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소스 전극;상기 소스 전극과 이격된 드레인 전극;상기 소스 전극과 상기 드레인 전극 간을 전기적으로 연결하도록 제공되는 채널층;상기 채널층으로부터 절연되어 제공되는 게이트 전극; 및상기 채널층 상의 액정층을 포함하며,상기 액정층은 상기 채널층과 직접적으로 접촉되도록 형성되는 감지 디바이스
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제1 항에 있어서,상기 액정층은 물리적 자극에 따라 분자 배향이 변화되는 액정 분자들을 포함하는 감지 디바이스
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제2 항에 있어서,상기 물리적 자극은 상기 액정층의 표면에 가해지는 자극인 감지 디바이스
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제2 항에 있어서,상기 채널층을 통해 상기 드레인 전극과 상기 소스 전극 간에 흐르는 전류 값은 상기 물리적 자극의 세기에 따라 가변적인 감지 디바이스
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제2 항에 있어서,상기 채널층의 유도 전하 밀도는 상기 액정층의 분자 배향 변화에 따라 변화하는 감지 디바이스
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제5 항에 있어서,상기 물리적 자극에 따라 상기 채널층의 상기 액정층과 접촉하는 상부 영역에서의 유도 전하 밀도가 증가하는 감지 디바이스
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제2 항에 있어서,상기 드레인 전극과 상기 소스 전극 간에 흐르는 전류 값에 기초하여 상기 물리적 자극의 세기를 검출하는 검출부를 더 포함하는 감지 디바이스
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제7 항에 있어서,상기 드레인 전극과 상기 소스 전극 간의 전압 및 상기 드레인 전극과 상기 게이트 전극 간의 전압은 미리 설정된 값으로 유지되는 감지 디바이스
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제1 항에 있어서,상기 액정층은 네마틱(nematic) 액정 분자들을 포함하는 감지 디바이스
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제1 항에 있어서,상기 액정층과 상기 채널층은 서로 간에 분리된 층으로 형성되는 감지 디바이스
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제10 항에 있어서,상기 액정층은 상기 채널층의 상면에 직접 접촉하는 감지 디바이스
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제1 항에 있어서,상기 채널층은 유기 반도체층을 포함하는 감지 디바이스
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제1 항에 있어서,상기 채널층은 무기 반도체층을 포함하는 감지 디바이스
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기판;상기 기판 상에 형성되는 게이트 전극;상기 게이트 전극 상에 형성되는 절연층;상기 절연층 상에 형성되는 채널층;상기 채널층에 전기적으로 연결되는 소스 전극과 드레인 전극; 및상기 채널층 상에 형성되는 액정층을 포함하며,상기 채널층의 상면은, 상기 소스 전극과 상기 드레인 전극의 상면보다 낮고, 상기 소스 전극과 상기 드레인 전극의 하면보다 높은 감지 디바이스
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기판;상기 기판 상에 형성되는 게이트 전극;상기 게이트 전극 상에 형성되는 절연층;상기 절연층 상에 형성되는 채널층;상기 채널층에 전기적으로 연결되는 소스 전극과 드레인 전극; 및상기 채널층 상에 형성되는 액정층을 포함하며,상기 채널층은 상기 소스 전극과 상기 드레인 전극을 덮도록 형성되는 감지 디바이스
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제1 항 내지 제15 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 액정층 상에 형성되는 보호층을 더 포함하는 감지 디바이스
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제16 항에 있어서,상기 보호층은 폴리머 필름을 포함하는 감지 디바이스
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기판;상기 기판 상에 이격되어 형성되는 소스 전극과 드레인 전극;상기 기판 상에서 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극에 전기적으로 연결되도록 형성되는 채널층;상기 채널층의 제1 영역 상에 형성되는 절연층;상기 절연층 상에 형성되는 게이트 전극; 및상기 채널층의 제2 영역 상에 형성되는 액정층을 포함하는 감지 디바이스
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제18 항에 있어서,상기 액정층 상에 형성되는 보호층을 더 포함하는 감지 디바이스
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기판 상에 게이트 전극을 형성하는 것;상기 게이트 전극 상에 절연층을 형성하는 것;상기 절연층 상에 소스 전극과 드레인 전극을 형성하는 것;상기 절연층 상에 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극에 전기적으로 연결되도록 채널층을 형성하는 것; 및상기 채널층 상에 액정층을 형성하는 것을 포함하며,상기 액정층을 형성하는 것은, 상기 채널층에 직접적으로 접촉되도록 상기 액정층을 형성하는 감지 디바이스의 제조 방법
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제20 항에 있어서,상기 액정층은 물리적 자극에 따라 분자 배향이 변화되는 액정 분자들을 포함하는 감지 디바이스의 제조 방법
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제20 항에 있어서,상기 액정층을 형성하는 것은, 상기 채널층의 상면에 직접 접촉되도록 상기 액정층을 형성하는 감지 디바이스의 제조 방법
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제20 항 내지 제22 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 액정층 상에 보호층을 형성하는 것을 더 포함하는 감지 디바이스의 제조 방법
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제1 항 내지 제15 항 중 어느 한 항에 기재된 감지 디바이스를 이용하여 물리적 자극을 감지하는 물리적 자극 감지 방법으로서,상기 액정층의 표면에 가해지는 물리적 자극에 따라 변화되는 상기 드레인 전극과 상기 소스 전극 간의 전류 값을 검출하는 것; 및상기 전류 값에 기초하여 상기 물리적 자극을 감지하는 것을 포함하며,상기 액정층은 상기 채널층과 직접적으로 접촉되도록 형성되는 물리적 자극 감지 방법
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제24 항에 있어서,상기 드레인 전극과 상기 소스 전극 간의 전압 및 상기 드레인 전극과 상기 게이트 전극 간의 전압을 미리 설정된 값으로 유지하는 것을 더 포함하는 물리적 자극 감지 방법
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제1 항 내지 제15 항 중 어느 한 항에 기재된 감지 디바이스를 이용하여 물리적 자극을 감지하는 물리적 자극 감지 방법으로서,상기 액정층의 표면에 가해지는 물리적 자극에 따라 변화되는 상기 드레인 전극과 상기 소스 전극 간의 전류 값을 검출하는 것; 및상기 전류 값에 기초하여 상기 물리적 자극을 감지하는 것을 포함하며,상기 물리적 자극을 감지하는 것은, 0(sccm) 초과, 2(sccm) 이하의 미세 물리적 자극을 감지하는 물리적 자극 감지 방법
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제16 항에 기재된 감지 디바이스를 이용하여 물리적 자극을 감지하는 물리적 자극 감지 방법으로서,상기 보호층의 표면에 가해지는 물리적 자극에 따라 변화되는 상기 드레인 전극과 상기 소스 전극 간의 전류 값을 검출하는 것; 및상기 전류 값에 기초하여 상기 물리적 자극을 감지하는 것을 포함하며,상기 액정층은 상기 채널층과 직접적으로 접촉되도록 형성되는 물리적 자극 감지 방법
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제27 항에 있어서,상기 드레인 전극과 상기 소스 전극 간의 전압 및 상기 드레인 전극과 상기 게이트 전극 간의 전압을 미리 설정된 값으로 유지하는 것을 더 포함하는 물리적 자극 감지 방법
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