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기판;
상기 기판 상에 형성된 하부 전지;
상기 하부 전지 상에 마련되는 중간전극; 및
상기 중간전극 상에 마련되는 상부전지를 포함하며,
상기 중간전극의 양면에는 각각 상기 하부 전지와 접하는 전자주입계면층과 상기 상부전지와 접하는 정공주입계면층이 형성된 것을 특징으로 하는 적층형 태양전지
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제 1항에 있어서, 상기 전자주입계면층은 리튬(Li), 플루오르화리튬(LiF), 루비늄카보네이트(Rb2CO3), 세슘(Cs), 세슘카보네이트(Cs2CO3), 피로닌 B(pyronin B), DMC(decamethylcobaltocene), BEDT-TTF(bis(ethylenedithio)-tetrathiafulvalene), 리튬카보네이트(Li2CO3) 및 CsN3(cesium nitride), 로다민 B(rhodamin B)로 이루어진 군에서 선택된 적어도 1종으로 이루어진 것을 특징으로 하는 적층형 태양전지
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제 1항에 있어서, 상기 정공주입계면층은 산화몰리브덴, 산화레늄, 산화텅스텐, 테트라플루오로-테트라시아노-퀴노디메탄(F4-TCNQ), 산화바나듐, 염화안티몬, 염화제2철 및 요오드화구리로 이루어진 군에서 선택된 적어도 1종으로 이루어진 것을 특징으로 하는 적층형 태양전지
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제 1항에 있어서, 상기 정공주입계면층은 중간전극의 일면을 UV-오존처리하여 형성하는 것을 특징으로 적층형 태양전지
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제 1항에 있어서, 상기 중간전극은 주석도핑산화인듐, 산화인듐아연, 산화아연, 산화티타늄, 산화인듐, 산화인듐티타늄으로 이루어진 군에서 선택된 1종으로 이루어진 투명전극인 것을 특징으로 하는 적층형 태양전지
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삭제
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기판 위에 산화인듐주석을 코팅하여 산화인듐주석층을 형성하는 단계;
산화인듐주석층 위에 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)(PEDOT)/폴리(4-스티렌설포네이트)(PSS) 고분자 층을 형성하는 단계;
상기 고분자 층 위에 폴리(3-헥시티오펜)(P3HT):PCBM 필름을 형성하는 단계;
상기 필름 위에 리튬(Li), 플루오르화리튬(LiF), 루비늄카보네이트(Rb2CO3), 세슘카보네이트(Cs2CO3)로 이루어진 군에서 선택된 적어도 1종으로 전자주입계면층을 형성하는 단계;
상기 전자주입계면층 위에 산화인듐아연을 증착하고 산화인듐아연 표면을 UV-오존 처리하는 단계; 및
프탈로시아닌구리, C60, 2,9-디메틸-4,7-디페틸-1,10-페난트롤린 및 알루미늄을 순차적으로 적층하는 단계를 포함하는 적층형 태양전지의 제조방법
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