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변압기 절연유중의 수소가스를 감시하는 저 드래프트 피디/엔아이씨알 엠아이에스에프이티형 센서

  • 기술번호 : KST2015224952
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 변압기 절연유중의 수소가스를 감시하는 저 드래프트 Pd/NiCr MISFET형 센서에 관한 것으로써 제 1 도전형의 반도체기판과; 상기 반도체기판에 형성된 매몰산화층과; 상기 매몰산화층의 상부에 의해 상기 반도체기판과 전기적으로 절연되도록 형성된 제 1 도전형의 반도체 층과; 상기 반도체 층의 소정 부분에 소정거리 이격되어 제 2 도전형의 불순물이 고농도로 도핑되어 형성된 제 1 소오스 및 제 1 드레인, 상기 제 1 소오스와 제 1 드레인 사이의 상기 반도체 층의 상부에 연속해서 형성된 제 1 하부 및 제 1 상부 게이트절연층, 상기 제 1 상부 게이트절연층의 상부에 형성된 제 1 하부 및 제 1 상부 게이트금속을 갖는 센싱 트랜지스터와; 상기 반도체 층의 소정 부분에 소정거리 이격되어 제 2 도전형의 불순물이 고농도로 도핑되어 형성된 제 2 소오스 및 제 2 드레인, 상기 제 2 소오스와 제 2 드레인 사이의 상기 반도체층의 상부에 연속해서 형성 하부 및 제 2 상부 게이트절연층, 상기 제 2 상부 게이트절연층의 상부에 형성된 제 2 하부 및 제 2 상부 게이트금속을 갖는 레퍼런스 트랜지스터와; 상기 반도체 층의 센싱 트랜지스터와 레퍼런스 트랜지스터 사이에 제 2 도전형의 고농도로 도핑되어 형성된 다이오드와; 상기 반도체층의 소정 부분에 상기 센싱 트랜지스터와 레퍼런스 트랜지스터의 주위를 에워싸도록 제 2 도전형의 불순물이 고농도로 연결되게 형성되어 형성된 히터와; 상기 센싱 트랜지스터, 레퍼런스 트랜지스터, 다이오드 및 히터 각각의 소자를 전기적으로 분리하도록 상기 소자들 사이에 상기 매몰산화층과 연격되게 형성된 소자분리영역을 구비한다.따라서, 구조가 간단하기 때문에 유지보수가 용이하고, 그 특성이 안정되어 정밀한 수소 농도의 측정이 가능하며, 지속적으로 수소 농도를 측정할 수 있기 때문에 실시간 원거리에서의 감시가 가능하고, 또한 가격면에 있어서도 매우 저렴함은 물론 대량생산이 가능하다.
Int. CL G01N 27/26 (2006.01.01) H01L 29/84 (2006.01.01) H01L 29/66 (2006.01.01) H01L 21/02 (2006.01.01)
CPC G01N 27/26(2013.01) G01N 27/26(2013.01) G01N 27/26(2013.01) G01N 27/26(2013.01) G01N 27/26(2013.01)
출원번호/일자 1019970057553 (1997.11.01)
출원인 한국전력공사, 주식회사 서미트, 대한민국(경북대학교 총장)
등록번호/일자 10-0258064-0000 (2000.03.08)
공개번호/일자 10-1999-0037986 (1999.06.05) 문서열기
공고번호/일자 (20000601) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1997.11.01)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전력공사 대한민국 전라남도 나주시
2 주식회사 서미트 대한민국 인천광역시 연수구
3 대한민국(경북대학교 총장) 대한민국 대구광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이태원 대한민국 대전광역시 유성구
2 남창현 대한민국 대전광역시 서구
3 김병선 대한민국 서울특별시 양천구
4 최경화 대한민국 대전광역시 유성구
5 최시영 대한민국 대구광역시 남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이화익 대한민국 서울시 강남구 테헤란로*길** (역삼동,청원빌딩) *층,***,***호(영인국제특허법률사무소)
2 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 서미트 대한민국 인천광역시 남동구
2 경북대학교산학협력단 대구광역시 북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원심사청구서
Request for Examination		 1997.11.01 수리 (Accepted) 1-1-1997-0181847-74
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.11.01 수리 (Accepted) 1-1-1997-0181846-28
3 특허출원서
Patent Application		 1997.11.01 수리 (Accepted) 1-1-1997-0181845-83
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.09.01 수리 (Accepted) 4-1-1999-0113412-16
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.10.04 수리 (Accepted) 4-1-1999-0124000-77
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.10.05 수리 (Accepted) 4-1-1999-0124229-14
7 등록사정서
Decision to grant		 1999.12.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1999-0374182-18
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2001-0141382-18
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2007.10.16 수리 (Accepted) 4-1-2007-5156605-02
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.05 수리 (Accepted) 4-1-2011-5181240-44
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.16 수리 (Accepted) 4-1-2014-5153448-46
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.07.09 수리 (Accepted) 4-1-2019-5136129-26
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.07.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5136893-80
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.03.27 수리 (Accepted) 4-1-2020-5072225-46
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

