| 1 |
1
가열기 및 센서를 포함하는 중간층;
상기 가열기 및 상기 센서를 수용하고 시료의 중합효소 연쇄반응을 수행하는 챔버 및 상기 중합효소 연쇄반응을 위한 반응물질이 흐를 수 있는 제1 유체채널을 포함하는 상부기판; 및
나노유체를 통해 상기 챔버의 열을 차단하거나 발산시키는 제2 유체채널을 포함하는 하부기판을 포함하는 것을 특징으로 하는 중합효소 연쇄반응 칩
|
| 2 |
2
제 1 항에 있어서,
상기 챔버는 상기 상부기판의 하부에 형성되고, 상기 가열기 및 상기 센서는 상기 중간층의 상부에 형성되는 것을 특징으로 하는 중합효소 연쇄반응 칩
|
| 3 |
3
제 1 항에 있어서, 상기 하부기판의 상기 나노유체는
상기 챔버의 가열 시에는 열을 차단하고, 냉각 시에는 열을 발산하는 것을 특징으로 하는 중합효소 연쇄반응 칩
|
| 4 |
4
제 1 항에 있어서,
상기 나노유체는 이산화티타늄(TiO2)을 포함하는 것을 특징으로 하는 중합효소 연쇄반응 칩
|
| 5 |
5
제 1 항에 있어서,
상기 중간층에 형성된 상기 가열기 및 상기 센서의 재질은 실리콘 웨이퍼인 것을 특징으로 하는 중합효소 연쇄반응 칩
|
| 6 |
6
제 1 항에 있어서,
상기 상부기판에 형성된 상기 챔버 및 상기 제1 유체채널의 재질은 상기 시료를 식별할 수 있는 유리 웨이퍼인 것을 특징으로 하는 중합효소 연쇄반응 칩
|
| 7 |
7
제 1 항에 있어서,
상기 하부기판에 형성된 상기 제2 유체채널의 재질은 실리콘 웨이퍼인 것을 특징으로 하는 중합효소 연쇄반응 칩
|
| 8 |
8
제 1 항에 있어서,
상기 하부기판의 상기 제2 유체채널은 상기 나노유체의 흐름이 원활한 챔버 형태(chamber type) 또는 굴곡형 형태(meander type)인 것을 특징으로 하는 중합효소 연쇄반응 칩
|
| 9 |
9
제 1 항에 있어서,
상기 챔버는 이방성 식각용액을 통해 식각되어 형성되는 것을 특징으로 하는 중합효소 연쇄반응 칩
|
| 10 |
10
제 1 항에 있어서,
상기 제1 유체채널 및 상기 제2 유체채널은 마이크로 블라스터(micro blaster) 공정을 통해식각되어 형성되는 것을 특징으로 하는 중합효소 연쇄반응 칩
|
| 11 |
11
제 1 항에 있어서,
상기 중간층, 상기 하부기판 및 상기 상부기판은 드라이 필름 레지스트(Dry Film Resist)을 이용한 폴리머 본딩(Polymer Bonding)을 통해 접합되는 것을 특징으로 하는 중합효소 연쇄반응 챔버 칩
|
| 12 |
12
가열기 및 센서가 형성되고, 시료의 중합효소 연쇄반응을 위한 반응물질이 흐를 수 있는 제1 유체채널을 포함하는 상부기판;
상기 가열기 및 상기 센서를 수용하고 상기 중합효소 연쇄반응을 수행하는 챔버를 포함하는 중간층; 및
나노유체를 통해 상기 챔버의 열을 차단하거나 발산시키는 제2 유체채널을 포함하는 하부기판을 포함하는 것을 특징으로 하는 중합효소 연쇄반응 칩
|
| 13 |
13
제 12 항에 있어서,
상기 가열기 및 상기 센서는 상기 상부기판의 하부에 형성되고, 상기 챔버는 상기 중간층의 상부에 형성되는 것을 특징으로 하는 중합효소 연쇄반응 칩
|
| 14 |
14
제 12 항에 있어서, 상기 하부기판의 상기 나노유체는
상기 챔버의 가열 시에는 열을 차단하고, 냉각 시에는 열을 발산하는 것을 특징으로 하는 중합효소 연쇄반응 칩
|
| 15 |
15
제 12 항에 있어서,
상기 나노유체는 이산화티타늄(TiO2)을 포함하는 것을 특징으로 하는 중합효소 연쇄반응 칩
|
| 16 |
16
제 12 항에 있어서,
상기 상부기판의 상기 제1 유체채널의 재질은 상기 시료를 식별할 수 있는 유리 웨이퍼인 것을 특징으로 하는 중합효소 연쇄반응 칩
|
| 17 |
17
제 12 항에 있어서,
상기 중간층에 형성된 상기 챔버의 재질은 실리콘 웨이퍼인 것을 특징으로 하는 중합효소 연쇄반응 칩
|
| 18 |
18
제 12 항에 있어서,
상기 하부기판에 형성된 상기 제2 유체채널은 상기 나노유체의 흐름이 원활한 챔버 형태(chamber type) 또는 굴곡형 형태(meander type)인 것을 특징으로 하는 중합효소 연쇄반응 칩
|
| 19 |
19
제 12 항에 있어서,
상기 챔버는 이방성 식각용액을 통해 식각되어 형성되는 것을 특징으로 하는 중합효소 연쇄반응 칩
|
| 20 |
20
제 12 항에 있어서,
상기 제1 유체채널 및 상기 제2 유체채널은 마이크로 블라스터(micro blaster) 공정을 통해식각되어 형성되는 것을 특징으로 하는 중합효소 연쇄반응 칩
|
| 21 |
21
제 12 항에 있어서,
상기 중간층, 상기 하부기판 및 상기 상부기판은 드라이 필름 레지스트(Dry Film Resist)을 이용한 폴리머 본딩(Polymer Bonding)을 통해 접합되는 것을 특징으로 하는 중합효소 연쇄반응 챔버 칩
|
| 22 |
22
가열기 및 센서를 포함하는 중간층이 형성되는 단계;
상기 가열기 및 상기 센서를 수용하고 시료의 중합효소 연쇄반응을 수행하는 챔버 및 상기 중합효소 연쇄반응을 위한 반응물질이 흐를 수 있는 제1 유체채널을 포함하는 상부기판이 형성되는 단계;
나노유체를 통해 상기 챔버의 열을 차단하거나 발산시키는 제2 유체채널을 포함하는 하부기판이 형성되는 단계; 및
상기 상부기판, 상기 중간층 및 상기 하부기판이 본딩되는 단계를 포함하는 중합효소 연쇄반응 칩 제조방법
|
| 23 |
23
가열기, 센서 및 시료의 중합효소 연쇄반응을 위한 반응물질이 흐를 수 있는 제1 유체채널을 포함하는 상부기판이 형성되는 단계;
상기 가열기 및 상기 센서를 수용하고 상기 중합효소 연쇄반응을 수행하는 챔버를 포함하는 중간층이 형성되는 단계;
나노유체를 통해 상기 챔버의 열을 차단하거나 발산시키는 제2 유체채널을 포함하는 하부기판이 형성되는 단계; 및
상기 상부기판, 상기 중간층 및 상기 하부기판이 본딩되는 단계를 포함하는 중합효소 연쇄반응 칩 제조방법
|
