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플래시 메모리 시스템 동작 방법(OPERATING METHOD OF FLASH MEMORY SYSTEM)

  • 기술번호 : KST2016012368
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 기술은 플래시 메모리 시스템 동작 방법에 있어서, 블록 단위 연접 BCH(BLOCK-WISE CONCATENATED BCH, BC-BCH) 방식에 의해 행 부호와 열 부호로 구성되는 메시지 블록단위로 부호화되어 메모리 장치에 저장된 데이터에 대하여 경판정 복호를 수행하는 제1단계 상기 경판정 복호를 실패한 경우, 상기 데이터의 메시지 블록들 중에서 오류를 포함하는 메시지 블록에 대해 준거 전압을 산출하는 제2단계 및 상기 산출된 준거 전압을 이용하여 연판정 복호를 수행하는 제3단계를 포함할 수 있다.
Int. CL G11C 29/44 (2006.01.01) G11C 29/52 (2006.01.01) G11C 29/02 (2006.01.01) G11C 29/12 (2015.01.01) G11C 29/50 (2006.01.01) G11C 16/02 (2006.01.01)
CPC G11C 29/44(2013.01) G11C 29/44(2013.01) G11C 29/44(2013.01) G11C 29/44(2013.01) G11C 29/44(2013.01) G11C 29/44(2013.01)
출원번호/일자 1020140184378 (2014.12.19)
출원인 에스케이하이닉스 주식회사, 한국과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2016-0075001 (2016.06.29) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2019.12.19)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 에스케이하이닉스 주식회사 대한민국 경기도 이천시
2 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 하정석 대한민국 대전광역시 유성구
2 김대성 대한민국 광주광역시 남구
3 정수황 대한민국 전라남도 무안군

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신성특허법인(유한) 대한민국 서울특별시 송파구 중대로 ***, ID타워 ***호 (가락동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2014.12.19 수리 (Accepted) 1-1-2014-1236307-34
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
5 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2015.01.29 수리 (Accepted) 1-1-2015-0099691-26
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.04.27 수리 (Accepted) 4-1-2015-5055330-26
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
8 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2019.12.19 수리 (Accepted) 1-1-2019-1316178-78
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
11 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2020.10.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0743918-99
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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블록 단위 연접 BCH(BLOCK-WISE CONCATENATED BCH, BC-BCH) 방식에 의해 행 부호와 열 부호로 구성되는 메시지 블록단위로 부호화되어 메모리 장치에 저장된 데이터에 대하여 경판정 복호를 수행하는 제1단계상기 경판정 복호를 실패한 경우, 상기 데이터의 메시지 블록들 중에서 오류를 포함하는 메시지 블록에 대해 준거 전압을 산출하는 제2단계 및상기 산출된 준거 전압을 이용하여 연판정 복호를 수행하는 제3단계를 포함하는 플래시 메모리 시스템 동작 방법
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제1항에 있어서,상기 연판정 복호는,터보 블록 단위 연접 BCH 부호 복호인플래시 메모리 시스템 동작 방법
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상기 제2항에 있어서,상기 터보 블록 단위 연접 BCH 부호 복호는,체이스 복호(Chase decoding)를 기반으로 하는플래시 메모리 시스템 동작 방법
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제1항에 있어서,상기 준거 전압은,상기 연판정 복호 시, 상기 오류를 포함하는 메시지 블록에서 신뢰도가 낮은 비트 수 중 임의로 선택된 비트 수에 포함되는 오류 비트 수를 평균적으로 최대화하는 플래시 메모리 시스템 동작 방법
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제4항에 있어서,상기 오류를 포함하는 메시지 블록에서 신뢰도가 낮은 비트 수 중 임의로 선택된 비트 수에 포함되는 오류 비트 수를 평균적으로 최대화하는 준거 전압은,하기 수학식 1에 기초하여 결정되는플래시 메모리 시스템 동작 방법
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제5항에 있어서,상기 경판정 복호 실패 시, 상기 오류를 포함하는 메시지 블록에서 신뢰도가 낮은 비트 수 중 임의로 선택된 비트 수에 포함되는 오류 비트 수의 평균값 ()은, 하기 수학식 2에 기초하여 결정되는플래시 메모리 시스템 동작 방법
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제1항에 있어서,상기 제3단계는,상기 산출된 준거 전압을 이용하여 연판정 정보를 도출하여 상기 연판정 복호를 수행하는플래시 메모리 시스템 동작 방법
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제1항에 있어서,상기 연판정 복호를 실패한 경우, 오류 실패 신호를 호스트에 전송하는플래시 메모리 시스템 동작 방법
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제1항에 있어서,상기 연판정 복호를 성공한 경우, 상기 연판정 복호에 성공한 데이터를 상기 호스트에 전달하는플래시 메모리 시스템 동작 방법
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US09639421 US 미국 FAMILY
2 US20160179616 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2016179616 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US9639421 US 미국 DOCDBFAMILY
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