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메모리 컨트롤러의 동작 방법과 상기 메모리 컨트롤러를 포함하는 시스템

  • 기술번호 : KST2015119022
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 MLC(multi level cell)들을 포함하는 메모리 영역을 포함하는 불휘발성 메모리 장치의 동작을 제어하는 메모리 컨트롤러의 동작 방법은 액세스될 상기 메모리 영역의 어드레스와 상기 메모리 영역에 프로그램될 데이터를 수신하는 단계와, 상기 어드레스에 기초하여 상기 메모리 영역에 대한 액세스 히스토리 정보를 분석하는 단계와, 상기 분석의 결과에 기초하여, 상기 데이터에 대응되는 제1매핑 데이터를 생성하거나 상기 데이터와 상기 MLC들에 이전에 프로그램된 이전 매핑 데이터에 기초하여 제2매핑 데이터를 생성하는 단계와, 상기 제1매핑 데이터와 상기 제2매핑 데이터 중에서 어느 하나를 포함하는 프로그램 명령을 상기 불휘발성 메모리 장치로 전송하는 단계를 포함한다.
Int. CL G11C 16/34 (2006.01) G11C 16/02 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020120096267 (2012.08.31)
출원인 삼성전자주식회사, 한국과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2014-0030517 (2014.03.12) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.07.03)
심사청구항수 19

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 삼성전자주식회사 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 설창규 대한민국 경기도 오산시
2 소혜정 대한민국 대전 유성구
3 정세영 미국 대전 유성구
4 공준진 대한민국 경기 용인시 수지구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 고려 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 삼성전자주식회사 경기도 수원시 영통구
2 한국과학기술원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2012.08.31 수리 (Accepted) 1-1-2012-0704345-66
2 보정요구서
Request for Amendment
2012.09.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2012-0113459-59
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2012.10.04 수리 (Accepted) 1-1-2012-0802526-00
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
8 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2017.07.03 수리 (Accepted) 1-1-2017-0635660-19
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2017.07.03 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0635659-73
10 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2018.06.19 불수리 (Non-acceptance) 1-1-2018-0597482-42
11 서류반려이유통지서
Notice of Reason for Return of Document
2018.06.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2018-0098360-58
12 [반환신청]서류반려요청(반환신청)서
2018.06.27 불수리 (Non-acceptance) 1-1-2018-0629465-61
13 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2018.06.27 수리 (Accepted) 1-1-2018-0629513-65
14 [반려요청]서류반려요청(반환신청)서
[Request for Return] Request for Return of Document
2018.07.03 수리 (Accepted) 1-1-2018-0651754-12
15 서류반려통지서
Notice for Return of Document
