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시료 주입부, 유동용액 주입부 및 유동채널로 이루어지며, 상기 유동채널은 반응부, 분리부 및 배출부가 순차적으로 위치하여 이루어진 것으로서, 상기 분리부는 하나 이상의 나노입자 분리홀이 포함된 분리막을 포함하는 미세 유체칩
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제 1항에 있어서,상기 유동채널의 분리부는 유동채널의 하층이 오목한 홈으로 이루어져 있으며, 상기 오목한 홈은 상기 분리막으로 덮혀 있는 것을 특징으로 하는 미세 유체칩
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제 1항에 있어서,상기 분리막은 복수개의 나노입자 분리홀을 포함하는 복수개의 선형 나노입자 분리홀 집단이 지그재그 형태로 배열되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 미세유체칩
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제 2항에 있어서,상기 분리막의 상부면은 상기 유동채널의 상층으로부터 연장된 격벽과 접촉하는 것을 특징으로 하는 미세 유체칩
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제 4항에 있어서,상기 격벽은 상기 주입부를 향하는 분리막의 전단과 상기 배출부를 향하는 분리막의 후단을 제외한 분리막의 중단과 접촉하는 것을 특징으로 하는 미세 유체칩
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제 1항에 있어서,상기 나노입자 분리홀의 크기는 100nm~1000nm인 것을 특징으로 하는 미세 유체칩
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제 1항에 있어서,상기 분리막의 표면은 질화규소 막 위에 산화규소 막이 위치하여 이루어진 것을 특징으로 하는 미세 유체칩
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제 1항에 있어서,상기 나노입자 분리홀의 표면은 산화규소 막으로 이루어진 것을 특징으로 하는 미세 유체칩
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제 1항에 있어서,상기 유동채널의 반응부와 분리부 사이에 자기력 인가부가 위치하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 미세 유체칩
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제 8항에 있어서,상기 자기력 인가부와 분리부 사이에 미반응시료를 배출시키는 미반응시료 배출부가 위치하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 미세 유체칩
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1) 제 1항에 따른 미세 유체칩의 유동채널에 시료와 유동용액을 주입하는 단계;2) 상기 주입된 시료가 반응부에서 반응하여 반응물을 형성하는 단계;3) 상기 반응물은 상기 유동채널의 분리부에 존재하는 하나 이상의 나노입자 분리홀을 통과하지 못하고 검출되는 단계; 및4) 상기 검출된 반응물을 분석하는 단계;를 포함하여 제 1항에 따른 미세 유체칩을 통해 이루어지는 것을 특징으로 하는 생체물질분석방법
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제 11항에 있어서,상기 1)단계의 시료로 자성 나노입자, 생체물질 및 프로브를 주입하며, 상기 2)단계의 반응물의 형성은 상기 자성 나노입자, 생체물질 및 프로브가 반응하여 자성 나노입자-생체물질-프로브 복합체를 형성하는 것을 특징으로 하는 생체물질분석방법
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제 12항에 있어서,상기 자성 나노입자-생체물질-프로브 복합체는 상기 자성 나노입자와 결합된 수용체와 상기 프로브와 결합된 수용체가 상기 생체물질을 인식하여 형성된 자성 나노입자-생체물질-프로브 복합체인 것을 특징으로 하는 생체물질분석방법
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제 11항 또는 제 12항에 있어서,상기 2)단계와 상기 3)단계 사이에는 상기 자성 나노입자와 상기 자성나노입자-생체물질-프로브 복합체가 자기력 인가부에 의해 고정되어 수집되는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 생체물질분석방법
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제 14항에 있어서,상기 고정되어 수집되는 단계 이후에 상기 자기력 인가부에 의해 고정되지 않는 미반응시료를 미반응시료 배출부를 통해 배출하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 생체물질분석방법
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제 15항에 있어서,상기 미반응시료 배출 단계 이후에 상기 자기력 인가부의 자기력 인가를 중단하여 상기 자성 나노입자와 상기 자성 나노입자-생체물질-프로브 복합체를 상기 유동채널의 주입부에서 배출부 쪽으로 다시 이동시키는 것을 특징으로 하는 생체물질분석방법
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제 16항에 있어서,상기 자성 나노입자와 상기 자성 나노입자-생체물질-프로브 복합체가 상기 유동채널의 주입부에서 배출부 쪽으로 이동 한 후 상기 자성 나노입자는 제 10항에 따른 상기 나노입자 분리홀을 통과하지만, 상기 자성 나노입자-생체물질-프로브 복합체는 상기 나노입자 분리홀을 통과하지 못하는 것을 특징으로 하는 생체물질분석방법
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18
1) 실리콘 또는 이를 포함하는 기판에 화학기상증착(CVD, chemical vapor deposition)을 통하여 질화규소 막을 형성하는 단계; 2) 상기 1)단계 후 1~3㎛ 크기의 분리홀을 형성하는 단계; 및3) 상기 형성된 분리홀을 포함한 기판에 화학기상증착(CVD, chemical vapor deposition)을 통하여 산화규소 막을 형성하는 단계; 를 포함하는 제 1항에 따른 나노입자 분리홀이 포함된 미세 유체칩용 분리막의 제조방법
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제 18항에 있어서,상기 3)단계의 산화규소 막을 형성하기 위한 화학기상증착(CVD, chemical vapor deposition)은 분리홀의 크기가 100nm~1,000nm가 될 때까지 화학기상증착(CVD, chemical vapor deposition)하는 것을 특징으로 하는 제 1항에 따른 나노입자 분리홀이 포함된 미세 유체칩용 분리막의 제조방법
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