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인공 안구용 전자 장치 및 이를 포함하는 인공 안구

  • 기술번호 : KST2018013948
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 인공 안구용 전자 장치 및 이를 포함하는 인공 안구가 제공된다. 상기 인공 안구용 전자 장치는, 신경 접촉 전극, 및 상기 신경 접촉 전극의 위에 배치되는 이미지 센서를 포함하며, 상기 이미지 센서는 포토트랜지스터 어레이를 포함하고, 상기 포토트랜지스터는, 제1 절연 패턴, 상기 제1 절연 패턴 위에 배치되는 제1 전극 및 제2 전극, 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 위에 배치되는 광흡수층, 및 상기 광흡수층 위에 배치되는 제2 절연패턴을 포함한다. 상기 인공 안구는, 신경 접촉 전극, 상기 신경 접촉 전극의 위에 배치되는 이미지 센서, 및 상기 이미지 센서 위에 이격되어 배치되는 렌즈를 포함하며, 상기 이미지 센서는 포토트랜지스터 어레이를 포함하고, 상기 포토트랜지스터는, 제1 절연 패턴, 상기 제1 절연 패턴 위에 배치되는 제1 전극 및 제2 전극, 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 위에 배치되는 광흡수층, 및 상기 광흡수층 위에 배치되는 제2 절연패턴을 포함한다.
Int. CL A61F 2/14 (2006.01.01) A61B 5/04 (2006.01.01) A61B 5/00 (2006.01.01)
CPC A61F 2/141(2013.01) A61F 2/141(2013.01) A61F 2/141(2013.01) A61F 2/141(2013.01)
출원번호/일자 1020170044585 (2017.04.06)
출원인 서울대학교산학협력단, 기초과학연구원
등록번호/일자 10-1978549-0000 (2019.05.08)
공개번호/일자 10-2018-0113266 (2018.10.16) 문서열기
공고번호/일자 (20190514) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.04.06)
심사청구항수 20

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구
2 기초과학연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김대형 대한민국 인천광역시 연수구
2 현택환 대한민국 서울특별시 강남구
3 최문기 대한민국 서울특별시 노원구
4 최창순 대한민국 경기도 의왕시 포일세

