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단일기판 광전지

  • 기술번호 : KST2015135732
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 단일기판 광전지에 관한 기술이 개시된다. 일 실시 예에 있어서, 단일기판 광전지는 반도체 영역을 갖는 기판에 집적되는 복수의 단위 광전지 셀들을 포함한다. 상기 단위 광전지 셀은 상기 반도체 영역에 집적되는 제1 광다이오드 및 상기 반도체 영역에 집적되며, 상기 제1 광다이오드를 기준 영역과 전기적으로 절연하는 절연 다이오드를 포함한다. 상기 제1 광다이오드의 음극 및 상기 절연 다이오드의 음극은 제1 노드에서 전기적으로 연결되며, 외부 광에 의하여 상기 제1 광다이오드의 양극과 전기적으로 연결되는 제2 노드와 상기 제1 노드 사이에서 제1 전압이 생성된다.
Int. CL H01L 31/05 (2014.01.01) H01L 31/0232 (2014.01.01)
CPC H01L 31/0504(2013.01) H01L 31/0504(2013.01)
출원번호/일자 1020090035002 (2009.04.22)
출원인 서울대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1056128-0000 (2011.08.04)
공개번호/일자 10-2010-0014101 (2010.02.10) 문서열기
공고번호/일자 (20110810) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020080074983   |   2008.07.31
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.04.22)
심사청구항수 21

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 권성훈 대한민국 서울 관악구
2 박영준 대한민국 서울 관악구
3 천준호 대한민국 서울특별시 관악구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 남정길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **, 인화빌딩 *층 (삼성동)(특허법인(유한)아이시스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.04.22 수리 (Accepted) 1-1-2009-0243085-61
2 보정요구서
Request for Amendment		 2009.05.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2009-0029591-81
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2009.05.11 수리 (Accepted) 1-1-2009-0281781-11
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2010.08.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2010.09.14 수리 (Accepted) 9-1-2010-0058864-04
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.02.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0077218-47
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.04.11 수리 (Accepted) 1-1-2011-0261932-09
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.04.11 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0261933-44
9 등록결정서
Decision to grant		 2011.05.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0251067-87
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.27 수리 (Accepted) 4-1-2011-5195109-43
