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잉크젯 프린팅 방법을 이용한 유기 전계효과 트랜지스터의 활성 채널층 형성방법 및 이를 이용한 유기 전계효과 트랜지스터

  • 기술번호 : KST2015135071
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 잉크젯 프린팅 방법을 이용한 유기 전계효과 트랜지스터(organic field-effect transistors, OFETs)의 활성 채널층 형성방법 및 이를 이용한 유기 전계효과 트랜지스터에 관한 것으로, 보다 상세하게는 서로 섞이지 않는 두 용액을 잉크젯 프린팅 용액으로 사용함으로써 패턴화된 채널 부위에 유기 결정(organic crystal)을 직접적으로 성장시켜 그레인 바운더리(grain boundary)로부터 자유롭고 잘 정렬된 활성 채널층을 갖는 전기적 특성이 우수한 유기 전계효과 트랜지스터에 관한 것이다. 상기한 문제점을 해결하기 위한 본 발명은, 잉크젯 프린팅 방법을 이용한 유기 전계 효과 트랜지스터의 활성 채널층 형성방법에 있어서, 드레인 전극과 소스 전극사이의 활성 채널층 형성은, 드레인 전극상에 1차 액체를 드랍하는 단계; 상기 1차 액체 위에 유기 반도체 물질이 녹아 있는 2차 액체를 드랍하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법이다. 유기 전계효과 트랜지스터, 잉크젯 프린팅 방식, 유기 결정 성장, 팁스 펜타센, 표면 개질 은전극
Int. CL H01L 29/768 (2006.01.01) H05B 33/10 (2006.01.01) B82Y 30/00 (2017.01.01)
CPC
출원번호/일자 1020080133716 (2008.12.24)
출원인 서울대학교산학협력단, 삼성전자주식회사
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2010-0075100 (2010.07.02) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 포기
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.12.09)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구
2 삼성전자주식회사 대한민국 경기도 수원시 영통구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이성훈 대한민국 서울 관악구
2 홍정표 대한민국 서울특별시 관악구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박진호 대한민국 서울특별시 송파구 송파대로 ***, 옥명빌딩 *층 (송파동)(플랜국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2008.12.24 수리 (Accepted) 1-1-2008-0889625-55
2 보정요구서
Request for Amendment
2009.01.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2009-0001874-52
3 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2009.02.06 수리 (Accepted) 1-1-2009-0075966-28
4 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2009.03.09 수리 (Accepted) 1-1-2009-0140566-83
5 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2009.04.07 수리 (Accepted) 1-1-2009-0209767-04
6 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2009.12.09 수리 (Accepted) 1-1-2009-0761111-77
7 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2011.01.17 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
8 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2011.02.18 수리 (Accepted) 9-1-2011-0010693-14
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.03.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0136147-11
10 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2011.05.11 수리 (Accepted) 1-1-2011-0347281-78
11 보정요구서
Request for Amendment
2011.05.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2011-0044752-91
12 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2011.06.13 수리 (Accepted) 1-1-2011-0445489-33
13 [출원서등 보정]보정서(납부자번호)
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment(Payer number)
2011.06.13 수리 (Accepted) 1-1-2011-0382515-22
14 보정요구서
Request for Amendment
2011.06.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2011-0055037-11
15 [출원서등 보정]보정서(납부자번호)
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment(Payer number)
2011.06.27 수리 (Accepted) 1-1-2011-0473624-13
16 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.07.11 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0531384-99
17 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.07.11 수리 (Accepted) 1-1-2011-0531386-80
18 보정요구서
Request for Amendment
