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텐덤구조를 갖는 태양전지 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015161719
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 텐덤구조를 갖는 태양전지 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 광전 변환효율을 극대화시킬 수 있는 태양전지의 제공을 목적으로 하는 하부 태양전지 셀과 상부 태양전지 셀을 포함하는 텐덤구조를 갖는 태양전지 및 그 제조방법에 관한 것이다.본 발명의 상기 목적은 텐덤구조를 갖는 태양전지에 있어서, 세척된 n타입 실리콘 기판의 하부에 배면전극용 금속막을 형성하고, 상기 n타입 실리콘 기판의 상부를 에칭물질을 이용하여 에칭한 후, 확산로 내에서 P도펀트를 도핑하여 p타입 실리콘 층을 생성함으로써 형성되는 하부 pn접합 셀, 및 상기 하부 pn접합 셀의 상부에 TCO(i-ZnO)를 증착하고 패턴을 형성하며, 상기 패턴 상에 Al이 도핑된 ZnO(Al:Zno)를 증착하여 형성되는 n타입 투명전극층, 그리고 상기 n타입 투명전극층의 상부에 CIGS 파우더를 도포한 후, 확산로 내에서 P도펀트를 도핑하여 형성되는 p타입 CIGS 층으로 구성되며, 상기 p타입 CIGS 층의 상부에 그리드전극용 금속막이 증착된 상부 pn접합 셀을 포함하는 텐덤구조를 갖는 태양전지에 의해서 달성된다.또한, 본 발명의 다른 목적은 텐덤구조를 갖는 태양전지 제조방법에 있어서, n타입 실리콘 기판을 세척 후, 증류수로 세정하는 제1단계, 세정된 상기 n타입 실리콘 기판의 하부에 배면전극용 금속막을 스크린 프린팅(Screen Printing)하는 제2단계, 상기 배면전극용 금속막이 형성된 상기 n타입 실리콘 기판의 상부를 에칭물질을 이용하여 에칭한 후, 확산로 내에서 P도펀트를 도핑하여 p타입 실리콘 층을 생성함으로써 하부 pn접합 셀을 형성하는 제3단계, 상기 하부 pn접합 셀의 상부에 TCO(i-ZnO)를 증착하는 제4단계, 증착된 상기 TCO(i-ZnO) 상에 상기 에칭물질을 상기 스크린 프린팅하고, 증류수로 세척하여 패턴을 형성하는 제5단계, 상기 패턴 상에 Al이 도핑된 ZnO(Al:Zno)를 증착하여 상부 pn접합 셀의 n타입 투명전극층을 형성하는 제6단계, 상기 n타입 투명전극층의 상부에 CIGS 파우더를 도포한 후, 확산로 내에서 P도펀트를 도핑하여 p타입 CIGS 층을 형성하는 제7단계, 및 상기 p타입 CIGS 층의 상부에 그리드전극용 금속막을 증착하는 제8단계를 포함하는 텐덤구조를 갖는 태양전지 제조방법에 의해서도 달성된다.
Int. CL H01L 31/0687 (2012.01)
CPC H01L 31/0725(2013.01) H01L 31/0725(2013.01)
출원번호/일자 1020120006154 (2012.01.19)
출원인 경북대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1345430-0000 (2013.12.19)
공개번호/일자 10-2013-0085188 (2013.07.29) 문서열기
공고번호/일자 (20131227) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.01.19)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 경북대학교 산학협력단 대한민국 대구광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박이순 대한민국 대구 수성구
2 이은우 대한민국 대구 북구
3 이윤수 대한민국 대구 남구
4 이상문 대한민국 대구 달서구
5 김보성 대한민국 경기 수원시 영통구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박정학 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, ****호(역삼동, 아남타워)(넥스트원국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 경북대학교 산학협력단 대구광역시 북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2012.01.19 수리 (Accepted) 1-1-2012-0051176-18
2 보정요구서
Request for Amendment
2012.02.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2012-0014111-32
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2012.02.20 수리 (Accepted) 1-1-2012-0132042-21
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2013.04.05 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2013.05.08 수리 (Accepted) 9-1-2013-0033180-67
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.05.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0365883-81
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.07.29 수리 (Accepted) 1-1-2013-0684515-07
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.07.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0684561-97
