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복수의 메모리셀을 포함하는 메모리 장치; 및상기 복수의 메모리셀들로부터 간섭을 보상하는 동작을 수행하는 컨트롤러에 있어서,상기 컨트롤러는,상기 복수의 메모리셀 각각에 포함된 적어도 어느 하나 이상의 페이지로부터 복수의 제1데이터를 리드하여, 보상 동작을 수행하기 위한 제1데이터의 제1메모리셀을 추출하고, 상기 제1메모리셀에 인접한 제2메모리셀의 적어도 어느 하나 이상의 페이지로부터 제2데이터를 리드하는 데이터리드부; 및상기 제2데이터를 심볼간섭데이터로 변환하여, 변환된 심볼간섭데이터에 따라 룩업테이블로부터 제1데이터의 확률을 확인하여 보상을 결정하는 등화기를 포함하는 메모리 시스템
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제1항에 있어서,상기 데이터 리드부는, 하나의 제1기준전압을 이용하여 상기 복수의 메모리셀로부터 적어도 하나 이상의 페이지를 리드하여 복수의 제1데이터를 출력하고, 복수의 제2 및 제3기준전압을 이용하여 상기 복수의 메모리 셀로부터 적어도 하나 이상의 페이지를 리드하여 복수의 소프트데이터-데이터 신뢰도 판정 데이터-를 리드하는 메모리 시스템
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제2항에 있어서,상기 데이터리드부는,상기 복수의 소프트데이터를 이용하여 상기 복수의 메모리 셀 각각에 대응하는 제1데이터에 대해 신뢰도를 판정하며, 상기 신뢰도가 낮은 제1데이터에 대응하는 제1메모리셀을 추출하는 메모리 시스템
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제1항에 있어서,상기 복수의 제1데이터는,상기 제1기준전압을 이용하여 상기 복수의 메모리 셀의 선택된 페이지에 대해 경판정 리드 동작을 수행하여 출력된 데이터인 메모리 시스템
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제2항에 있어서,상기 복수의 소프트데이터는,상기 제1기준전압을 기준으로 제1기준전압과 소정의 전압 차를 가지는 제2 및 제3기준전압을 이용하여 상기 복수의 메모리 셀의 선택된 페이지에 대해 연판정 리드 동작을 수행하여 출력된 데이터인 메모리 시스템
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제1항에 있어서,상기 심볼간섭데이터는, 상기 제2데이터를 프로그램 상태(Program State) 타입으로 변환한 데이터인 메모리 시스템
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제1항에 있어서,상기 룩업테이블은,사전 특성 평가를 통해 상기 메모리 장치에 포함된 상기 제1메모리셀 및 상기 제1메모리셀에 인접한 하나 이상의 상기 제2메모리셀의 프로그램상태(programming state) 조건별로 제1메모리셀에 대한 간섭량을 평가해서, 제2메모리셀의 프로그램 상태 조건별로 제1메모리셀의 데이터확률(%)을 결정하여 저장해 놓은 메모리 시스템
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제1항에 있어서,상기 등화기는,상기 룩업테이블에서 상기 제2메모리셀의 심볼간섭데이터의 프로그램 상태 조건에 따라, 제1메모리셀의 제1데이터의 확률을 확인하여 소정의 임계확률 미만인 경우, 상기 제1데이터의 비트플립 동작을 수행하여 보상을 결정하고, 제1메모리셀의 제1데이터의 확률이 소정의 임계확률 이상인 경우, 상기 제1데이터에 대해 비트 플립 동작을 수행하지 않는 메모리 시스템
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제1항에 있어서,적어도 어느 하나 이상의 페이지는 제1페이지 또는/및 제2페이지를 포함할 수 있으며, 제1페이지는 LSB페이지를 포함할 수 있고, 상기 제2페이지는 MSB페이지를 포함할 수 있는 메모리 시스템
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제1항에 있어서,상기 등화기를 통해 보상이 결정된 제1데이터를 포함하는 복수의 제1데이터에 대해 에러정정동작을 수행하는 ECC디코더를 더 포함하는 메모리 시스템