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 강문호 대한민국 서울특별시 서초구 사평대로 ** (반포동) 우주빌딩 *층(다민특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구
2 기초과학연구원 대한민국 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2017.04.06 수리 (Accepted) 1-1-2017-0336825-76
2 보정요구서
Request for Amendment
2017.04.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2017-0053082-37
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2017.04.26 수리 (Accepted) 1-1-2017-0408389-82
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2017.11.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2018.01.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2018-0092583-14
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.01.24 수리 (Accepted) 4-1-2018-5013866-16
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2018.07.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0492356-60
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2018.09.19 수리 (Accepted) 1-1-2018-0934819-07
9 보정요구서
Request for Amendment
2018.10.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2018-0152343-38
10 [출원서등 보정]보정서(납부자번호)
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment(Payer number)
2018.10.18 수리 (Accepted) 1-1-2018-0969751-00
11 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2018.10.18 수리 (Accepted) 1-1-2018-1026344-47
12 보정요구서
Request for Amendment
2018.10.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2018-0166254-45
13 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.11.19 수리 (Accepted) 1-1-2018-1150193-70
14 [출원서등 보정]보정서(납부자번호)
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment(Payer number)
2018.11.19 수리 (Accepted) 1-1-2018-1055953-12
15 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2018.11.19 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-1150220-15
16 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2019.03.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0221230-73
17 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2019.04.24 수리 (Accepted) 1-1-2019-0422395-54
18 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2019.04.24 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2019-0422453-15
19 등록결정서
Decision to Grant Registration
2019.04.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0306926-57
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
23 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2020-5265458-48
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
신경 접촉 전극; 및상기 신경 접촉 전극의 위에 배치되는 이미지 센서를 포함하며,상기 이미지 센서는 복수 개의 포토트랜지스터를 포함하는 포토트랜지스터 어레이를 포함하고,상기 복수 개의 포토트랜지스터 각각은,제1 절연 패턴;상기 제1 절연 패턴 위에 배치되는 제1 전극 및 제2 전극;상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 위에 배치되는 광흡수층; 및상기 광흡수층 위에 배치되는 제2 절연패턴을 포함하고,상기 제1 절연 패턴 및 상기 제2 절연 패턴은 상기 복수 개의 포토트랜지스터 각각에 대응하도록 섬형 어레이로 배치되는 것을 특징으로 하는 인공 안구용 전자 장치
2 2
제 1 항에 있어서,상기 광흡수층은 전이금속 디칼코게나이드를 포함하는 것을 특징으로 하는 인공 안구용 전자 장치
3 3
제 1 항에 있어서,상기 광흡수층은 MoS2를 포함하는 것을 특징으로 하는 인공 안구용 전자 장치
4 4
제 1 항에 있어서,상기 제1 전극 및 상기 제2 전극은 각각 그래핀을 포함하는 것을 특징으로 하는 인공 안구용 전자 장치
5 5
제 1 항에 있어서,상기 제1 절연패턴은 실리콘 질화물을 포함하고,상기 제2 절연 패턴은 알루미늄 산화물을 포함하는 것을 특징으로 하는 인공 안구용 전자 장치
6 6
제 1 항에 있어서,상기 포토트랜지스터는 상기 제2 절연 패턴 위에 배치되는 게이트 전극을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 인공 안구용 전자 장치
7 7
제 1 항에 있어서,상기 포토트랜지스터의 두께는 60nm보다 작은 것을 특징으로 하는 인공 안구용 전자 장치
8 8
제 1 항에 있어서,상기 포토트랜지스터 어레이는 깎은 이십면체의 부분 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 인공 안구용 전자 장치
9 9
제 1 항에 있어서,상기 이미지 센서는 상기 포토트랜지스터 어레이를 지지하는 기판을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 인공 안구용 전자 장치
10 10
제 9 항에 있어서,상기 기판은 곡면 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 인공 안구용 전자 장치
11 11
제 1 항에 있어서,포토트랜지스터 어레이 아래에 배치되는 제1 보호층과상기 포토트랜지스터 어레이 위에 배치되는 제2 보호층을 더 포함하고,상기 제1 보호층 및 상기 제2 보호층은 각각 깎은 이십면체의 부분 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 인공 안구용 전자 장치
12 12
제 1 항에 있어서,상기 이미지 센서는 커브드 이미지 센서인 것을 특징으로 하는 인공 안구용 전자 장치
13 13
제 1 항에 있어서,상기 이미지 센서는 상기 이미지 센서로 입사된 빛에 대한 광 신호를 전기 신호로 변환하고, 상기 전기 신호를 상기 신경 접촉 전극에 제공하는 것을 특징으로 하는 인공 안구용 전자 장치
14 14
제 13 항에 있어서,상기 인공 안구용 전자 장치는 상기 이미지 센서와 전기적으로 연결되는 신호 처리부를 더 포함하며,상기 전기 신호는 상기 신호 처리부에 의해 증폭되고, 전기 펄스로 변환되는 것을 특징으로 하는 인공 안구용 전자 장치
15 15
신경 접촉 전극;상기 신경 접촉 전극의 위에 배치되는 이미지 센서; 및상기 이미지 센서 위에 이격되어 배치되는 렌즈를 포함하며,상기 이미지 센서는 복수 개의 포토트랜지스터를 포함하는 포토트랜지스터 어레이를 포함하고,상기 복수 개의 포토트랜지스터 각각은,제1 절연 패턴;상기 제1 절연 패턴 위에 배치되는 제1 전극 및 제2 전극;상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 위에 배치되는 광흡수층; 및상기 광흡수층 위에 배치되는 제2 절연패턴을 포함하고,상기 제1 절연 패턴 및 상기 제2 절연 패턴은 상기 복수 개의 포토트랜지스터 각각에 대응하도록 섬형 어레이로 배치되는 것을 특징으로 하는 인공 안구
16 16
제 15 항에 있어서,상기 포토트랜지스터는 상기 제2 절연 패턴 위에 배치되는 게이트 전극을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 인공 안구
17 17
제 15 항에 있어서,상기 포토트랜지스터의 두께는 60nm보다 작은 것을 특징으로 하는 인공 안구
18 18
제 15 항에 있어서,상기 포토트랜지스터 어레이 아래에 배치되는 제1 보호층과상기 포토트랜지스터 어레이 위에 배치되는 제2 보호층을 더 포함하고,상기 제1 보호층 및 상기 제2 보호층은 각각 깎은 이십면체의 부분 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 인공 안구
19 19
제 15 항에 있어서,상기 이미지 센서는 커브드 이미지 센서인 것을 특징으로 하는 인공 안구
20 20
제 15 항에 있어서,상기 렌즈는 단일 평면볼록렌즈를 포함하는 것을 특징으로 하는 인공 안구
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 서울대학교 산학협력단 기초과학연구원외부연구단 나노입자의 합성과 의료, 에너지 분야 응용