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종합효소 연쇄반응 챔버 칩 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2014047463
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 중합효소 연쇄반응 챔버 칩 및 그 제조방법이 개시된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 중합효소 연쇄반응 챔버 칩은 생체시료 내에 존재하는 분석물질을 수용하는 복수의 챔버 및 서로 별개의 다른 층에 형성되는 가열기 및 센서를 포함한다. 랩온어칩, 중합효소 연쇄반응(PCR), 챔버, 마이크로 블라스터, 구조체, 공기 터널, 비아 홀, 펄스 변조 방식, DFR
Int. CL C12Q 1/68 (2006.01) C12M 1/38 (2006.01) G01N 33/48 (2006.01)
CPC C12M 1/38(2013.01) C12M 1/38(2013.01) C12M 1/38(2013.01)
출원번호/일자 1020090043465 (2009.05.19)
출원인 경북대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1091988-0000 (2011.12.02)
공개번호/일자 10-2010-0124453 (2010.11.29) 문서열기
공고번호/일자 (20111209) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.05.19)
심사청구항수 21

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 경북대학교 산학협력단 대한민국 대구광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이종현 대한민국 대구광역시 남구
2 은덕수 대한민국 대구광역시 수성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박진석 대한민국 서울 서초구 청계산로 ***(신원동) 내곡드림시티* *층 ***호(리앤윤특허법률사무소)
2 유경열 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로*길 **, *층 ***호실(역삼동, 청원빌딩)(특허법인 신지)
3 천성훈 대한민국 서울특별시 서초구 마방로*길 **-**, *층(양재동, 서흥빌딩)(청신국제특허법률사무소)
4 특허법인 신지 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로*길 **, *층 ***호실(역삼동, 청원빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 경북대학교 산학협력단 대한민국 대구광역시 북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.05.19 수리 (Accepted) 1-1-2009-0298827-10
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2010.05.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2010.06.16 수리 (Accepted) 9-1-2010-0036946-34
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.03.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0139255-69
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.05.11 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0345791-05
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.05.11 수리 (Accepted) 1-1-2011-0345792-40
7 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2011.06.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0336279-75
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.07.15 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2011-0547367-31
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.07.15 수리 (Accepted) 1-1-2011-0547368-87
10 등록결정서
Decision to grant		 2011.10.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0611776-84
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.03.26 수리 (Accepted) 4-1-2018-5051994-32
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.23 수리 (Accepted) 4-1-2020-5136893-04
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
