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기판을 준비하는 제 1단계와;상기 기판 위에 배면 전극을 증착하는 제 2단계와;상기 배면 전극 위에 흡수 전구체를 형성하는 제 3단계와;상기 흡수 전구체 위에 흡수층을 형성하는 제 4단계와;상기 흡수층 위에 버퍼층을 형성하는 제 5단계와;상기 버퍼층 위에 윈도우층을 형성하는 제 6단계: 및상기 윈도우층 위에 전면전극을 형성하는 제 7단계를 포함하되, 상기 3단계에서 상기 흡수 전구체는 상기 배면 전극이 적층 된 기판에 삼셀레늄화이인듐(In2Se3) 분말을 도포하고 반도체 열처리 장비(DIFFUSION FURNACE)를 이용하여 100℃ 내지 200℃ 정도로 열처리를 진행 한 후 셀레늄화구리(CuSe) 분말을 도포하고 반도체 열처리 장비(DIFFUSION FURNACE)를 이용하여 100℃ 내지 200℃ 정도로 열처리를 진행 하는 것을 특징으로 하는 이원계 분말을 이용한 CIS 박막 태양전지 제조 방법
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제 1항에 있어서, 상기 1단계에서 상기 기판을 준비하는 것은 상기 기판을 아세톤으로 9분 내지 11분 동안 초음파 세척을 하고 메탄올으로 9분 내지 11분 동안 초음파 세척을 한 후 증류수로 세척하는 것을 특징으로 하는 이원계 분말을 이용한 CIS 박막 태양전지 제조 방법
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제 1항에 있어서, 상기 2단계에서 상기 배면전극은 상기 기판의 상부에 스퍼터 장비를 이용하여 몰디브덴(Mo)를 증착하는 것을 특징으로 하는 이원계 분말을 이용한 CIS 박막 태양전지 제조 방법
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제 3항에 있어서, 상기 배면 전극의 상부에 증착되는 상기 몰리브덴(Mo)은 나트륨(Na)을 포함하며 0
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제 1항에 있어서, 상기 4단계는 상기 흡수 전구체가 형성 된 기판에 반도체 열처리 장비(DIFFUSION FURNACE)를 이용하여 400℃ 내지 500℃ 정도로 열처리를 진행하는 것을 특징으로 하는 이원계 분말을 이용한 CIS 박막 태양전지 제조 방법
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제 1항에 있어서, 상기 5단계는 상기 흡수층이 형성 된 기판에 황화카드뮴(CdS)를 화학적용액증착법(Chemical bath deposition)으로 50nm 내지 70nm 두께로 코팅하는 것을 특징으로 하는 이원계 분말을 이용한 CIS 박막 태양전지 제조 방법
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제 1항에 있어서, 상기 6단계는 상기 버퍼층이 형성 된 기판에 스퍼터 장비를 이용하여 20nm 내지 80nm로 산화아연(ZnO)을 증착한 후 알루미늄(Al)이 2 중량% 도핑 된 산화아연(ZnO)을 250nm 내지 300nm 증착하는 것을 특징으로 하는 이원계 분말을 이용한 CIS 박막 태양전지 제조 방법
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제 1항에 있어서, 상기 전면전극을 형성하는 제 7단계는 마스크 패턴을 이용하여 그리드(GRID) 전극 용 금속을 스크린 인쇄기(Screen Printer) 또는 전자빔(E-beam) 장치를 이용하여 형성하는 것을 특징르로 하는 이원계 분말을 이용한 CIS 박막 태양전지 제조 방법
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