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(a) 유기금속 소스를 공급하여 기판의 표면에 상기 유기금속 소스를 흡착시키는 단계;(b) 흡착되지 않은 유기금속 소스를 퍼지하는 단계;(c) 산소 포함 소스를 공급하여 상기 기판의 표면에 흡착된 유기금속 소스 내 금속과 반응시켜 상기 기판의 표면에 금속 산화막을 형성하는 단계; 및(d) 금속 산화막을 형성하지 않은 산소 포함 소스와 유기금속 소스 및 반응 부산물을 퍼지하는 단계를 포함하며,상기 (b) 단계와 (c) 단계 사이에 플라즈마 주입 공정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 산화막 증착 방법
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제1항에 있어서, 상기 (d) 단계 이후에 플라즈마 주입 공정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 산화막 증착 방법
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제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 플라즈마 주입 공정 다음에 불활성 가스를 이용한 퍼지 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 산화막 증착 방법
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제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 플라즈마 주입 공정은 Ar, N2, Ne, Xe, H2 및 NH3로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나의 가스를 플라즈마와 함께 주입하는 것을 특징으로 하는 금속 산화막 증착 방법
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제1항에 있어서, 상기 산소 포함 소스는 O2, O3, H2O, H2O2, N2O, CH3OH, C2H5OH, 및 C3H7OH로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는 금속 산화막 증착 방법
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제5항에 있어서, 상기 (c) 단계 개시와 동시에 또는 (c) 단계 중간에 플라즈마를 주입하는 것을 특징으로 하는 금속 산화막 증착 방법
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제5항에 있어서, 상기 산소 포함 소스와 함께 N2, H2 및 Ar로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 더 주입하는 것을 특징으로 하는 금속 산화막 증착 방법
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