삭제
2 2
가열기를 포함하는 하부기판; 복수의 챔버를 포함하는 중간층; 및 센서를 포함하는 상부기판을 포함하며, 상기 복수의 챔버 사이에 공기 터널을 포함하는 것을 특징으로 하는 중합효소 연쇄반응 챔버 칩
3 3
제 2 항에 있어서, 상기 복수의 챔버는 내부에 열 발산제(heat-sink)를 포함하는 것을 특징으로 하는 중합효소 연쇄반응 챔버 칩
4 4
제 2 항에 있어서, 상기 중간층의 재질은 실리콘 웨이퍼인 것을 특징으로 하는 중합효소 연쇄반응 챔버 칩
5 5
제 4 항에 있어서, 상기 복수의 챔버는 미리 설정된 폭 및 간격으로 서로 이격되게 배치되어 상기 복수의 챔버 간 열 간섭을 최소화하는 것을 특징으로 하는 중합효소 연쇄반응 챔버 칩
6 6
제 4 항에 있어서, 상기 실리콘 웨이퍼는 마이크로 블라스터 에칭 공정을 통해 실리콘 구조체(mass)가 형성되는 것을 특징으로 하는 중합효소 연쇄반응 챔버 칩
7 7
제 2 항에 있어서, 상기 중간층의 재질은 열 차단을 위한 유리 웨이퍼인 것을 특징으로 하는 중합효소 연쇄반응 챔버 칩
8 8
삭제
9 9
제 2 항에 있어서, 상기 가열기 및 상기 센서를 포함하는 기판의 재질은 열 차단을 위한 유리 웨이퍼인 것을 특징으로 하는 중합효소 연쇄반응 챔버 칩
10 10
제 2 항에 있어서, 상기 복수의 챔버 간의 열 간섭을 차단하기 위해 상기 하부기판 및 상기 상부기판을 상기 중간층과 동일한 형상으로 구성하는 것을 특징으로 하는 중합효소 연쇄반응 챔버 칩
11 11
제 10 항에 있어서, 상기 하부기판, 상기 상부기판 및 상기 중간층은 공기 터널을 포함하는 동일한 형태인 것을 특징으로 하는 중합효소 연쇄반응 챔버 칩
12 12
제 2 항에 있어서, 상기 상부기판 및 하부기판에 비아 홀(via hole)을 형성하되, 상기 가열기 및 상기 센서의 배선은 상기 비아 홀을 이용한 3차원 전극 배선 구조인 것을 특징으로 하는 중합효소 연쇄반응 챔버 칩
13 13
제 12 항에 있어서, 상기 비아 홀은 마이크로 블라스터 에칭 공정을 이용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 중합효소 연쇄반응 챔버 칩
14 14
제 2 항에 있어서, 상기 중간층, 상기 하부기판 및 상기 상부기판은 드라이 필름 레지스트(Dry Film Resist)을 이용한 폴리머 본딩(Polymer Bonding)을 통해 접합되는 것을 특징으로 하는 중합효소 연쇄반응 챔버 칩
15 15
제 2 항에 있어서, 분석물질의 중합효소 연쇄반응시에 펄스값을 조절하는 펄스 변조 방식을 이용하여 정량화된 온도값을 설정함에 따라 상기 복수의 챔버가 동시에 작동 가능한 것을 특징으로 하는 중합효소 연쇄반응 챔버 칩
16 16
제 2 항에 있어서, 상기 중합효소 연쇄반응 챔버 칩은 랩온어칩(lab-on-a-chip)으로 구현되는 것을 특징으로 하는 중합효소 연쇄반응 챔버 칩
17 17
복수의 챔버 사이에 공기 터널을 포함하는 중간층이 형성되는 단계; 가열기를 포함하는 하부기판이 형성되는 단계; 센서를 포함하는 상부기판이 형성되는 단계; 및 상기 상부기판, 상기 중간층 및 상기 하부기판 중 적어도 두개가 본딩되는 단계를 포함하는 중합효소 연쇄반응 챔버 칩 제조방법
18 18
제 17 항에 있어서, 상기 복수의 챔버 사이에 공기 터널을 포함하는 중간층이 형성되는 단계는, 사진석판술을 이용하여 상기 복수의 챔버가 형성될 자리가 노출된 챔버용 패턴이 형성되는 단계; 상기 노출된 챔버가 형성될 자리가 마이크로 블라스터 에칭(micro blaster etching)되는 단계; 및 상기 챔버용 패턴이 제거되는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 중합효소 연쇄반응 챔버 칩 제조방법
19 19
제 17 항에 있어서, 상기 복수의 챔버 사이에 공기 터널을 포함하는 중간층이 형성되는 단계에서의 상기 복수의 챔버는 열 발산제(heat-sink)가 포함되는 것을 특징으로 하는 중합효소 연쇄반응 챔버 칩 제조방법
20 20
제 17 항에 있어서, 상기 복수의 챔버 사이에 공기 터널을 포함하는 중간층이 형성되는 단계는, 상기 복수의 챔버가 미리 설정된 폭 및 간격으로 서로 이격되게 배치되어 상기 복수의 챔버 간 열 간섭을 최소화하는 것을 특징으로 하는 중합효소 연쇄반응 챔버 칩 제조방법
21 21
삭제
22 22
제 17 항에 있어서, 상기 가열기를 포함하는 하부기판이 형성되는 단계 및 상기 센서를 포함하는 상부기판이 형성되는 단계는, 상기 가열기 및 상기 센서의 배선이 비아 홀(via hole)을 이용한 3차원 전극 배선 구조로 형성되는 것을 특징으로 하는 중합효소 연쇄반응 챔버 칩 제조방법
23 23
제 17 항에 있어서, 상기 상부기판, 상기 중간층 및 상기 하부기판 중 적어도 두개가 본딩되는 단계는, 상기 상부기판, 상기 중간층 및 상기 하부기판이 각각 결합되거나, 상기 중간층 및 상기 하부기판이 결합되는 것을 특징으로 하는 중합효소 연쇄반응 챔버 칩 제조방법
24 24
제 23 항에 있어서, 상기 상부기판, 상기 중간층 및 상기 하부기판의 결합 또는 상기 중간층 및 상기 하부기판의 결합시에 드라이 필름 레지스트(DFR)를 이용한 폴리머 본딩을 통해 결합되는 것을 특징으로 하는 중합효소 연쇄반응 챔버 칩 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.