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다공질실리콘을이용한반도체장치의제조방법
- 기술번호 : KST2015223574
- 담당센터 : 대구기술혁신센터
- 전화번호 : 053-550-1450
| 요약 | 본 발명의 다공질실리콘을 이용한 실리콘 다이아프램의 제조방법은 N형 실리콘기판을 제조하는 단계와: 상기 실리콘 기판에 n+불순물을 확산시켜 상기 기판의 소정의 부분에 n+ 확산영역을 형성하는 단계와: n+형 실리콘 에피택셜층을 성장시키는 단계와: 상기 n+형 실리콘 에피택셜층에 통공(through-hole)을 형성하여 상기 n+확산영역중 소정부분을 노출시키는 단계와: 불산(HF)용액에서 양극반응을 수행하여 상기 n+확산영역을 다공질실리콘층으로 만드는 단계와: 상기 다공질실리콘층을 에칭하여 에어-갭을 형성하는 단계 및 상기 통공을 밀봉하는 단계를 포함한다. |
|---|---|
| Int. CL | H01L 29/84 (2006.01) |
| CPC | |
| 출원번호/일자 | 1019940032959 (1994.12.06) |
| 출원인 | 대한민국경북대학교센서기술연구소, 만도기계 주식회사 |
| 등록번호/일자 | 10-0155141-0000 (1998.07.13) |
| 공개번호/일자 | 10-1995-0020963 (1995.07.26) |
| 공고번호/일자 | |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 | |
| 법적상태 | 소멸 |
| 심사진행상태 | |
| 심판사항 | |
| 구분 | |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | |
| 심사청구항수 | 0 |