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기판, 상기 기판 상에 순차적층된 제1도전형 반도체층, 활성층 및 제2도전형 반도체층을 포함하고, 상기 제1도전형 반도체층과 상기 제2도전형 반도체층 상에는 각각 제1도전형 전극 및 제2도전형 전극이 위치하며, 상기 제1도전형 전극과 상기 제2도전형 전극은 상기 기판을 중심으로 동일평면상에 위치하는 반도체 발광소자로서, 상기 제1도전형 전극 및 상기 제2도전형 전극 상에 위치하되, 상기 제1도전형 전극 및 상기 제2도전형 전극을 전기적으로 절연시키는 보조전극을 더 포함하는 반도체 발광소자
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청구항 1에 있어서,상기 보조전극은 표면에 금속산화물층을 포함하는 금속입자를 포함하는 절연부; 및 상기 금속산화물층이 제거된 금속입자를 포함하는 전극부;를 포함하는 것인 반도체 발광소자
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청구항 2에 있어서,상기 절연부는 상기 금속산화물층 상에 폴리머층을 더 포함하는 것인 반도체 발광소자
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청구항 1에 있어서,상기 보조전극은 상기 제1도전형 전극 및 상기 제2도전형 전극의 단차를 상쇄시키는 것인 반도체 발광소자
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제1항에 따른 반도체 발광소자를 복수개 포함하고, 상기 복수개의 반도체 발광소자 중 어느 2개의 반도체 발광소자를 제1반도체 발광소자 및 제2반도체 발광소자라 하면,상기 제1반도체 발광소자는 보조전극의 전극부의 연장에 의해 상기 제2반도체 발광소자와 전기적으로 연결되는 것인 발광소자모듈
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기판 상면에 제1도전형 반도체층, 활성층 및 제2도전형 반도체층을 순차적층하고, 상기 제1도전형 반도체층, 상기 활성층 및 상기 제2도전형 반도체층의 일부를 제거하여 상기 제1도전형 반도체층을 상면으로 노출시킨 후, 제1도전형 반도체층 상에 제1도전형 전극을 형성하고, 상기 일부 제거된 제2도전형 반도체층 상에 제2도전형 전극을 형성하는 단계;상기 제1도전형 전극 및 제2도전형 전극을 포함하도록 상면을 절연물질로 도포하여 절연층을 형성하는 단계; 및상기 절연층에 광을 조사하여 전기적으로 도전성인 전극부 및 전기적으로 절연성인 절연부를 포함하는 보조전극을 형성하는 단계;를 포함하는 반도체 발광소자 제조방법
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