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2013-5007213-54
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5033829-92
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2015-5062924-01
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
반도체 영역을 갖는 기판에 집적되는 복수의 단위 광전지 셀(unit photovoltaic cell)들을 포함하는 단일기판 광전지에 있어서, 상기 단위 광전지 셀은 상기 반도체 영역에 집적되는 제1 광다이오드; 및 상기 반도체 영역에 집적되며, 상기 제1 광다이오드를 기준 영역과 전기적으로 절연하는 절연 다이오드를 포함하며, 상기 제1 광다이오드의 음극 및 상기 절연 다이오드의 음극은 제1 노드에서 전기적으로 연결되며, 외부 광에 의하여 상기 제1 광다이오드의 양극과 전기적으로 연결되는 제2 노드와 상기 제1 노드 사이에서 제1 전압이 생성되며, 상기 복수의 단위 광전지 셀들 중 적어도 둘 이상의 단위 광전지 셀들은 서로 직렬 연결되고, 상기 서로 직렬 연결되는 단위 광전지 셀들 중 연속된 두 개의 단위 광전지 셀들-이하 제1 셀 및 제2 셀이라 함-은 상기 제1 셀의 상기 제1 노드 및 상기 제2 셀의 상기 제2 노드를 전기적으로 연결하여 서로 직렬 연결되고, 상기 제1 셀의 상기 절연 다이오드의 양극 및 상기 제2 셀의 절연 다이오드의 양극은 상기 기준 영역과 전기적으로 연결되는 단일기판 광전지
2 2
제1항에 있어서, 상기 반도체 영역에 집적되며, 상기 제1 광다이오드와 전기적으로 병렬 연결되는 적어도 하나의 제2 광다이오드를 더 포함하는 단일기판 광전지
3 3
삭제
4 4
삭제
5 5
제1항에 있어서, 상기 서로 직렬 연결되는 단위 광전지 셀들은 제1 단자 및 제2 단자를 포함하고, 상기 제1 단자는 상기 기준 영역과 전기적으로 연결되며, 상기 외부 광에 의하여 상기 제1 단자와 상기 제2 단자와의 사이에서 제2 전압을 생성하되, 상기 제1 단자는 상기 서로 직렬 연결되는 단위 광전지 셀들의 어느 한 끝에 위치하는 단위 광전지 셀의 상기 제1 노드이고, 상기 제2 단자는 상기 서로 직렬 연결되는 단위 광전지 셀들의 나머지 어느 한 끝에 위치하는 단위 광전지 셀의 상기 제2 노드이며, 상기 제2 전압의 절대값은 상기 서로 직렬 연결되는 상기 단위 광전지 셀들의 개수에 비례하여 커지는 단일기판 광전지
6 6
제5항에 있어서, 상기 단위 광전지 셀은 상기 외부 광에 의하여 제1 전류 및 제2 전류를 생성하되, 상기 제1 전류는 상기 제1 노드로부터 상기 제2 노드로 흐르고, 상기 제2 전류는 상기 제1 노드로부터 상기 기준 영역으로 흐르며, 상기 서로 직렬 연결되는 단위 광전지 셀들 각각은 서로 다른 크기의 상기 제1 전류 및 상기 제2 전류를 가지는 단일기판 광전지
7 7
제6항에 있어서, 상기 제2 셀의 상기 제1 전류의 크기는 상기 제1 셀의 상기 제1 전류의 크기와 상기 제1 셀의 상기 제2 전류의 크기의 합인 단일기판 광전지
8 8
반도체 영역을 갖는 기판에 집적되는 복수의 단위 광전지 셀(unit photovoltaic cell)들을 포함하는 단일기판 광전지에 있어서, 상기 단위 광전지 셀은 상기 반도체 영역에 집적되는 제1 광다이오드; 및 상기 반도체 영역에 집적되며, 상기 제1 광다이오드를 기준 영역과 전기적으로 절연하는 절연 다이오드를 포함하며, 상기 제1 광다이오드의 양극 및 상기 절연 다이오드의 양극은 제1 노드에서 전기적으로 연결되며, 외부 광에 의하여 상기 제1 광다이오드의 음극과 전기적으로 연결되는 제2 노드와 상기 제1 노드 사이에서 제1 전압이 생성되는 단일기판 광전지
9 9
제8항에 있어서, 상기 반도체 영역에 집적되며, 상기 제1 광다이오드와 전기적으로 병렬 연결되는 적어도 하나의 제2 광다이오드를 더 포함하는 단일기판 광전지
10 10
제8항에 있어서, 상기 복수의 단위 광전지 셀들 중 적어도 둘 이상의 단위 광전지 셀들은 서로 직렬 연결되는 단일기판 광전지
11 11
