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리셋(Reset) 동작을 위한 제1 트랜지스터, 소스 플로어인 제2 트랜지스터 및 선택(Select) 동작을 위한 제3 트랜지스터를 포함하는 3-트랜지스터 타입의 능동 화소 센서 구조에 있어서,상기 제1 트랜지스터의 소스 단과 제2 트랜지스터의 게이트 단이 연결된 검출 라인에 설치되고, 외부에서 입사되는 빛을 광기전력 효과를 이용하여 검출하며, 자체 용량에 의해 제1 감도 조절을 위한 제1 선형 응답 특성을 출력하는 제1 광검출기; 상기 제1 광검출기의 외주면에 설치되고, 상기 제1 광검출기의 용량에 자체 용량이 합산되어 제2 감도 조절을 위한 제2 선형 응답 특성을 출력하는 제2 광검출기; 및 상기 검출 라인에 설치되어 동작 범위를 확장시키기 위한 로그 응답 특성을 출력하는 연속적인 트랜지스터들을 포함하는 것을 특징으로 하는 확장된 동작 범위를 갖는 3-트랜지스터 타입의 능동 화소 센서 구조
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제1항에 있어서, 상기 제1 광검출기는 P형 기판에 형성된 핀 포토다이오드이고, 제2 광검출기는 포토게이트인 것을 특징으로 하는 확장된 동작 범위를 갖는 3-트랜지스터 타입의 능동 화소 센서 구조
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제1항에 있어서, 상기 연속적인 트랜지스터들은 캐스코드(Cascode) 형태를 갖는 제4 트랜지스터 및 제5 트랜지스터이고, 상기 제4 트랜지스터 및 제5 트랜지스터는 각각 자신의 드레인과 게이트가 서로 연결된 형태인 것을 특징으로 하는 확장된 동작 범위를 갖는 3-트랜지스터 타입의 능동 화소 센서 구조
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제1항에 있어서, 상기 포토게이트는 상기 제2 선형 응답 특성을 변화시키기 위한 제1 외부 제어 전압이 인가되고, 상기 연속적인 트랜지스터들은 상기 로그 응답 특성을 변화시키기 위한 제2 외부 제어 전압이 인가되는 것을 특징으로 하는 확장된 동작 범위를 갖는 3-트랜지스터 타입의 능동 화소 센서 구조
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제4항에 있어서, 상기 제1 외부 제어 전압은 상기 제1 광검출기의 용량과 상기 제2 검출기의 용량이 합산되는 제2 선형 동작의 시작점을 조절하고, 상기 제2 외부 제어 전압은 로그 동작을 제어하는 시작점을 조절하는 것을 특징으로 하는 확장된 동작 범위를 갖는 3-트랜지스터 타입의 능동 화소 센서 구조
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제5항에 있어서, 상기 제2 외부 전압을 고정하고, 상기 제1 외부 제어 전압을 변화시키면 상기 제2 선형 응답 특성이 발생하고, 상기 제2 선형 동작의 시작점이 변경되는 것을 특징으로 하는 확장된 동작 범위를 갖는 3-트랜지스터 타입의 능동 화소 센서 구조
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제5항에 있어서, 상기 제1 외부 전압을 고정하고, 상기 제2 외부 제어 전압을 변화시키면 상기 로그 응답의 시작점이 변경되는 것을 특징으로 하는 확장된 동작 범위를 갖는 3-트랜지스터 타입의 능동 화소 센서 구조
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제5항에 있어서, 상기 제1 외부 제어 전압 또는 상기 제2 외부 제어 전압에 의한 로그 응답을 통해 이미 포화된 영역이 확장된 동작 범위로 인해 식별 가능해지는 것을 특징으로 하는 확장된 동작 범위를 갖는 3-트랜지스터 타입의 능동 화소 센서 구조
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제1항에 있어서, 상기 제1 선형 응답 특성은 고감도 선형 특성이고, 상기 제2 선형 응답 특성은 저감도 선형 특성인 것을 특징으로 하는 확장된 동작 범위를 갖는 3-트랜지스터 타입의 능동 화소 센서 구조
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