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1
서로 마주보는 제1 면과 제2 면을 갖는 몸체부와 상기 제1 면에 배치된 접착부를 포함하는 건식 접착 구조체; 및상기 제2 면에 배치되는 전자 장치를 포함하고,상기 접착부는 상기 제1 면과 평행한 방향에서 고리 형상의 단면을 갖고,상기 제1 면으로부터의 상기 접착부의 높이 대 상기 접착부의 직경의 비를 나타내는 상기 접착부의 종횡비는 1보다 작은 것을 특징으로 하는 전자 패치
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2
제 1 항에 있어서,상기 접착부 위에 배치되는 전극과,상기 전극 위에 배치되는 약물 전달체를 더 포함하고,상기 약물 전달체는 메조기공성 실리카 나노입자와 상기 메조기공성 실리카 나노입자의 나노기공에 충전된 약물을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 패치
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3
제 2 항에 있어서,상기 약물의 경피 전달은 상기 전극에 의한 전기 침투법으로 제어되는 것을 특징으로 하는 전자 패치
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4
제 1 항에 있어서,상기 전자 장치를 사이에 두고 상기 건식 접착 구조체 맞은 편에 배치되는 제1 보호층과,상기 건식 접착 구조체와 상기 전자 장치 사이에 배치되는 제2 보호층을 더 포함하고,상기 제1 보호층과 상기 제2 보호층는 50kPa 이하의 모듈러스를 갖는 것을 특징으로 하는 전자 패치
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5
제 4 항에 있어서,상기 제1 보호층은 실리콘 고무로 형성되고,상기 제2 보호층은 폴리디메틸실록산으로 형성되는 것을 특징으로 하는 전자 패치
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6
제 4 항에 있어서,상기 전자 패치의 모듈러스는 150kPa보다 낮은 것을 특징으로 하는 전자 패치
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7
제 1 항에 있어서,상기 전자 장치는 스트레인 센서, 온도 센서, 근전도 센서, 뇌파 센서, 메모리 소자, 트랜지스터, 및 히터 중에서 선택된 하나 이상을 포함하고,상기 전자 장치는 구불구불한 형태의 패턴으로 형성되는 것을 특징으로 하는 전자 패치
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8
제 1 항에 있어서,상기 접착부의 직경은 500 ~ 1,500nm이고,상기 제1 면으로부터의 상기 접착부의 높이는 50 ~ 150nm이고,상기 접착부의 상기 종횡비는 1/30 ~ 3/10이고,상기 접착부에 의해 그 내부에 오목하게 들어간 석션 컵 형상 또는 분화구 형상의 접착 공간이 정의되며,상기 접착 공간의 높이는 50 ~ 250nm인 것을 특징으로 하는 전자 패치
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9
제 1 항에 있어서,상기 몸체부는,상기 접착부와 연결되는 제1 몸체부와,상기 제1 몸체부 위에 배치되는 제2 몸체부를 포함하고,상기 제1 몸체부와 상기 제2 몸체부는 서로 다른 모듈러스를 갖는 것을 특징으로 하는 전자 패치
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10
제 1 항에 있어서,상기 건식 접착 구조체의 모듈러스는, 상기 제1 면에서 상기 제2 면으로 갈수록 작아지는 것을 특징으로 하는 전자 패치
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11
제 1 항에 있어서,상기 건식 접착 구조체는 고분자로 형성되고,상기 건식 접착 구조체의 모듈러스는, 상기 고분자와 상기 고분자의 경화제의 함량을 조절하는 것에 의해 조절되는 것을 특징으로 하는 전자 패치
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12
제 1 항에 있어서,상기 몸체부와 상기 접착부는 일체로 형성되는 것을 특징으로 하는 전자 패치
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13
제 1 항에 있어서,상기 건식 접착 구조체는,폴리디메틸실록산으로 형성되는 것을 특징으로 하는 전자 패치
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14
지지 기판 위에 희생층, 제1 보호층, 및 전자 장치를 차례로 형성하는 단계;고분자 몰드 위에 건식 접착 구조체 및 제2 보호층을 형성하는 단계; 및상기 제1 보호층과 상기 제2 보호층을 접착시키는 단계를 포함하고,상기 고분자 몰드는,홀이 형성된 홀 패턴 몰드 위에 제1 고분자를 제공한 후 상기 홀 패턴 몰드의 상부면과 접촉하는 상기 제1 고분자를 제거하여 상기 홀에 배치되고 상기 홀 패턴 몰드의 상부면 위로 돌출되는 고분자 구조체를 형성하는 단계;상기 고분자 구조체를 식각하여 고분자 구조체 패턴을 형성하는 단계;상기 구조체 패턴이 형성된 상기 홀 패턴 몰드 위에 제2 고분자를 제공한 후 분리하여 예비 고분자 몰드를 형성하는 단계; 및상기 예비 고분자 몰드 위에 제3 고분자를 제공한 후 분리하는 단계는 포함하는 방법에 의해 형성된 것을 특징으로 하는 전자 패치의 형성 방법
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15
제 14 항에 있어서,상기 건식 접착 구조체는, 상기 고분자 몰드 위에 제4 고분자를 제공하는 단계와,상기 제4 고분자 위에 제5 고분자를 형성하는 단계와,상기 제5 고분자 위에 제6 고분자를 형성하는 단계를 포함하고,상기 제4 고분자 내지 상기 제6 고분자는 서로 다른 모듈러스를 갖는 것을 특징으로 하는 전자 패치의 형성 방법
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16
제 15 항에 있어서,상기 모듈러스는 상기 제4 고분자 내지 상기 제6 고분자에 포함되는 경화제의 함량을 조절하는 것에 의해 조절되는 것을 특징으로 하는 전자 패치의 형성 방법
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17
제 16 항에 있어서,상기 제1 내지 제3 고분자는 폴리우레탄 아크릴레이트이고,상기 제4 내지 제6 고분자는 폴리디메틸실록산인 것을 특징으로 하는 전자 패치의 형성 방법
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18
제 14 항에 있어서,상기 건식 접착 구조체로부터 상기 고분자 몰드를 분리하는 단계와,상기 희생층을 제거하여 상기 지지 기판을 상기 제1 보호층으로부터 분리하는 단계와,상기 건식 접착 구조체 위에 약물 전달체가 로딩된 전극을 형성하는 단계를 더 포함하는 전자 패치의 형성 방법
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