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벌크 실리콘 스트레인 게이지, 물리 센서 및 벌크 실리콘 스트레인 게이지의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015161968
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 벌크 실리콘 스트레인 게이지의 제조 방법이 개시된다. 본 벌크 실리콘 스트레인 게이지의 제조 방법은, 실리콘 웨이퍼 상에 기설정된 패턴을 형성하는 단계, 형성된 패턴 이외의 실리콘 웨이퍼의 상부 영역을 기결정된 두께만큼 식각하는 단계, 식각되지 않은 실리콘 웨이퍼의 상부 영역 중 기설정된 영역에 전극을 형성하는 단계, 실리콘 웨이퍼의 상부 영역을 폴리머로 코팅하는 단계, 식각되지 않은 실리콘 웨이퍼의 상부 영역만 잔류하도록 실리콘 웨이퍼의 하부 영역을 식각하는 단계, 및 잔류된 실리콘 웨이퍼의 하부 영역을 폴리머로 코팅하여 몰딩하는 단계를 포함한다.
Int. CL H01L 29/84 (2006.01) G01L 9/04 (2006.01) G01B 7/16 (2006.01)
CPC G01L 9/0054(2013.01) G01L 9/0054(2013.01) G01L 9/0054(2013.01)
출원번호/일자 1020120023042 (2012.03.06)
출원인 경북대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1380282-0000 (2014.03.26)
공개번호/일자 10-2013-0101919 (2013.09.16) 문서열기
공고번호/일자 (20140402) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.03.06)
심사청구항수 16

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 경북대학교 산학협력단 대한민국 대구광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최시영 대한민국 대구 동구
2 문영순 대한민국 대구 수성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이현수 대한민국 서울특별시 마포구 백범로 ***(신공덕동) 메트로디오빌빌딩 ****호(이현수상표특허법률사무소)
2 정홍식 대한민국 서울시 서초구 강남대로 *** 신덕빌딩 *층(나우특허법률사무소)
3 김태헌 대한민국 서울시 서초구 강남대로 *** 신덕빌딩 *층(나우특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 경북대학교 산학협력단 대구광역시 북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.03.06 수리 (Accepted) 1-1-2012-0183165-12
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2012.12.21 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.01.09 수리 (Accepted) 9-1-2013-0000800-15
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.03.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0211395-90
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.05.28 불수리 (Non-acceptance) 1-1-2013-0474861-64
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.05.28 수리 (Accepted) 1-1-2013-0474860-18
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.05.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0474863-55
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.05.28 수리 (Accepted) 1-1-2013-0474862-10
9 서류반려이유통지서
Notice of Reason for Return of Document		 2013.06.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2013-0062887-36
10 서류반려통지서
Notice for Return of Document		 2013.06.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2013-0065710-90
11 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2013.10.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0742287-77
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.11.29 수리 (Accepted) 1-1-2013-1096172-82
13 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2013.11.29 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2013-1096182-38
14 등록결정서
Decision to Grant Registration		 2013.12.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0896897-29
