용 스핀토크형 소자는 상기 저잡음용 스핀토크형 소자의 출력 신호를 입력받아 출력하는 것을 특징으로 하는 스핀토크형 주입고정 발진기
|
| 11 |
11
제10항에 있어서,상기 저잡음용 스핀토크형 소자의 출력단과 상기 고출력용 스핀토크형 소자의 입력단 사이에 결합기를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 스핀토크형 주입고정 발진기
|
| 12 |
12
제10항에 있어서,상기 고출력용 스핀토크형 소자는,복수의 스핀토크형 소자들이 어레이로 형성된 것인 것을 특징으로 하는 스핀토크형 주입고정 발진기
|
| 13 |
13
제11항에 있어서,상기 결합기는,방향성 결합기, 컴바이너 또는 써큘레이터인 것을 특징으로 하는 스핀토크형 주입고정 발진기
|
| 14 |
14
제10항에 있어서,상기 저잡음용 스핀토크형 소자는 자기소용돌이(magnetic vortex) 구조인 것을 특징으로 하는 스핀토크형 주입고정 발진기
|
| 15 |
15
제10항에 있어서,상기 고출력용 스핀토크형 소자와 상기 저잡음용 스핀토크형 소자는 직류 전류 대신에 직류 전압으로 제어되는 것을 특징으로 하는 스핀토크형 주입고정 발진기
|
| 16 |
16
주입 발진기와 자주 발진기를 구비하는 주입고정 발진기에 있어서,전류제어에 의해 주입 발진기로 동작하는 고출력용 스핀토크형 소자; 및전류제어에 의해 자주 발진기로 동작하는 저잡음용 스핀토크형 소자를 포함하고,상기 저잡음용 스핀토크형 소자는 상기 고출력용 스핀토크형 소자의 출력 신호를 입력받아 출력하는 것을 특징으로 하는 스핀토크형 주입고정 발진기
|
