| 1 |
1
서로 다른 파장 대의 광을 수광하는 광센서가 복수의 단위 화소에 각각 구비되며, 상기 단위 화소마다 상기 수광한 광에 대한 신호를 출력하는 복수의 스위칭소자를 포함하는 화소부;상기 화소부에서 제공하는 상기 서로 다른 파장 대의 광에 대한 신호를 변환하여 출력하는 신호 변환부; 및상기 변환한 신호를 이용하여 상기 서로 다른 파장 대의 이미지를 생성해 표시하도록 제어하는 제어부;를 포함하되,상기 광센서는,제1 전극 내지 제3 전극을 포함하는 반도체 소자와, 상기 반도체 소자 상에 증착되어 일체화되는 서로 다른 증착 물질에 의해 상기 서로 다른 파장 대의 광을 각각 수광하는 것을 특징으로 하는 이미지 센싱 장치
|
| 2 |
2
제1항에 있어서,상기 증착 물질은 상기 반도체 소자 상에 단결정 또는 다결정 상태로 증착되는 것을 특징으로 하는 이미지 센싱 장치
|
| 3 |
3
제2항에 있어서,상기 증착 물질은 징크옥사이드(ZnO), 갈륨아세나이드(GaAs), 갈륨나이트라이드(GaN), 알루미늄 갈륨 나이트라이드(AlGaN) 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지 센싱 장치
|
| 4 |
4
제1항에 있어서,상기 제1 전극 내지 제3 전극은 각각 게이트, 소스 및 드레인 전극이고,상기 광센서는, 상기 제1 전극 상에 형성되는 제1 도전패턴;상기 제2 전극과 상기 증착 물질을 연결하는 제2 도전패턴; 및상기 증착 물질과 접지를 연결하는 제3 도전패턴;을더 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지 센싱 장치
|
| 5 |
5
제1항에 있어서,상기 복수의 스위칭소자는 제1 스위칭소자, 제2 스위칭소자, 및 제3 스위칭 소자를 포함하며,상기 제1 스위칭소자는 상기 광센서에 전원전압을 제공하고,상기 제2 스위칭소자 및 상기 제3 스위칭소자는 상기 광센서에 의해 검출된 신호를 상기 신호 변환부에 출력하는 것을 특징으로 하는 이미지 센싱 장치
|
| 6 |
6
제1항에 있어서,상기 신호 변환부는 아날로그의 상기 수광한 신호를 디지털 신호로 변환하여 출력하는 ADC(Analog Digital Converter)를 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지 센싱 장치
|
| 7 |
7
제1 전극, 제2 전극 및 제3 전극을 포함하는 반도체 소자;상기 반도체 소자와 일체화되어 형성되며, 서로 다른 파장 대의 광을 수광하기 위한 증착 물질을 포함하는 광 수광부; 및상기 반도체 소자의 상기 제2 전극과 상기 증착 물질을 전기적으로 접속시키고, 상기 증착 물질을 접지에 전기적으로 접속시키는 복수의 도전패턴;을포함하는 이미지 센서
|
| 8 |
8
제7항에 있어서,상기 제1 전극 내지 상기 제3 전극은 각각 게이트, 소스 및 드레인 전극이고,상기 게이트 전극 상에 형성되며, 상기 게이트 전극에 전압을 인가하기 위한 도전패턴;을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서
|
| 9 |
9
제7항에 있어서,상기 반도체 소자는 컨택홀이 형성된 보호막을 포함하며,상기 복수의 도전패턴 중 하나의 도전패턴은 상기 컨택홀을 통해 상기 제2 전극과 상기 증착 물질을 전기적으로 접속시키는 것을 특징으로 하는 이미지 센서
|
| 10 |
10
제9항에 있어서,상기 광 수광부는 수납 형상을 가지며,상기 보호막은 상기 광 수광부와 동일 재질로 일체화되어 형성되는 것을 특징으로 하는 이미지 센서
|
| 11 |
11
