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능동픽셀센서에 있어서,전원전압(VDD)을 갖는 제 1 노드와 제 2 노드 사이에 접속되고 게이트가 고농도로 도핑된 n+ 반도체에 접속된 PMOSFET와, 상기 제 1 노드와 제 2 노드 사이에 접속되고 게이트로 인가되는 바이어스 전압(VTX)에 의해 소스와 드레인 사이에 형성되는 채널 에너지 밴드를 변화시켜 광 감도를 변화시키는 전송 게이트를 함께 구비한 PMOSFET형 광검출기와;상기 제 2 노드와 기준전압을 갖는 제 3 노드 사이에 접속되며 게이트로 리셋 전압(VRST)이 인가되는 리셋 트랜지스터와;상기 제 1 노드 및 제 4 노드 사이에 접속되고 게이트로 상기 제 2 노드의 전압이 인가되는 셀렉트 트랜지스터와;상기 제 4 노드 및 출력 단자 사이에 접속되고 게이트로 열 선택 전압(VROW)이 인가되는 액세스 트랜지스터; 및상기 출력 단자 및 접지전압을 갖는 제 5 노드 사이에 접속되고 게이트로 바이어스 전압(Bias)이 인가되는 바이어스 트랜지스터;를 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 PMOSFET형 광검출기를 이용한 능동픽셀센서
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제 1 항에 있어서, 상기 PMOSFET형 광검출기는:p-형 반도체로 형성된 p-기판(substrate)과;상기 p-기판 내에 형성되고 n-형 반도체로 구성된 n-우물(n-well)과;상기 n-우물 내에 일정 거리로 이격되어 형성되고, 고농도로 도핑된 p+ 반도체로 구성된 소스 및 드레인과;상기 n-우물 상에 형성된 실리콘 산화막과, 상기 소스와 드레인 사이에 형성된 상기 실리콘 산화막 상에 형성되고 다결정 실리콘으로 구성된 상기 PMOSFET의 게이트와;상기 n-우물 내에 형성되고, 상기 PMOSFET의 게이트와 전기적으로 연결되며 고농도로 도핑된 n+반도체; 및상기 소스와 드레인 사이에 형성된 상기 실리콘 산화막 상에 상기 PMOSFET의 게이트와 일정 간격 이격되어 형성되고, 상기 바이어스 전압(VTX)이 게이트로 인가되며, 고농도로 도핑된 다결정 실리콘으로 구성되는 전송 게이트;를 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 PMOSFET형 광검출기를 이용한 능동픽셀센서
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 전송 게이트는:상기 바이어스 전압(VTX)이 양의 전압인 경우, 상기 PMOSFET형 광검출기의 채널 부분의 에너지 밴드를 하강시켜 광전류의 흐름을 억제하고,상기 바이어스 전압(VTX)이 음의 전압인 경우, 상기 PMOSFET형 광검출기의 채널 부분의 에너지 밴드를 상승시켜 상기 PMOSFET의 게이트를 통해 입사되는 광자의 개수에 비례하는 광전류를 발생시키는 것을 특징으로 하는 PMOSFET형 광검출기를 이용한 능동픽셀센서
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 능동픽셀센서는,상기 PMOSFET의 게이트를 통해 입사되는 광자의 개수가 많을수록 상기 전송게이트의 게이트로 상기 바이어스 전압(VTX)을 인가하는 시간을 다르게 하는 것을 특징으로 하는 PMOSFET형 광검출기를 이용한 능동픽셀센서
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