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.03.26 수리 (Accepted) 4-1-2018-5051994-32
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.23 수리 (Accepted) 4-1-2020-5136893-04
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
벌크 실리콘 스트레인 게이지의 제조 방법에 있어서, 실리콘 웨이퍼 상에 기설정된 패턴을 형성하는 단계;상기 형성된 패턴 이외의 실리콘 웨이퍼의 상부 영역을 기결정된 두께만큼 식각하는 단계;식각되지 않은 실리콘 웨이퍼의 상부 영역 중 기설정된 영역에 전극을 형성하는 단계;상기 실리콘 웨이퍼의 상부 영역을 폴리머로 코팅하는 단계;상기 식각되지 않은 실리콘 웨이퍼의 상부 영역만 잔류하도록 상기 실리콘 웨이퍼의 하부 영역을 식각하는 단계; 및상기 잔류된 실리콘 웨이퍼의 하부 영역을 폴리머로 코팅하여 몰딩하는 단계;를 포함하는 벌크 실리콘 스트레인 게이지의 제조 방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 기결정된 두께는 5 내지 20㎛인 것을 특징으로 하는 벌크 실리콘 스트레인 게이지의 제조 방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 기설정된 패턴은 {100} 결정면의 주 표면을 갖는 것을 특징으로 하는 벌크 실리콘 스트레인 게이지의 제조 방법
4 4
제1항에 있어서, 상기 상부 영역을 식각하는 단계는, 실리콘 웨이퍼의 상부 영역의 측벽이 경사를 가지도록 상기 실리콘 웨이퍼의 상부 영역을 식각하는 것을 특징으로 하는 벌크 실리콘 스트레인 게이지의 제조 방법
5 5
제1항에 있어서, 상기 상부 영역을 폴리머로 코팅하는 단계는, 상기 실리콘 웨이퍼의 상부 영역에 폴리머를 도포하는 단계;상기 형성된 전극 상부의 도포된 폴리머를 제거하는 단계; 및상기 실리콘 웨이퍼 상부의 폴리머를 평탄화하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 벌크 실리콘 스트레인 게이지의 제조 방법
6 6
제1항에 있어서, 상기 하부 영역을 식각하는 단계는, CMP(Chemical-Mechanical Planarization) 공정을 이용하여 상기 실리콘 웨이퍼의 하부 영역을 1차 식각하는 단계; 및습식 식각 공정을 이용하여, 상기 식각되지 않은 실리콘 웨이퍼의 상부 영역만 잔류하도록 상기 실리콘 웨이퍼의 하부 영역을 2차 식각하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 벌크 실리콘 스트레인 게이지의 제조 방법
7 7
제1항에 있어서, 상기 하부 영역을 식각하기 전에, 폴리머로 코팅된 실리콘 웨이퍼의 상부 영역에 보조 웨이퍼를 라미네이팅하는 단계; 및상기 하부 영역을 폴리머로 코팅하여 몰딩한 후에, 상기 라미네이팅된 보조 웨이퍼를 분리하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 벌크 실리콘 스트레인 게이지의 제조 방법
8 8
제7항에 있어서, 상기 보조 웨이퍼는 글라스 웨이퍼인 것을 특징으로 하는 벌크 실리콘 스트레인 게이지의 제조 방법
9 9
제7항에 있어서, 상기 보조 웨이퍼를 라미네이팅하는 단계는, 광경화성접착제를 이용하여 상기 폴리머로 코팅된 실리콘 웨이퍼와 보조 웨이퍼를 자외선 경화하는 것을 특징으로 하는 벌크 실리콘 스트레인 게이지의 제조 방법
10 10
제1항에 있어서, 상기 하부 영역을 폴리머로 몰딩하는 단계는, 5 내지 20㎛의 두께로 상기 하부 영역에 폴리머를 도포하여, 상기 하부 영역을 폴리머로 몰딩하는 것을 특징으로 하는 벌크 실리콘 스트레인 게이지의 제조 방법
11 11
벌크 실리콘 스트레인 게이지에 있어서, 기설정된 두께를 갖는 단결정 실리콘 박막; 상기 단결정 실리콘 박막의 기설정된 영역 상부에 형성되는 전극부; 및상기 전극부가 형성된 영역을 제외한 상기 단결정 실리콘 박막의 상부, 하부 및 측면을 둘러싸며, 단일 물질의 폴리머로 구성된 것인 몰딩부;를 포함하는 벌크 실리콘 스트레인 게이지
12 12
제11항에 있어서, 상기 벌크 실리콘 스트레인 게이지는, 복수의 단결정 실리콘 박막을 포함하는 것을 특징으로 하는 벌크 실리콘 스트레인 게이지
13 13
제11항에 있어서, 상기 단결정 실리콘 박막의 압저항 패턴은 웨이퍼의 배경 농도에 따라 병렬 패턴 또는 직렬 패턴인 것을 특징으로 하는 벌크 실리콘 스트레인 게이지
14 14
벌크 실리콘 스트레인 게이지에 있어서, 기설정된 두께의 등각사다리꼴 형태의 단면을 갖는 단결정 실리콘 박막;상기 단결정 실리콘 박막을 몰딩하는 몰딩부; 및상기 단결정 실리콘 박막의 기설정된 영역 상부에 형성되는 전극부;를 포함하는 벌크 실리콘 스트레인 게이지
15 15
삭제
16 16
제11항에 있어서, 상기 기설정된 두께는 5 내지 20㎛인 것을 특징으로 하는 벌크 실리콘 스트레인 게이지
17 17
삭제
18 18
물리 센서에 있어서, 힘에 의해 변형되는 탄성부; 및상기 탄성부가 변형되는 영역에 배치되며, 상기 탄성부의 변형 정도에 따라 저항값이 변화하는 벌크형 압저항;을 포함하고, 상기 벌크형 압저항은,기설정된 두께를 갖는 단결정 실리콘 박막; 상기 단결정 실리콘 박막의 기설정된 영역 상부에 형성되는 전극부; 및 상기 전극부가 형성된 영역을 제외한 상기 단결정 실리콘 박막의 상부, 하부 및 측면을 둘러싸며, 단일 물질의 폴리머로 구성된 것인 몰딩부;를 포함하는 물리 센서
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.