제 1 도전형의 반도체기판과;

상기 반도체기판에 형성된 매몰산화층, 상기 매몰산화층의 상부에 상기 반도체기판과 전기적으로 절연되도록 형성된 제 1 도전형의 반도체층과;

상기 반도체층의 소정부분에 소정거리 이격되어 제 2 도전형의 불순물이 고농도로 도핑되어 형성된 제 1 소오스 및 제 1 드레인, 상기 제 1 소오스와 제 1 드레인 사이의 상기 반도체층의 상부에 연속해서 형성된 제 1 하부 및 제 1 상부 게이츠절연층, 상기 제 1 상부 게이트절연층의 상부에 형성된 제 1 하부 및 제 1 상부 게이트금속을 갖는 센싱 트랜지스터와;

상기 반도체층의 소정부분에 소정거리 이격되어 제 2 도전형의 불순물이 고농도로 도핑되어 형성된 제 2 소오스 및 제 2 드레인, 상기 제 2 소오스와 제 2 드레인 사이의 상기 반도체층의 상부에 연속해서 형성된 제 2 하부 및 제 2 상부 게이트절연층, 상기 제 2 상부 게이트절연층의 상부에 형성된 제 2 하부 및 제 2 상부 게이트금속을 갖는 레퍼런스 트랜지스터와;

상기 반도체층의 센싱 트랜지스터와 레퍼런스 트랜지스터 사이에 제 2 도전형의 고농도로 도핑되어 형성된 다이오드와;

상기 반도체층의 소정부분에 상기 센싱 트랜지스터와 레퍼런스 트랜지스터의 주위를 에워싸도록 제 2 도전형의 불순물이 고농도로 연결되게 형성되어 형성된 히터와;

상기 센싱 트랜지스터, 레퍼런스 트랜지스터, 다이오드 및 히터 각각의 소자를 전기적으로 분리하도록 상기 소자들 사이에 상기 매몰산화층과 연결되게 형성된 소자분리영역을 구비하는 변압기 절연유내의 수소가스를 감지하는 저 드래프트 Pd/NiCr MISFET형 센서

2 2

제 1 항에 있어서,

상기 센싱 트랜지스터의 제 1 하부 게이트금속이 NiCr으로 이루어지고, 제 1 상부 게이트금속이 파라듐(Pd)으로 이루어지는 변압기 절연유내의 수소가스를 감시하는 저 드래프트 Pd/NiCr MISFET형 센서

3 3

제 1 항 또는 제 2항에 있어서,

상기 제 1 상부 게이트금속의 상부에 절연유의 접촉에 의한 소자의 열화를 방지하는 다공성 멤브레인층이 형성된 변압기 절연유중의 수소가스를 감시하는 저 드래프트 Pd/NiCr MISFET형 센서

4 4

제 1 항에 있어서,

상기 제 1 및 제 2 하부 게이트절연층이 SiO2로 이루어지고, 제 1 및 제 2 상부 게이트절연층이 Si3N4로 이루어지는 변압기 절연유중의 수소가스를 감시하는 저 드래프트 Pd/NiCr MISFET형 센서

5 5

제 1 항에 있어서,

상기 소자분리영역이 산화막으로 이루어진 변압기 절연유중의 수소가스를 감시하는 저 드래프트 Pd/NiCr MISFET형 센서

6 6

제 1 항에 있어서,

상기 소자분리영역이 식각영역으로 이루어진 변압기 절연유중의 수소가스를 감시하는 저 드래프트 Pd/NiCr MISFET형 센서

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.