2018.07.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2018-0103462-25
16 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2018.07.06 수리 (Accepted) 1-1-2018-0666971-64
17 등록결정서
Decision to grant
2018.11.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0820817-67
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
MLC(multi level cell)들을 포함하는 메모리 영역을 포함하는 불휘발성 메모리 장치의 동작을 제어하는 메모리 컨트롤러의 동작 방법에 있어서,액세스될 상기 메모리 영역의 어드레스와 상기 메모리 영역에 프로그램될 데이터를 수신하는 단계;상기 어드레스에 기초하여 상기 메모리 영역에 대한 액세스 히스토리 정보를 분석하는 단계;상기 분석의 제1결과에 기초하여 상기 데이터에 대응되는 제1매핑 데이터를 생성하거나 상기 분석의 제2결과에 따라 상기 데이터와 상기 MLC들에 이전에 프로그램된 이전 매핑 데이터에 기초하여 제2매핑 데이터를 생성하는 단계; 및상기 제1매핑 데이터와 상기 제2매핑 데이터 중에서 어느 하나를 포함하는 프로그램 명령을 상기 불휘발성 메모리 장치로 전송하는 단계를 포함하고,상기 액세스 히스토리 정보는 상기 메모리 영역에 대한 프로그램 동작의 회수와 상기 메모리 영역에 이레이즈 동작이 수행됐는지 여부를 나타내는 메모리 컨트롤러의 동작 방법
2 2
제1항에 있어서,상기 제1매핑 데이터는 상기 제2매핑 데이터와 다른 비트 수를 갖는 메모리 컨트롤러의 동작 방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 분석의 결과에 따라,(i) 상기 제1매핑 데이터를 상기 MLC들에 프로그램하기 위한 명령과,(ⅱ) 상기 MLC들로부터 상기 이전 매핑 데이터를 이레이즈하지 않고 상기 제2매핑 데이터를 상기 MLC들에 오버라이트하기 위한 명령과,(ⅲ) 상기 MLC들로부터 상기 이전 매핑 데이터를 이레이즈하고 상기 제1매핑 데이터를 상기 MLC들에 프로그램하기 위한 명령 중에서 어느 하나를 상기 프로그램 명령으로 선택하는 단계를 더 포함하는 메모리 컨트롤러의 동작 방법
4 4
제1항에 있어서,상기 이전 매핑 데이터는 상기 분석의 상기 제2결과에 기초하여 상기 MLC들로부터 리드된 메모리 컨트롤러의 동작 방법
5 5
제1항에 있어서, 상기 메모리 컨트롤러의 동작 방법은,상기 MLC들 각각에 저장하려는 데이터의 양을 나타내는 비트 정보에 기초하여 서로 다른 매핑 알고리즘들 중에서 어느 하나의 알고리즘을 선택하는 단계를 더 포함하며,상기 제1매핑 데이터 또는 상기 제2매핑 데이터는 선택된 매핑 알고리즘에 따라 생성되는 메모리 컨트롤러의 동작 방법
6 6
제5항에 있어서, 상기 선택된 매핑 알고리즘은 더티 페이퍼 코딩 이론에 기초하는 메모리 컨트롤러의 동작 방법
7 7
제1항에 있어서, 상기 메모리 컨트롤러의 동작 방법은,상기 MLC들의 프로그램/이레이즈 회수와 기준 회수를 비교하는 단계를 더 포함하며,상기 프로그램/이레이즈 회수가 상기 기준 회수보다 클 때, 상기 분석하는 단계, 상기 생성하는 단계, 및 상기 전송하는 단계가 순차적으로 수행되는 메모리 컨트롤러의 동작 방법
8 8
MLC(multi level cell)들을 포함하는 메모리 영역과 상기 메모리 영역에 대한 액세스를 제어하는 액세스 제어 회로를 포함하는 불휘발성 메모리 장치; 및액세스될 상기 메모리 영역의 어드레스와 상기 메모리 영역에 프로그램될 데이터를 수신하고, 수신된 어드레스에 기초하여 상기 메모리 영역에 대한 액세스 히스토리 정보를 분석하고, 상기 분석의 제1결과에 기초하여 상기 데이터에 대응되는 제1매핑 데이터를 생성하거나 상기 분석의 제2결과에 따라 상기 데이터와 상기 MLC들에 이전에 프로그램된 이전 매핑 데이터에 기초하여 제2매핑 데이터를 생성하고, 상기 제1매핑 데이터와 상기 제2매핑 데이터 중에서 어느 하나를 포함하는 프로그램 명령을 상기 불휘발성 메모리 장치로 전송하는 메모리 컨트롤러를 포함하며,상기 액세스 제어 회로는,상기 프로그램 명령에 기초하여, 상기 제1매핑 데이터를 상기 MLC들에 프로그램하는 동작, 상기 MLC들로부터 상기 이전 매핑 데이터를 이레이즈하지 않고 상기 제2매핑 데이터를 상기 MLC들에 오버라이트하는 동작, 및 상기 이전 매핑 데이터를 이레이즈하고 상기 제1매핑 데이터를 상기 MLC들에 프로그램하는 동작 중에서 어느 하나를 실행하고,상기 액세스 히스토리 정보는 상기 메모리 영역에 대한 프로그램 동작의 회수와 상기 메모리 영역에 이레이즈 동작이 수행됐는지 여부를 나타내는 시스템