2011.07.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2011-0065312-52
19 [출원서등 보정]보정서(납부자번호)
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment(Payer number)
2011.07.21 수리 (Accepted) 1-1-2011-0559416-17
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.09.27 수리 (Accepted) 4-1-2011-5195109-43
21 등록결정서
Decision to grant
2011.12.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0722735-93
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.06.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5132663-40
23 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2013-5007213-54
24 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.03.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5033829-92
25 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2015-5062924-01
26 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
27 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
28 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
잉크젯 프린팅 방법을 이용한 유기 전계 효과 트랜지스터의 활성 채널층 형성방법에 있어서, 드레인 전극과 소스 전극사이의 활성 채널층 형성은, 드레인 전극상에 1차 액체를 드랍하는 단계; 상기 1차 액체 위에 유기 반도체 물질이 녹아 있는 2차 액체를 드랍하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법
2 2
제 1항에 있어서, 상기 1차 액체의 증발속도는 상기 2차 액체의 증발속도보다 낮은 것을 특징으로 하는 방법
3 3
제 1항에 있어서, 상기 1차 액체와 2차 액체는 극성이 달라 서로 섞이지 않는 것을 특징으로 하는 방법
4 4
제 1항에 있어서, 상기 1차 액체의 밀도는 상기 2차 액체의 밀도보다 더 큰 것을 특징으로 하는 방법
5 5
제 1항 내지 제 4항의 어느 한 항에 있어서, 상기 유기 반도체 물질이 녹아 있는 2차 액체가 증발함으로써, 소스/드레인 전극사이에 유기 반도체 물질의 결정성장이 이루어지는 것을 특징으로 하는 방법
6 6
제 5항에 있어서, 상기 드레인 전극은 중심부에 원형의 드레인 전극을 형성하고, 상기 소스 전극은 드레인 전극의 둘레로 일정한 간격을 두고 환형의 소스 전극을 형성하는 것을 특징으로 하는 방법
7 7
제 1항 내지 제 4항의 어느 한 항에 있어서, 상기 채널층은 1차 액체와 2차 액체를 사용하여 채널층을 형성한 후, 상기 채널층위에 소스/드레인 전극을 형성하는 탑 컨택트 방식인 것을 특징으로 하는 방법
8 8
기판; 게이트 전극; 상기 게이트 전극과 절연된 소스 및 드레인 전극; 상기 게이트 전극과 절연되고 상기 소스 및 드레인 전극과 전기적으로 연결된 유기 반도체층; 을 포함하는 유기 전계효과 트랜지스터로서, 상기 유기반도체층의 형성은 청구항 1항 내지 청구항 6항 중의 어느 한 항의 방법에 의한 활성 채널층 형성방법에 의한 것을 특징으로 하는 유기 전계효과 트랜지스터
9 9
제 8항에 있어서, 기판과; 상기 기판상에 형성된 게이트 전극과; 상기 게이트 전극상에 형성된 게이트 절연막과; 상기 게이트 절연막 상에 패턴된 소스 전극 및 드레인 전극과; 상기 소스 전극과 드레인 전극사이에 유기 반도체 활성 채널층을 형성하는 바텀-컨택트 방식인 것을 특징으로 하는 유기 전계효과 트랜지스터
10 10
제 8항에 있어서, 상기 기판은 유리, 종이, 비결정성 실리콘, 및 플라스틱으로 이루어지는 군으로부터 선택되고, 상기 게이트 전극은 금(Au), 은(Ag), 크롬 (Cr), 알루미늄(Al), 타이타늄 (Ti), 니켈(Ni), 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W), 인듐틴산화물(ITO), 인듐징크산화물(IZO), 카본나노튜브 (carbon nanotube), 그라핀 (graphene) 및 PEDOT/PSS (polyethylenedioxythiophene/ polystyrenesulfonate)로 이루어지는 군으로부터 선택되고, 상기 소스/드레인 전극은 활성층이 p-type 인경우에는 금(Au), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 이리듐(Ir), 그라핀, 카본나노튜브 (CNT), PEDTO/PSS 같은 일함수가 높은 전극 혹은 인듐틴산화물(ITO), 인듐징크산화물(IZO), 은(Ag) 전극을 화학적인 방법으로 표면개질을 통해 일함수가 높은 전극으로 만든 것으로 이루어진 군으로 부터 선택되고, 활성층이 n-type 인 경우에는 알루미늄 (Al), 타이타늄 (Ti) 같은 일함수가 낮은 전극 혹은 인듐틴산화물(ITO), 인듐징크산화물(IZO), 은(Ag) 전극을 화학적인 방법으로 표면개질을 통해 일함수가 낮은 전극으로 만든 것으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 유기 전계 효과 트랜지스터
11 11
제 8항 내지 제 10항의 어느 한 항에 의한 유기 전계 효과 트랜지스터를 이용하여 제작되는 전자 소자
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP22153794 JP 일본 FAMILY
2 US08860008 US 미국 FAMILY
3 US20100155710 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP2010153794 JP 일본 DOCDBFAMILY
2 US2010155710 US 미국 DOCDBFAMILY
3 US8860008 US 미국 DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 서울특별시 서울대학교 산학협력재단 서울시 산학연 협력사업-기술기반구축사업 나노바이오 시스템 및 응용소재