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증착 공정이 수행되는 내부공간을 갖는 공정 챔버(process chamber);상기 공정 챔버내에 배치된 척(chuck);상기 공정 챔버의 외부에 배치되며 상기 공정 챔버와 연결된 플라즈마 챔버를 포함하는 플라즈마 발생 수단;상기 공정 챔버에 장착된 제1 가스 공급관; 및상기 플라즈마 챔버에 장착된 제2 가스 공급관을 포함하되, 상기 플라즈마 챔버의 내부공간과 상기 공정 챔버의 내부공간은 연결구에 의해 서로 연통하는 원자층 적층 장비
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제 1 항에 있어서,상기 제2 가스 공급관을 경유하여 상기 플라즈마 챔버내로 공급된 가스는 플라즈마 상태로 변환되고, 상기 플라즈마 상태의 가스는 상기 연결구를 통하여 상기 공정 챔버내로 공급되는 원자층 적층 장비
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제 1 항에 있어서,상기 척 상부의 상기 공정 챔버내에 배치된 샤워 링(shower ring)을 더 포함하되, 상기 샤워 링은 링형태의 관으로 형성되고, 상기 샤워 링은 상기 척의 상부면을 향하는 복수개의 분사구들을 갖고, 상기 제1 가스 주입관은 상기 샤워 링의 내부 공간과 연결된 원자층 적층 장비
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제 1 항에 있어서,상기 플라즈마 발생 수단은 ECR 플라즈마 방식(Electron Cyclotron Resonance plasma method), 헬리콘 플라즈마 방식(Helicon plasma method), 유도 결합 플라즈마 방식(inductively coupled plasam method) 중에서 선택된 어느 하나의 방식으로 플라즈마를 발생시키는 원자층 적층 장비
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제 1 항에 있어서,상기 척은 상하 운동이 가능한 것을 특징으로 하는 원자층 적층 장비
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기판이 로딩되어 있는 공정 챔버내로 제1 소스 가스를 공급하는 단계;상기 공정 챔버를 제1 퍼징하는 단계;플라즈마 상태의 제2 소스 가스를 상기 공정 챔버내로 공급하여 상기 기판 상에 물질막을 형성하는 단계; 및상기 공정 챔버를 제2 퍼징하는 단계를 포함하는 반도체 소자의 형성 방법
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제 6 항에 있어서,상기 플라즈마 상태의 제2 소스 가스를 공급하는 단계는,제2 소스 가스를 플라즈마 발생 수단의 플라즈마 챔버내로 공급하는 단계;상기 플라즈마 챔버내에서 상기 제2 소스 가스를 플라즈마 상태로 변환시키는 단계; 및상기 플라즈마 상태의 제2 소스 가스를 상기 공정 챔버내로 공급하는 단계를 포함하되, 상기 플라즈마 챔버는 상기 공정 챔버의 외부에 배치되고 상기 공정 챔버와 연결되며, 상기 공정 챔버의 내부공간과 상기 플라즈마 챔버의 내부공간은 연결구에 의해 연통하는 반도체 소자의 형성 방법
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제 6 항 또는 제 7 항에 있어서,상기 물질막은 금속산화막이되,상기 제1 소스 가스는 금속 소스 가스이고, 상기 제2 소스 가스는 산소 소스 가스인 반도체 소자의 형성 방법
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제 8 항에 있어서,상기 산소 소스 가스는 산소(O2), 오존(O3), 수증기(H2O), 과산화수소(H2O2) 및 일산화질소(N2O)로 구성된 일군에서 선택된 적어도 하나인 반도체 소자의 형성 방법
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제 8 항에 있어서,상기 금속산화막 상에 게이트 전극을 형성하는 단계를 더 포함하되, 상기 금속산화막은 게이트 절연막에 포함되는 반도체 소자의 형성 방법
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제 8 항에 있어서,상기 공정 챔버내에 로딩된 기판은 스토리지 전극을 포함하되, 상기 금속산화막은 상기 스토리지 전극의 표면 상에 실질적으로 콘포말(conformal)하게 형성되는 반도체 소자의 형성 방법
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