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트랜지스터와 결합하여 직접화한 고출력 스핀발진기(High power spin torque oscillator integrated on a transistor)

  • 기술번호 : KST2016005415
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 트랜지스터와 결합하여 직접화한 고출력 스핀발진기에 관한 것으로서, 스핀발진기는 발진 기능을 하고 트랜지스터는 스핀발진기의 발진 신호를 입력받아 증폭하는 기능을 하며, FET 또는 BJT상에 스핀발진기를 집적화하는 것을 특징으로 한다.
Int. CL H03B 15/00 (2014.09.20) H01L 43/08 (2016.10.05)
CPC H03B 15/00(2013.01) H03B 15/00(2013.01)
출원번호/일자 1020140086057 (2014.07.09)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-1695468-0000 (2017.01.05)
공개번호/일자 10-2016-0006846 (2016.01.20) 문서열기
공고번호/일자 (20170113) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.07.09)
심사청구항수 18

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 신민철 대한민국 대전광역시 유성구
2 강두형 대한민국 대전광역시 유성구
3 이재현 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 맹성재 대한민국 대전광역시 서구 청사로 *** (둔산동) 수협빌딩 *층(RnD특허법률사무소)
2 박영우 대한민국 서울특별시 강남구 논현로 ***, *층 **세기특허법률사무소 (역삼동, 세일빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2014.07.09 수리 (Accepted) 1-1-2014-0645532-59
2 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2014.08.06 수리 (Accepted) 1-1-2014-0743016-88
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
6 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2015.08.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
7 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2015.09.17 수리 (Accepted) 9-1-2015-0061092-17
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2015.09.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0661271-94
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2015.11.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-1133740-98
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2015.11.20 수리 (Accepted) 1-1-2015-1133749-08
11 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2016.03.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0229828-37
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2016.05.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0516674-11
13 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2016.05.30 수리 (Accepted) 1-1-2016-0516683-11
14 등록결정서
Decision to grant		 2016.10.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0728282-24
15 [일부 청구항 포기]취하(포기)서
[Abandonment of Partial Claims] Request for Withdrawal (Abandonment)		 2017.01.05 수리 (Accepted) 2-1-2017-0013209-19
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
실리콘 기판상에 소스, 드레인 및 게이트를 형성하여 MOSFET 구조를 형성하는 단계 및상기 게이트의 절연막상에 게이트 전극으로 자유자성층/비자성층/고정자성층 순으로 또는 그 역순으로 적층하여 스핀발진기를 형성하는 단계를 포함하여,발진 기능의 스핀발진기와 증폭 기능의 트랜지스터를 일체로 형성하는 것을 특징으로 하는 고출력 스핀발진기 제조방법
2 2
제1항에 있어서,상기 스핀발진기에 전압원을 인가하는 경우에, 상기 게이트 절연막상의 자유자성층 또는 고정자성층과 접지 사이에 바이패스 저항을 형성하여 스핀 전류를 바이패스하여 게이트 전압이 생성되도록 하는 것을 특징으로 하는 고출력 스핀발진기 제조방법
3 3
제1항에 있어서,상기 스핀발진기에 전류원을 인가하는 경우에, 상기 게이트 절연막상의 자유자성층 또는 고정자성층에 인가할 수 있도록 전극패드를 형성하고, 스핀발진기의 타단은 접지와 연결하여 스핀발진기 자체저항에 의하여 게이트 전압이 생성되도록 하는 것을 특징으로 하는 고출력 스핀발진기 제조방법
4 4
실리콘 기판상에 에미터, 베이스 및 콜렉터를 형성하여 BJT 구조를 형성하는 단계 및상기 베이스상에 베이스 전극으로 자유자성층/비자성층/고정자성층 순으로 또는 그 역순으로 적층하여 스핀발진기를 형성하는 단계를 포함하여,발진 기능의 스핀발진기와 증폭 기능의 트랜지스터를 일체로 형성하는 것을 특징으로 하는 고출력 스핀발진기 제조방법
5 5
실리콘 기판상에 자성반도체를 증착하여 에미터, 베이스 및 콜렉터를 형성하여 BJT 구조를 형성하는 단계 및상기 베이스상에 베이스 전극으로 비자성층/고정자성층 순으로 또는 그 역순으로 적층하여 스핀발진기를 형성하는 단계를 포함하여,발진 기능의 스핀발진기와 증폭 기능의 트랜지스터를 일체로 형성하는 것을 특징으로 하는 고출력 스핀발진기 제조방법
6 6
제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,상기 스핀발진기는 기둥(pillar) 또는 점접촉(point contact) 구조로 형성하는 것을 특징으로 하는 고출력 스핀발진기 제조방법
7 7
스핀발진기와 트랜지스터를 결합하여 일체로 직접화한 것으로서,상기 트랜지스터의 게이트 또는 베이스의 전극과 스핀발진기의 출력 전극을 하나의 전극으로 일체화하여 집적되는 것을 특징으로 하는 고출력 스핀발진기
8 8
제7항에 있어서,상기 스핀발진기는 발진 기능을 하고,상기 트랜지스터는 상기 스핀발진기의 발진 신호를 증폭하는 기능을 하는 것을 특징으로 하는 고출력 스핀발진기
9 9
제7항에 있어서,상기 스핀발진기는 자유자성층(free layer)/비자성층(spacer)/고정자성층(pinned layer)의 순서 또는 그 역순으로 적층되어 형성된 것을 특징으로 하는 고출력 스핀발진기
10 10
제7항에 있어서,상기 스핀발진기는 TMR(tunneling magnetoresistance)구조인 것을 특징으로 하는 고출력 스핀발진기
11 11
제7항에 있어서,상기 스핀발진기는 GMR(giant magnetoresistance)구조인 것을 특징으로 하는 고출력 스핀발진기
12 12
제7항에 있어서,상기 스핀발진기는 자구벽(magnetic domain wall)형인 것을 특징으로 하는 고출력 스핀발진기
13 13
제7항에 있어서,상기 스핀발진기는 자기소용돌이(magnetic vortex)형인 것을 특징으로 하는 고출력 스핀발진기
14 14
청구항 14은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다
15 15
청구항 15은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다
16 16
제7항에 있어서,상기 스핀발진기에 전압원을 인가하는 것을 특징으로 하는 고출력 스핀발진기
17 17
제16항에 있어서,상기 트랜지스터가 MOSFET일 경우 바이패스 저항을 사용하여 스핀전류를 바이패스시켜 게이트 전압을 생성하는 것을 특징으로 하는 고출력 스핀발진기
18 18
제7항에 있어서,상기 스핀발진기에 전류원을 인가하는 것을 특징으로 하는 고출력 스핀발진기
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 한국과학기술원 미래유망 융합기술 파이오니어사업 스핀트로닉 나노 라디오 구현