9 등록결정서
Decision to grant
2013.11.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0826511-58
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.03.26 수리 (Accepted) 4-1-2018-5051994-32
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.23 수리 (Accepted) 4-1-2020-5136893-04
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
텐덤구조를 갖는 태양전지에 있어서,세척된 n타입 실리콘 기판의 하부에 배면전극용 금속막을 형성하고, 상기 n타입 실리콘 기판의 상부를 에칭물질을 이용하여 에칭한 후, 확산로 내에서 P도펀트를 도핑하여 p타입 실리콘 층을 생성함으로써 형성되는 하부 pn접합 셀; 및상기 하부 pn접합 셀의 상부에 TCO(i-ZnO)를 증착하고 패턴을 형성하며, 상기 패턴 상에 Al이 도핑된 ZnO(Al:Zno)를 증착하여 형성되는 n타입 투명전극층, 그리고 상기 n타입 투명전극층의 상부에 CIGS 파우더를 도포한 후, 확산로 내에서 P도펀트를 도핑하여 형성되는 p타입 CIGS 층으로 구성되며, 상기 p타입 CIGS 층의 상부에 그리드전극용 금속막이 증착된 상부 pn접합 셀을 포함하되, 상기 배면전극용 금속막, 상기 TCO(i-ZnO), 상기 Al이 도핑된 ZnO(Al:ZnO), 또는 상기 그리드전극용 금속막 중 어느 하나 이상은 스퍼터(Sputter), 스크린 프린터(Screen Printer), 또는 E-beam 장치 중 어느 하나를 이용하여 증착되는 텐덤구조를 갖는 태양전지
2 2
제 1 항에 있어서,상기 세척은 아세톤 또는 메탄올 중 어느 하나 이상을 사용하여 5 내지 20분간 초음파 세척하는 것을 특징으로 하는 텐덤구조를 갖는 태양전지
3 3
제 1 항에 있어서,상기 배면전극용 금속막은 알루미늄(Al)인 것을 특징으로 하는 텐덤구조를 갖는 태양전지
4 4
제 1 항에 있어서,상기 에칭물질은 질산(HNO₃) 수용액 또는 불화수소(HF) 수용액 중 어느 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 텐덤구조를 갖는 태양전지
5 5
삭제
6 6
제 1 항에 있어서,상기 그리드전극용 금속막은 몰리브덴(Mo) 또는 은(Ag) 중 어느 하나 이상인 것을 특징으로 하는 텐덤구조를 갖는 태양전지
7 7
제 1 항에 있어서,상기 그리드전극용 금속막의 증착 시, 반사방지막을 함께 형성하는 것을 특징으로 하는 텐덤구조를 갖는 태양전지
8 8
텐덤구조를 갖는 태양전지 제조방법에 있어서,n타입 실리콘 기판을 세척 후, 증류수로 세정하는 제1단계;세정된 상기 n타입 실리콘 기판의 하부에 배면전극용 금속막을 스크린 프린팅(Screen Printing)하는 제2단계;상기 배면전극용 금속막이 형성된 상기 n타입 실리콘 기판의 상부를 에칭물질을 이용하여 에칭한 후, 확산로 내에서 P도펀트를 도핑하여 p타입 실리콘 층을 생성함으로써 하부 pn접합 셀을 형성하는 제3단계; 상기 하부 pn접합 셀의 상부에 TCO(i-ZnO)를 증착하는 제4단계;증착된 상기 TCO(i-ZnO) 상에 상기 에칭물질을 상기 스크린 프린팅하고, 증류수로 세척하여 패턴을 형성하는 제5단계;상기 패턴 상에 Al이 도핑된 ZnO(Al:Zno)를 증착하여 상부 pn접합 셀의 n타입 투명전극층을 형성하는 제6단계;상기 n타입 투명전극층의 상부에 CIGS 파우더를 도포한 후, 확산로 내에서 P도펀트를 도핑하여 p타입 CIGS 층을 형성하는 제7단계; 및상기 p타입 CIGS 층의 상부에 그리드전극용 금속막을 증착하는 제8단계를 포함하되, 상기 배면전극용 금속막, 상기 TCO(i-ZnO), 상기 Al이 도핑된 ZnO(Al:ZnO), 또는 상기 그리드전극용 금속막 중 어느 하나 이상은 스퍼터(Sputter), 스크린 프린터(Screen Printer), 또는 E-beam 장치를 이용하여 증착되는 텐덤구조를 갖는 텐덤구조를 갖는 태양전지 제조방법
9 9
제 8 항에 있어서,상기 제1단계에서상기 세척은 아세톤 또는 메탄올 중 어느 하나 이상을 사용하여 5 내지 20분간 초음파 세척하는 것을 특징으로 하는 텐덤구조를 갖는 태양전지 제조방법
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제 8 항에 있어서,상기 배면전극용 금속막은 알루미늄(Al)인 것을 특징으로 하는 텐덤구조를 갖는 태양전지 제조방법
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제 8 항에 있어서,상기 에칭물질은 질산(HNO₃) 수용액 또는 불화수소(HF) 수용액 중 어느 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 텐덤구조를 갖는 태양전지 제조방법
12 12
삭제
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제 8 항에 있어서,상기 그리드전극용 금속막은 몰리브덴(Mo) 또는 은(Ag) 중 어느 하나 이상인 것을 특징으로 하는 텐덤구조를 갖는 태양전지 제조방법
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제 8 항에 있어서,상기 제8단계에서상기 그리드전극용 금속막의 증착 시, 반사방지막을 함께 형성하는 것을 특징으로 하는 텐덤구조를 갖는 태양전지 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.