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복수의 메모리셀을 포함하는 메모리 장치 및 상기 복수의 메모리셀들로부터 간섭을 보상하는 동작을 수행하는 컨트롤러를 포함하는 메모리 시스템 동작 방법에 있어서,상기 복수의 메모리 셀 각각에 포함된 적어도 어느 하나 이상의 페이지로부터 리드하여 복수의 제1데이터를 출력하며, 상기 복수의 제1데이터 중에서 보상 동작을 수행하기 위한 제1데이터에 대응하는 제1메모리셀을 추출하는 단계; 상기 제1메모리셀에 인접한 제2메모리셀의 적어도 어느 하나 이상의 페이지 페이지로부터 제2데이터를 리드하는 단계; 및상기 제2데이터를 심볼간섭데이터로 변환하여, 변환된 심볼간섭데이터에 따라 룩업테이블로부터 제1데이터의 확률을 확인하여 보상을 결정하는 단계를 포함하는 메모리 시스템 동작 방법
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제11항에 있어서,상기 복수의 메모리 셀 각각에 포함된 적어도 어느 하나 이상의 페이지로부터 리드하여 복수의 제1데이터를 출력하며, 상기 복수의 제1데이터 중에서 보상 동작을 수행하기 위한 제1데이터에 대응하는 제1메모리셀을 추출하는 단계에 있어서,하나의 제1기준전압을 이용하여 상기 복수의 메모리 셀 각각에 포함된 적어도 어느 하나 이상의 페이지를 리드하여 복수의 제1데이터를 출력하는 단계;복수의 제2 및 제3기준전압을 이용하여 상기 복수의 메모리 셀 각각에 포함된 적어도 어느 하나 이상의 페이지를 리드하여 복수의 소프트데이터-데이터 신뢰도 판정 비트-를 출력하는 단계;상기 소프트데이터를 이용하여 상기 복수의 제1데이터에 대해 데이터 신뢰도를 판정하여, 상기 복수의 제1데이터 중 신뢰도가 낮은 제1데이터에 대응하는 제1메모리셀을 추출하는 단계를 포함하는 메모리 시스템 동작 방법
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제12항에 있어서,상기 복수의 제1데이터는,상기 제1기준전압을 이용하여 상기 복수의 메모리 셀의 선택된 페이지에 대해 경판정 리드 동작을 수행하여 출력된 데이터를 포함하는 메모리 시스템 동작 방법
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제12항에 있어서,상기 복수의 소프트데이터는,상기 제1기준전압을 기준으로 상기 제1기준전압과 소정의 전압 차를 가지는 제2 및 제3기준전압을 이용하여 상기 복수의 메모리 셀의 선택된 페이지에 대해 연판정 리드 동작을 수행하여 출력된 데이터를 포함하는 메모리 시스템 동작 방법
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제11항에 있어서,상기 심볼간섭데이터는, 상기 제2데이터를 프로그램 상태(Program State) 타입으로 변환된 데이터를 나타내는 메모리 시스템 동작 방법
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제11항에 있어서,상기 룩업테이블은,사전 특성 평가를 통해 상기 메모리 장치에 포함된 상기 제1메모리셀 및 상기 제1메모리셀에 인접한 하나 이상의 상기 제2메모리셀의 프로그램상태(programming state) 조건별로 제1메모리셀에 대한 간섭량을 평가해서, 제2메모리셀의 프로그램 상태 조건별로 제1메모리셀의 데이터확률(%)을 결정하여 저장해 놓은 메모리 시스템 동작 방법
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제11항에 있어서,상기 심볼간섭데이터에 따라 룩업테이블로부터 제1데이터의 확률을 확인하여 보상을 결정하는 단계에 있어서,상기 룩업테이블에서 상기 제2메모리셀의 심볼간섭데이터의 프로그램 상태 조건에 따라, 제1메모리셀의 제1데이터의 확률을 확인하는 단계;상기 제1데이터의 확률이 소정의 임계확률 미만인 경우, 상기 제1데이터의 비트플립 동작을 수행하여 에러를 보상하는 단계; 및상기 제1메모리셀의 제1데이터의 확률이 소정의 임계확률 이상인 경우, 상기 제1데이터에 대해 비트플립 동작을 수행하지 않는 단계를 포함하는 메모리 시스템 동작 방법
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제11항에 있어서,상기 적어도 어느 하나 이상의 페이지는 제1페이지 또는/및 제2페이지를 포함할 수 있으며, 제1페이지는 LSB페이지를 포함할 수 있고, 상기 제2페이지는 MSB페이지를 포함할 수 있는 메모리 시스템 동작 방법
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제11항에 있어서,상기 보상이 결정된 제1데이터를 포함하는 복수의 제1데이터에 대해 에러정정동작(ECC)을 수행하는 단계를 더 포함하는 메모리 시스템 동작 방법
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