9 9
제8항에 있어서,상기 제1매핑 데이터는 상기 제2매핑 데이터와 다른 비트 수를 갖는 시스템
10 10
제8항에 있어서, 상기 메모리 컨트롤러는,상기 액세스 히스토리 정보를 저장하는 제1메모리;상기 제1매핑 데이터와 상기 제2매핑 데이터를 저장하는 제2메모리; 및상기 수신된 어드레스에 기초하여 상기 액세스 히스토리 정보를 분석하고, 상기 분석의 결과에 기초하여 상기 제1매핑 데이터와 상기 제2매핑 데이터 중에서 어느 하나를 생성하고, 상기 어느 하나를 포함하는 상기 프로그램 명령을 생성하는 마이크로프로세서를 포함하는 시스템
11 11
제10항에 있어서, 상기 메모리 컨트롤러는,서로 다른 매핑 알고리즘들을 수행하기 위한 프로그램 코드를 저장하는 제3메모리를 더 포함하며,상기 마이크로프로세서는,상기 MLC들 각각에 저장하려는 데이터의 양을 나타내는 비트 정보에 기초하여 상기 제3메모리에 저장된 상기 매핑 알고리즘들 중에서 어느 하나의 알고리즘을 선택하고, 선택된 알고리즘에 기초하여 상기 제1매핑 데이터와 상기 제2매핑 데이터 중에서 어느 하나를 선택하는 시스템
12 12
제11항에 있어서, 상기 선택된 매핑 알고리즘은 더티 페이퍼 코딩 이론에 기초하는 시스템
13 13
제8항에 있어서,상기 시스템은 스마트 카드, 메모리 카드, 또는 솔리드 스테이트 드라이브인 시스템
14 14
MLC(multi level cell)들을 포함하는 메모리 영역을 포함하는 불휘발성 메모리 장치의 동작을 제어하는 메모리 컨트롤러에 있어서,상기 메모리 영역의 어드레스와 상기 메모리 영역에 프로그램될 데이터를 수신하는 제1인터페이스;상기 어드레스에 기초하여 상기 메모리 영역에 대한 액세스 히스토리 정보를 분석하고, 상기 분석의 제1결과에 기초하여 상기 데이터에 대응하는 제1매핑 데이터를 생성하거나 상기 분석의 제2결과에 따라 상기 데이터와 상기 MLC들에 이전에 프로그램된 이전 매핑 데이터에 기초하여 제2매핑 데이터를 생성하는 마이크로프로세서; 및상기 제1매핑 데이터와 상기 제2매핑 데이터 중에서 어느 하나를 포함하는 프로그램 명령을 상기 불휘발성 메모리 장치로 전송하는 제2인터페이스를 포함하고,상기 액세스 히스토리 정보는 상기 메모리 영역에 대한 프로그램 동작의 회수와 상기 메모리 영역에 이레이즈 동작이 수행됐는지 여부를 나타내는 메모리 컨트롤러
15 15
제14항에 있어서,상기 제1매핑 데이터는 상기 제2매핑 데이터와 다른 비트 수를 갖는 메모리 컨트롤러
16 16
제14항에 있어서, 상기 마이크로프로세서는 상기 분석의 결과에 따라,(i) 상기 제1매핑 데이터를 상기 MLC들에 프로그램하기 위한 명령과,(ⅱ) 상기 MLC들로부터 상기 이전 매핑 데이터를 이레이즈하지 않고 상기 제2매핑 데이터를 상기 MLC들에 오버라이트하기 위한 명령과,(ⅲ) 상기 MLC들로부터 상기 이전 매핑 데이터를 이레이즈하고 상기 제1매핑 데이터를 상기 MLC들에 프로그램하기 위한 명령 중에서 어느 하나를 상기 프로그램 명령으로 선택하는 메모리 컨트롤러
17 17
제14항에 있어서,상기 이전 매핑 데이터는 상기 분석의 상기 제2결과에 기초하여 상기 MLC들로부터 리드되는 메모리 컨트롤러
18 18
제14항에 있어서, 상기 마이크로프로세서는,상기 MLC들 각각에 저장하려는 데이터의 양을 나타내는 비트 정보에 기초하여 서로 다른 매핑 알고리즘들 중에서 어느 하나의 알고리즘을 선택하고,상기 제1매핑 데이터 또는 상기 제2매핑 데이터는 선택된 매핑 알고리즘에 따라 생성되는 메모리 컨트롤러
19 19
제14항에 있어서, 상기 마이크로프로세서는 상기 MLC들의 프로그램/이레이즈 회수와 기준 회수를 비교하고,상기 프로그램/이레이즈 회수가 상기 기준 회수보다 클 때, 상기 분석, 상기 생성, 및 상기 전송은 순차적으로 수행되는 메모리 컨트롤러
지정국 정보가 없습니다
순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - 패밀리정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US09672147 US 미국 FAMILY
2 US20140068160 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2014068160 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US9672147 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.