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실리콘막 형성 방법

  • 기술번호 : KST2015140995
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 실리콘막의 형성과 동시에 실리콘막의 표면뿐 아니라 내부의 불완전한 결합도 안정화시킬 수 있는 방법을 제공한다. 본 발명에 따른 실리콘막 형성 방법에서는 비정질 혹은 결정질 실리콘을 증착하는 도중에 (CN)- 이온을 제공하여 실리콘막의 표면뿐 아니라 실리콘막의 내부에도 Si-CN 결합을 통한 안정화를 도모한다.
Int. CL C23C 16/36 (2006.01.01) C23C 16/455 (2006.01.01)
CPC C23C 16/36(2013.01) C23C 16/36(2013.01)
출원번호/일자 1020080015149 (2008.02.20)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2009-0089963 (2009.08.25) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.02.18)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최덕균 대한민국 서울특별시 광진구
2 김영배 대한민국 경기도 용인시 처인구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2008.02.20 수리 (Accepted) 1-1-2008-0124821-11
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.03.11 수리 (Accepted) 4-1-2008-5037763-28
3 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2013.02.18 수리 (Accepted) 1-1-2013-0141486-24
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2014.08.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0594095-69
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.10.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-1035423-18
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.10.28 수리 (Accepted) 1-1-2014-1035381-99
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
9 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2015.03.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0186329-89
10 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2015.03.31 수리 (Accepted) 1-1-2015-0315588-33
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2015.05.06 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2015-0433111-14
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.05.06 수리 (Accepted) 1-1-2015-0433110-79
13 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.05.06 수리 (Accepted) 1-1-2015-0433143-75
14 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2015.09.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0663783-05
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
증착 챔버 내에서 기판 위에 실리콘을 증착하는 도중에 (CN)- 이온을 제공하여, 실리콘막의 표면뿐만 아니라 내부에도 Si-CN 결합을 형성하는 것을 특징으로 하는 실리콘막 형성 방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 (CN)- 이온을 제공하기 위하여, KCN, HCN 혹은 (CN)2 가스를 실리콘 소스와는 독립된 주입구를 통하여 상기 증착 챔버로 넣어 주는 것을 특징으로 하는 실리콘막 형성 방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 (CN)- 이온을 제공하기 위하여, KCN, HCN 혹은 (CN)2 가스를 플라즈마 발생 장치에 통과시켜 상기 증착 챔버로 넣어주는 것을 특징으로 하는 실리콘막 형성 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.