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에칭 알루미늄 하부기판을 사용하는Ｐ（ＶＤＦ－ＴｒＦＥ） 기반 커패시터 및Ｐ（ＶＤＦ－ＴｒＦＥ）기반 커패시터에서의 고온 안정성향상 방법

  • 기술번호 : KST2015124949
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에서는 P(VDF-TrFE)[poly(vinylidene fluoride-co-trifluoro ethylene)]박막을 포함하는 커패시터(capacitor)에서의 강유전성 분극(ferroelectric polarization)의 고온 안정성을 개선하기 위하여, 나노크기의 토포그래픽(tophographic)하며 주기적인 패턴을 갖는 에칭된 알루미늄 하부전극을 사용하는 것을 특징으로 한다. 본 발명과 같이 에칭 알루미늄 하부전극을 사용하는 경우 열적 안정성이 종래보다 약 50℃ 정도 증가하여 약 185℃의 어닐링이후에도 강유전성을 유지할 수 있다.P(VDF-TrFE), 강유전성, 에칭된 알루미늄 하부전극, 열 안정성, 결정배향
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) H01L 27/105 (2011.01)
CPC H01L 28/40(2013.01) H01L 28/40(2013.01)
출원번호/일자 1020070047670 (2007.05.16)
출원인 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0873893-0000 (2008.12.08)
공개번호/일자 10-2008-0101214 (2008.11.21) 문서열기
공고번호/일자 (20081215) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.05.16)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박철민 대한민국 서울특별시 마포구
2 강석주 대한민국 서울 서초구
3 박연정 대한민국 서울 동작구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김윤보 대한민국 서울특별시 구로구 디지털로**길 ** ***호(구로동, 삼성아이티밸리)(특허법인현)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2007.05.16 수리 (Accepted) 1-1-2007-0361114-63
2 보정요구서
Request for Amendment		 2007.05.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2007-0071581-85
3 서지사항보정서
Amendment to Bibliographic items		 2007.06.15 수리 (Accepted) 1-1-2007-0433337-59
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2007.12.17 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2008.01.11 수리 (Accepted) 9-1-2008-0000203-05
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2008.03.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0149393-47
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2008.05.16 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0346645-22
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2008.05.16 수리 (Accepted) 1-1-2008-0346646-78
9 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2008.09.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0490748-62
10 명세서 등 보정서(심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2008.10.16 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2008-0046809-50
11 등록결정서
Decision to grant		 2008.11.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0603211-85
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5252006-10
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5062749-37
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5088566-87
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5114224-78
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번호 청구항
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알루미늄 하부전극, 상기 하부전극 상에 형성되는 P(VDF-TrFE) 강유전성 박막 및 상기 P(VDF-TrFE) 강유전성박막 위에 형성되는 상부전극을 포함하여 이루어지는 커패시터에 있어서, 상기 알루미늄 하부전극으로서 토포그래픽하며 주기적인 오목반구형볼(recessed semi-spherical bowl) 형상의 나노크기 표면 구조를 갖는 에칭된 알루미늄 하부전극을 사용하며, 상기 오목반구형볼 형상의 나노크기 표면 구조로 에칭된 알루미늄 하부전극은 알루미늄 0
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삭제
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삭제
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알루미늄 하부전극, 상기 하부전극 상에 형성되는 P(VDF-TrFE) 강유전성 박막 및 상기 P(VDF-TrFE) 강유전성박막 위에 형성되는 상부전극을 포함하여 이루어지는 커패시터에 있어서, P(VDF-TrFE)의 용융온도 이상의 고온에서의 어닐링 후에도 분극 특성을 유지하기 위한 방법으로서, P(VDF-TrFE)의 용융온도에서 1차 어닐링(anealing) 하는 단계(I); P(VDF-TrFE)의 용융온도 이상에서 2차 어닐링하는 단계(II); 및 단계(II) 이후 저전압의 전기장을 가하여 주는 전기분극화(electric poling) 단계(III)를 포함하는 P(VDF-TrFE) 기반 커패시터의 고온 안정성 향상방법
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제 4 항에서, 상기 단계(I)의 어닐링 온도가 120 ~ 140℃인 것을 특징으로 하는 P(VDF-TrFE) 기반 커패시터의 고온 안정성 향상방법
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제 4 항에서, 상기 단계(III)의 전기분극화(electric poling)는, ±30V 이하의 스위핑전기장을 가하여 주는 것을 특징으로 하는 P(VDF-TrFE) 기반 커패시터의 고온 안정성 향상방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.