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나노와이어 성장을 이용한 무반사 나노구조를 구비하는 렌즈의 제조방법 및 이에 따라 제조된 렌즈

  • 기술번호 : KST2015118290
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 목적은 나노와이어 성장을 이용한 무반사 나노구조를 구비하는 렌즈의 제조방법 및 이에 따라 제조된 렌즈를 제공하는 데 있다. 이를 위하여, 본 발명은 렌즈의 표면에 시드층을 형성하는 단계(단계 1); 및 상기 단계 1에서 시드층이 형성된 렌즈를 금속 산화물 전구체 용액 속에 침지시킨 후, 이를 가열하는 단계(단계 2);를 포함하는 나노와이어 성장을 이용한 무반사 나노구조를 구비하는 렌즈의 제조방법을 제공한다. 또한, 본 발명은 상기의 방법으로 제조되어 표면에 금속산화물 나노와이어가 형성된 무반사 나노구조를 구비하는 렌즈를 제공한다. 본 발명에 따르면, 평면 렌즈 또는 곡률을 가지는 렌즈의 표면에 광파장 이하의 높이, 폭 및 주기를 갖는 나노구조를 형성하여 렌즈의 반사율을 감소시킬 수 있고, 투과율을 증대시킬 수 있으며, 무반사 효과에 의해 고효율의 렌즈 제작이 가능하다. 즉, 본 발명은 종래의 무반사층 코팅과 같이 렌즈 위에 다른 종류의 물질을 도포하는 것이 아니라, 금속 산화물 나노와이어를 렌즈 표면에서 성장시킴으로써, 나노구조의 무반사층을 렌즈 표면에 형성하므로 간단하게 제작이 가능할 뿐만 아니라 렌즈의 대량생산이 가능한 효과가 있다.
Int. CL G02B 3/00 (2006.01) B82Y 30/00 (2011.01) G02B 1/11 (2006.01)
CPC G02B 1/041(2013.01) G02B 1/041(2013.01) G02B 1/041(2013.01) G02B 1/041(2013.01)
출원번호/일자 1020120154822 (2012.12.27)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2014-0084860 (2014.07.07) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 취하
심사진행상태 취하
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.12.27)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정기훈 대한민국 대전 유성구
2 정혁진 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이원희 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 성지하이츠빌딩*차 ***호 (역삼동)

최종권리자

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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2012.12.27 취하 (Withdrawal) 1-1-2012-1084318-91
2 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.01.21 불수리 (Non-acceptance) 1-1-2013-0056391-13
3 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.01.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0056470-22
4 서류반려이유통지서
Notice of Reason for Return of Document
2013.01.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2013-0011299-15
5 [반려요청]서류반려요청(반환신청)서
[Request for Return] Request for Return of Document
2013.01.31 수리 (Accepted) 1-1-2013-0094194-16
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
7 서류반려통지서
Notice for Return of Document
2013.02.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2013-0013786-96
8 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2013.08.02 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
9 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2013.08.27 수리 (Accepted) 9-1-2013-0072167-21
10 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2014.02.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0078083-52
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.04.02 수리 (Accepted) 1-1-2014-0318116-98
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.04.02 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0318117-33
13 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2014.08.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0529015-14
14 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Extension of Legal Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration)
2014.09.02 수리 (Accepted) 7-1-2014-0033534-03
15 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2014.10.06 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2014-0949890-20
16 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.10.06 수리 (Accepted) 1-1-2014-0949889-84
17 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2014.11.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0782169-59
18 [특허 등 절차 취하]취하(포기)서
[Withdrawal of Procedure such as Patent, etc.] Request for Withdrawal (Abandonment)
2014.12.18 수리 (Accepted) 1-1-2014-1231818-92
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
23 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
24 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
렌즈의 표면에 시드층을 형성하는 단계(단계 1); 및상기 단계 1에서 시드층이 형성된 렌즈를 금속 산화물 전구체 용액 속에 침지시킨 후, 이를 가열하는 단계(단계 2);를 포함하는 나노와이어 성장을 이용한 무반사 나노구조를 구비하는 렌즈의 제조방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 단계 1의 렌즈는 포토 레지스트(photo resist), 폴리머, 실리콘, 유리 및 Ⅲ-Ⅴ반도체화합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종으로 제조되는 것을 특징으로 하는 나노와이어 성장을 이용한 무반사 나노구조를 구비하는 렌즈의 제조방법
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 단계 1의 시드층은 아연, 실리콘, 니켈, ITO(Indium Tin Oxide), 주석, 금, 은, 구리 및 바나듐(Vanadium)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종의 산화물을 포함하는 것을 특징으로 하는 나노와이어 성장을 이용한 무반사 나노구조를 구비하는 렌즈의 제조방법
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 단계 1의 시드층은 10 nm 내지 200 nm 의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 나노와이어 성장을 이용한 무반사 나노구조를 구비하는 렌즈의 제조방법
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 단계 2의 금속 산화물 전구체 용액은 아연, 실리콘, 니켈, ITO(Indium Tin Oxide), 주석, 금, 은, 구리 및 바나듐(Vanadium)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종의 금속염을 포함하는 것을 특징으로 하는 나노와이어 성장을 이용한 대면적 무반사 나노구조를 구비하는 렌즈의 제조방법
6 6
제 1 항에 있어서, 상기 단계 2의 금속 산화물 전구체 용액은 환원제 및 계면활성제를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 나노와이어 성장을 이용한 무반사 나노구조를 구비하는 렌즈의 제조방법
7 7
제 1 항에 있어서, 상기 단계 2의 가열은 50 ℃ 내지 300 ℃의 온도조건에서 수행되는 것을 특징으로 하는 나노와이어 성장을 이용한 무반사 나노구조를 구비하는 렌즈의 제조방법
8 8
제 1 항의 방법으로 제조되어 표면에 금속산화물 나노와이어가 형성된 무반사 나노구조를 구비하는 렌즈
9 9
제 8 항에 있어서, 상기 무반사 나노구조는 높이, 폭 및 주기가 광파장 이하의 길이가 되도록 구비되는 것을 특징으로 하는 무반사 나노구조를 구비하는 렌즈
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 한국과학기술원 중견연구자지원사업 자연 포토닉구조의 나노공학기반 영감기술
2 교육과학기술부 한국과학기술원 나노소재기술개발사업 메타렌즈어레이기반 대면적 고속 나노리소그래피 플랫폼 개발