제7항에 있어서,상기 증착 물질은 상기 반도체 소자 상에 단결정 또는 다결정 상태로 증착되는 것을 특징으로 하는 이미지 센서
|
| 12 |
12
제9항에 있어서,상기 증착 물질은 징크옥사이드(ZnO), 갈륨아세나이드(GaAs), 갈륨나이트라이드(GaN), 알루미늄 갈륨 나이트라이드(AlGaN) 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서
|
| 13 |
13
복수의 단위 화소에 각각 구비되는 광센서가 서로 다른 파장 대의 광을 각각 수광하고, 상기 수광한 광에 대한 신호를 출력하는 단계;상기 서로 다른 파장 대의 광에 대한 신호를 수신하여 상기 수신한 신호를 변환하여 출력하는 단계; 및 상기 변환한 신호를 이용하여 상기 서로 다른 파장 대의 이미지를 생성해 표시하도록 제어하는 단계;를 포함하되,상기 서로 다른 파장 대의 광을 각각 수광하는 단계는,상기 광센서에 포함되는 제1 전극 내지 제3 전극을 포함하는 반도체 소자와, 상기 반도체 소자 상에 증착되어 일체화되는 서로 다른 증착 물질에 의해 상기 서로 다른 파장 대의 광을 각각 수광하는 것을 특징으로 하는 이미지 센싱 방법
|
| 14 |
14
제13항에 있어서,상기 단위 화소는 제1 스위칭소자 내지 제3 스위칭소자를 포함하며,상기 제1 스위칭소자의 턴-온시 상기 광센서에 전원전압이 제공되고,상기 제2 스위칭소자 및 상기 제3 스위칭소자의 턴-온시 상기 광센서에 검출된 신호가 출력되는 것을 특징으로 하는 이미지 센싱 방법
|
| 15 |
15
제14항에 있어서,상기 제2 스위칭소자 및 상기 제3 스위칭소자는 동시에 턴-온 및 턴-오프 동작하는 것을 특징으로 하는 이미지 센싱 방법
|
| 16 |
16
제13항에 있어서,상기 수신한 신호를 변환하여 출력하는 단계는,아날로그의 상기 수광한 신호를 디지털 신호로 변환하여 출력하는 것을 특징으로 하는 이미지 센싱 방법
|
| 17 |
17
제13항에 있어서, 상기 수신한 신호를 변환하여 출력하는 단계는,상기 서로 다른 파장 대별로 신호를 순차적으로 출력하는 것을 특징으로 하는 이미지 센싱 방법
|
| 18 |
18
제1 전극, 제2 전극 및 제3 전극을 포함하는 반도체 소자를 형성하는 단계;서로 다른 파장 대의 광을 수광하는 증착 물질이 포함된 광 수광부를 상기 반도체 소자 상에 일체화시켜 형성하는 단계; 및 상기 반도체 소자의 상기 제2 전극과 상기 증착 물질을 전기적으로 접속하고, 상기 증착 물질을 접지시키는 복수의 도전패턴을 형성하는 단계;를포함하는 이미지 센서의 제조 방법
|
| 19 |
19
제18항에 있어서,상기 제1 전극 내지 상기 제3 전극은 각각 게이트, 소스 및 드레인 전극이고,상기 복수의 도전패턴을 형성하는 단계는,상기 게이트 전극에 전압을 인가하는 도전패턴을 상기 게이트 전극 상에 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서의 제조 방법
|
| 20 |
20
제18항에 있어서,상기 반도체 소자를 형성하는 단계는,컨택홀이 포함된 보호막을 형성하는 단계;를 포함하며,상기 복수의 도전패턴 중 하나의 도전패턴은 상기 컨택홀을 통해 상기 제2 전극과 상기 증착 물질을 전기적으로 접속시키는 것을 특징으로 하는 이미지 센서의 제조 방법
|
| 21 |
21
제18항에 있어서,상기 광 수광부는 수납 형상을 가지며,상기 보호막은 상기 광 수광부와 동일 재질로 일체화되어 형성되는 것을 특징으로 하는 이미지 센서의 제조 방법
|
| 22 |
22
제18항에 있어서,상기 증착 물질은 상기 반도체 소자 상에 단결정 또는 다결정 상태로 증착되는 것을 특징으로 하는 이미지 센서의 제조 방법
|
