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복수의 기판; 및
상기 복수의 기판 사이에 개제되어서 상기 복수의 기판을 본딩시키고, 적어도 일부분이 드라이 필름 레지스트(DFR) 소재로 형성되는 접합부를 포함하는 것을 특징으로 하는 중합효소 연쇄반응 칩
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제 1 항에 있어서, 상기 복수의 기판은,
중합효소 연쇄반응을 수행하는 챔버가 형성되는 상부 기판; 및
가열기 및 센서가 형성되는 하부 기판을 포함하는 것을 특징으로 하는 중합효소 연쇄반응 칩
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3
제 2 항에 있어서, 상기 상부기판의 상기 챔버는,
유리 웨이퍼에 DFR 층을 형성하고 상기 챔버가 형성될 자리에 사진석판 공정을 수행한 후 상기 챔버가 형성될 자리를 마이크로 블라스터(micro blaster)를 이용해 식각함에 따라 형성되는 것을 특징으로 하는 중합효소 연쇄반응 칩
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제 3 항에 있어서, 상기 DFR 층은,
상기 챔버가 형성될 자리의 마이크로 블라스터 식각 시에 상기 챔버 형성 자리를 벗어난 자리가 식각되는 것을 차단하는 보호막인 것을 특징으로 하는 중합효소 연쇄반응 칩
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5
제 2 항에 있어서, 상기 하부 기판의 상기 가열기 및 상기 센서는,
유리 웨이퍼에 DFR 층을 형성하고 상기 가열기 및 상기 센서가 형성될 자리에 사진석판 공정을 수행한 후 상기 가열기 및 상기 센서가 형성될 자리를 마이크로 블라스터를 이용해 식각함에 따라 형성되는 것을 특징으로 하는 중합효소 연쇄반응 칩
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제 5 항에 있어서, 상기 DFR 층은,
상기 가열기 및 상기 센서가 형성될 자리의 마이크로 블라스터 식각 시에 상기 가열기 및 상기 센서 형성 자리를 벗어난 자리가 식각되는 것을 차단하는 보호막인 것을 특징으로 하는 중합효소 연쇄반응 칩
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7
제 1 항에 있어서, 상기 복수의 기판은,
센서가 형성되는 상부기판;
가열기가 형성되는 하부기판; 및
중합효소 연쇄반응을 수행하는 복수의 챔버가 형성되는 중간층을 포함하는 것을 특징으로 하는 중합효소 연쇄반응 챔버 칩
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8
제 7 항에 있어서, 상기 접합부는,
상기 상부기판, 상기 중간층 및 상기 하부기판을 상기 DFR을 이용한 폴리머 본딩을 통해 본딩시키는 것을 특징으로 하는 중합효소 연쇄반응 챔버 칩
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9
제 7 항에 있어서, 상기 접합부는,
상기 중간층 및 상기 하부기판을 상기 DFR을 이용한 폴리머 본딩을 통해 본딩시키는 것을 특징으로 하는 중합효소 연쇄반응 챔버 칩
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10
제 1 항에 있어서, 상기 복수의 기판은,
중합효소 연쇄반응을 수행하는 챔버 및 상기 중합효소 연쇄반응을 위한 반응물질이 흐를 수 있는 제1 유체채널이 형성되는 상부기판;
나노유체를 통해 상기 챔버의 열을 차단하거나 발산시키는 제2 유체채널이 형성되는 하부기판; 및
가열기 및 센서가 형성되는 중간층을 포함하는 것을 특징으로 하는 중합효소 연쇄반응 칩
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11
제 10 항에 있어서, 상기 제1 유체채널 및 상기 제2 유체채널은,
상기 제1 유체채널 및 상기 제2 유체채널을 형성하기 위한 마이크로 블라스터 식각 시에 DFR 층을 보호막으로 이용하는 것을 특징으로 하는 중합효소 연쇄반응 칩
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12
제 1 항에 있어서, 상기 복수의 기판은,
가열기 및 센서가 형성되고, 중합효소 연쇄반응을 위한 반응물질이 흐를 수 있는 제1 유체채널이 형성되는 상부기판;
상기 가열기 및 상기 센서를 수용하고 상기 중합효소 연쇄반응을 수행하는 챔버가 형성되는 중간층; 및
상기 나노유체를 통해 상기 챔버의 열을 차단하거나 발산시키는 제2 유체채널이 형성되는 하부기판을 포함하는 것을 특징으로 하는 중합효소 연쇄반응 칩
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13
제 12 항에 있어서, 상기 제1 유체채널 및 상기 제2 유체채널은,
상기 제1 유체채널 및 상기 제2 유체채널을 형성하기 위한 마이크로 블라스터 식각 시에 DFR 층을 보호막으로 이용하는 것을 특징으로 하는 중합효소 연쇄반응 칩
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14
제1 기판에 중합효소 연쇄반응을 수행하는 챔버를 형성하는 단계;
상기 제1 기판에 반응시료가 출입되는 입출구를 형성하는 단계;
제2 기판에 가열기 및 센서를 형성하는 단계; 및
드라이 필름 레지스트(DFR)를 이용하여 상기 기판들 사이를 본딩시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 중합효소 연쇄반응 칩 본딩 방법
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제 14 항에 있어서, 상기 챔버를 형성하는 단계는,
상기 제1 기판의 제1 면에 제1 DFR 층을 2중으로 형성하는 단계;
상기 제1 면에 상기 챔버가 형성될 자리가 노출된 챔버용 패턴을 형성하는 단계;
상기 챔버가 형성될 자리를 마이크로 블라스터를 이용해 식각하는 단계; 및
상기 제1 DFR 층을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 중합효소 연쇄반응 칩 본딩 방법
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16
제 14 항에 있어서, 상기 입출구를 형성하는 단계는,
상기 제1 기판의 제2 면에 제2 DFR 층을 형성하는 단계;
상기 제2 면에 입출구가 형성될 자리가 노출된 입출구용 패턴을 형성하는 단계;
상기 입출구가 형성될 자리를 마이크로 블라스터를 이용해 식각하는 단계; 및
상기 제2 DFR 층을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 중합효소 연쇄반응 칩 본딩 방법
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17
제 14 항에 있어서, 상기 가열기 및 센서를 형성하는 단계는,
상기 제2 기판의 제1 면에 백금 및 티타늄을 증착하는 단계;
상기 제 1면에 제3 DFR 층을 형성하는 단계;
가열기 및 센서가 형성될 자리가 노출된 가열기 및 센서용 패턴을 형성하는 단계;
상기 가열기 및 센서가 형성될 자리를 마이크로 블라스터를 이용해 식각하는 단계;
상기 제3 DFR 층을 제거하고 상기 백금 및 티타늄을 식각하는 단계; 및
산화층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 중합효소 연쇄반응 칩 본딩 방법
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