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표적으로부터 방출되는 적외선을 입력받아 영상으로 출력하기 위한 적외선 촬영 장치로서,입력받은 적외선에 반응하여 물성이 변화하는 반응층을 포함하는 반응부;상기 반응부로 측정광을 조사하도록 배치되는 광원부; 및상기 반응부를 경유한 측정광을 검출하도록 배치되는 촬영부;를 포함하고,상기 반응층은,양자점을 포함하는 나노 입자로 형성되어, 적외선을 흡수하기 위한 흡수층; 및액체 상태를 가지며, 상기 흡수층 상에 마련되어 상기 흡수층이 적외선을 흡수하는 경우 상기 흡수층에 전하를 공급하기 위한 전하 공급층;을 포함하는 적외선 촬영 장치
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청구항 1에 있어서,측정광은 가시광을 포함하고,상기 촬영부는 가시광을 전하로 변환시켜 영상으로 출력하는 이미지 센서를 포함하는 적외선 촬영 장치
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청구항 1에 있어서,상기 반응부는 유전체 및 상기 유전체 상에 마련되는 금속층을 더 포함하고,상기 반응층은 상기 금속층 상에 마련되며,상기 광원부는 상기 유전체를 경유하여 측정광을 조사하도록 배치되고,상기 촬영부는 상기 금속층으로부터 반사되는 측정광을 검출하도록 배치되는 적외선 촬영 장치
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청구항 3에 있어서,상기 광원부는, 적외선이 입력되지 않는 상태에서 측정광이 상기 금속층의 표면 플라즈몬과 공명하는 입사각으로 조사되도록 배치되는 적외선 촬영 장치
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청구항 1에 있어서,상기 양자점은 PbS 및 PbSe 중 적어도 하나를 포함하고,상기 전하 공급층은 TEA-HCl(triethanolamine-hydrochloride)을 포함하는 적외선 촬영 장치
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청구항 1에 있어서,상기 반응층은,금속 나노 입자로 형성되어, 상기 금속층과 흡수층 사이에 마련되는 전하 축적층;을 더 포함하는 적외선 촬영 장치
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표적으로부터 방출되는 적외선을, 양자점을 포함하는 나노 입자로 형성되는 흡수층 및 액체 상태를 가지며 상기 흡수층 상에 마련되는 전하 공급층을 포함하는 반응부에 입력하는 과정;상기 반응부로 측정광을 조사하는 과정;적외선에 의한 상기 반응부의 적어도 일부의 물성 변화에 따라 광량이 변화하는 측정광을 검출하는 과정; 및검출된 측정광의 광량 분포를 영상으로 출력하는 과정;을 포함하고,상기 적외선을 반응부에 입력하는 과정은,상기 흡수층이 적외선을 흡수하는 경우 상기 전하 공급층이 상기 흡수층에 전하를 공급하여 이루어지는 적외선 촬영 방법
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청구항 9에 있어서,상기 측정광을 조사하는 과정은,적외선이 입력되는 영역이 전부 중첩되는 영역으로 측정광을 조사하는 적외선 촬영 방법
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청구항 9에 있어서,상기 측정광을 검출하는 과정은,상기 반응부의 적어도 일부의 물성 변화에 따라 측정광의 반사율을 변화시키는 과정; 및반사율이 변화된 측정광을 검출하는 과정;을 포함하는 적외선 촬영 방법
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청구항 11에 있어서,상기 측정광의 반사율을 변화시키는 과정은,측정광이 조사되는 영역의 표면 플라즈몬을 변화시키는 과정;을 포함하는 적외선 촬영 방법
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