제10항에 있어서, 상기 서로 직렬 연결되는 단위 광전지 셀들 중 연속된 두 개의 단위 광전지 셀들-이하 제1 셀 및 제2 셀이라 함-은 상기 제1 셀의 상기 제1 노드 및 상기 제2 셀의 상기 제2 노드를 전기적으로 연결하여 서로 직렬 연결되고, 상기 제1 셀의 상기 절연 다이오드의 음극 및 상기 제2 셀의 절연 다이오드의 음극은 상기 기준 영역과 전기적으로 연결되는 단일기판 광전지
12 12
제11항에 있어서, 상기 서로 직렬 연결되는 단위 광전지 셀들은 제1 단자 및 제2 단자를 포함하고, 상기 제1 단자는 상기 기준 영역과 전기적으로 연결되며, 상기 외부 광에 의하여 상기 제1 단자와 상기 제2 단자와의 사이에서 제2 전압을 생성하되, 상기 제1 단자는 상기 서로 직렬 연결되는 단위 광전지 셀들의 어느 한 끝에 위치하는 단위 광전지 셀의 상기 제1 노드이고, 상기 제2 단자는 상기 서로 직렬 연결되는 단위 광전지 셀들의 나머지 어느 한 끝에 위치하는 단위 광전지 셀의 상기 제2 노드이며, 상기 제2 전압의 절대값은 상기 서로 직렬 연결되는 상기 단위 광전지 셀들의 개수에 비례하여 커지는 단일기판 광전지
13 13
제12항에 있어서, 상기 단위 광전지 셀은 상기 외부 광에 의하여 제1 전류 및 제2 전류를 생성하되, 상기 제1 전류는 상기 제2 노드로부터 상기 제1 노드로 흐르고, 상기 제2 전류는 상기 기준 영역으로부터 상기 제1 노드로 흐르며, 상기 서로 직렬 연결되는 단위 광전지 셀들 각각은 서로 다른 크기의 상기 제1 전류 및 상기 제2 전류를 가지는 단일기판 광전지
14 14
제13항에 있어서, 상기 제2 셀의 상기 제1 전류의 크기는 상기 제1 셀의 상기 제1 전류의 크기와 상기 제1 셀의 상기 제2 전류의 크기의 합인 단일기판 광전지
15 15
N형 불순물 반도체 영역을 갖는 기판에 집적되는 복수의 단위 광전지 셀들을 포함하는 단일기판 광전지에 있어서, 상기 단위 광전지 셀은 상기 반도체 영역 내부에 형성되며, P형 불순물 또는 N형 불순물로 도핑된 제1 웰 영역; 및 상기 제1 웰 영역 내부에 형성되며, N형 불순물로 도핑된 제2 웰 영역을 포함하는 단일기판 광전지
16 16
제15항에 있어서, 상기 제2 웰 영역 내부에 형성되며, P형 불순물로 도핑된 제3 웰 영역을 더 포함하되, 상기 제1 웰 영역과 상기 제3 웰 영역이 전기적으로 연결되는 단일기판 광전지
17 17
제15항에 있어서, 상기 단위 광전지 셀은 상기 반도체 영역 위에 배치되는 광투과성의 절연층을 더 포함하는 단일기판 광전지
18 18
제17항에 있어서, 상기 단위 광전지 셀은 상기 절연층 위에 배치되는 복수의 금속 아일랜드들(islands)을 더 포함하는 단일기판 광전지
19 19
제18항에 있어서, 상기 복수의 금속 아일랜드들은 금(Au) 또는 은(Ag)인 단일기판 광전지
20 20
제18항에 있어서, 상기 복수의 금속 아일랜드들 내부의 자유전자는 상기 반도체 영역에 입사되는 외부 광과 상호 작용을 하여 표면 플라즈몬(surface plasmon) 현상을 일으키며, 상기 표면 플라즈몬 현상에 의하여 상기 외부 광의 스펙트럼(spectrum)이 조절되는 단일기판 광전지
21 21
삭제
22 22
삭제
23 23
제15항 내지 제18항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 단위 광전지 셀은 상기 반도체 영역 위에 배치되는 선택적 광투과층-상기 선택적 광투과층은 외부의 광이 상기 반도체 영역의 일부 영역에만 선택적으로 입사되도록 함-을 더 포함하는 단일기판 광전지
24 24
제23항에 있어서, 상기 복수의 단위 광전지 셀들 중 적어도 둘 이상의 단위 광전지 셀들은 서로 직렬 연결되며, 상기 서로 직렬 연결되는 단위 광전지 셀들 중 연속된 두 개의 단위 광전지 셀들-이하 제1 셀 및 제2 셀이라 함-은 상기 제1 셀의 상기 제1 웰 영역과 상기 제2 셀의 상기 제2 웰 영역을 전기적으로 연결하여 직렬 연결되는 단일기판 광전지
25 25
제24항에 있어서, 상기 선택적 광투과층은 개구부(opening)를 가지며, 상기 단위 광전지 셀들 각각은 서로 다른 면적의 상기 개구부를 가지는 단일기판 광전지
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.