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이차원 평판 구조의 구리 나노플레이트로서,상기 구리 나노플레이트는 6μm 내지 25μm 범위의 직경 및 20nm 내지 80nm의 두께를 갖는, 구리 나노플레이트
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제1항에 있어서,상기 구리 나노플레이트는 단결정 구리 나노플레이트인, 구리 나노플레이트
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제1항에 있어서,적층된 복수 개의 구리 나노플레이트를 포함하는, 구리 나노플레이트
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제1항에 있어서,인접한 구리 나노플레이트의 이차원 평판 구조는 평판이 서로 면접촉하는, 구리 나노플레이트
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제1항에 있어서,적층된 복수 개의 구리 나노플레이트를 포함하고, 인접한 구리 나노플레이트의 이차원 평판 구조는 평판이 서로 면접촉하는, 구리 나노플레이트
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제1항에 있어서,상기 구리 나노플레이트는 (111) 결정면 우선 배향성을 갖는, 구리 나노플레이트
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제1항에 있어서,상기 구리 나노플레이트는 육각형, 오각형, 사각형, 삼각형, 평행사변형 및 사다리꼴 중 하나 이상의 모양을 갖는, 금속 나노플레이트
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제1항에 있어서,표면 상에 응집된 금속 나노 입자들을 포함하는, 금속나노플레이트
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제1항에 있어서,상기 구리 나노플레이트는 반도체 소자용, 전자파 차폐용, 광전자용, 촉매용, 연료전지용, 또는 인쇄전자용인, 금속 나노플레이트
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용매, 금속 성장제, 금속 전구체, 캡핑제 및 환원제를 포함하는 혼합 용액을 제조하는 단계; 및상기 혼합 용액을 80℃ 내지 200℃ 범위의 온도에서 열처리하여 구리 나노플레이트를 제조하는 단계; 를 포함하며,상기 캡핑제는 헥사데실아민(CH3(CH2)15NH2, HDA), 옥타데실아민(CH3(CH2)16CH2NH2, ODA), 에틸렌디아민(NH2CH2CH2NH2, EDA), 올레일아민(CH3(CH2)7CH=CH(CH2)7CH2NH2, OLA), 및 글라이신(NH2CH2COOH, Grycine)으로 이루어진 그룹에서 선택된 하나 이상을 포함하고,상기 구리 나노플레이트는 6μm 내지 25μm 범위의 직경 및 20nm 내지 80nm의 두께를 갖는, 구리 나노플레이트 제조방법
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제11항에 있어서,상기 금속 성장제는 PbI2, KI, ICl, BrI, ICl3, ICl, HBr, 및 KBr로 이루어진 그룹에서 선택된 하나 이상을 포함하는 금속 나노플레이트의 제조 방법
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제11항에 있어서,상기 금속 성장제는 상기 금속 전구체 100 중량부 기준으로 0
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제11항에 있어서,상기 환원제는 글루코즈, 하이드라진(N2H2), 하이드라진 수화물(N2H2·H2O), 포름알데히드(CH2O), 하이포아인산나트륨(NaPO2H2), 수소화붕소칼륨(KBH4), 및 아스코르브산(C6H4O3)으로 이루어진 그룹에서 선택된 하나 이상을 포함하며,상기 금속 전구체 100 중량부 기준으로 600 내지 700 중량부의 캡핑제 및 200 내지 300 중량부의 환원제를 포함하는 금속 나노플레이트 제조 방법
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제11항에 있어서,상기 금속 전구체는 염화구리이무수물(CuCl2·2H2O), 염화구리(CuCl2), 및 질산구리(Cu(NO3)2)으로 이루어진 그룹에서 선택된 하나 이상을 포함하는 금속 나노플레이트 제조 방법
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제11항에 있어서,상기 용매는 물(H2O), 알코올, 아세톤(C3H6O), 메틸에틸케톤(CH3COC2H5, MEK), 에틸렌글리콜(C2H6O2), 포름아미드(CH3NO), 디메틸포름아미드((CH)NCHO, DMF), 디메틸아세트아미드(C4H9NO, DMAc), 디메틸설폭사이드((CH3)2SO, DMSO), 및 N-메틸피롤리돈(C5H9NO, NMP)으로 이루어진 그룹에서 선택된 하나 이상을 포함하는 금속 나노플레이트 제조 방법
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제11항에 있어서,상기 혼합 용액을 열처리하는 단계는 6 내지 48시간 동안 수행되고,상기 혼합 용액을 열처리하는 단계에서의 시간 및 온도 조절에 따라 제조되는 금속 나노플레이트의 크기가 조절되는 금속 나노플레이트 제조 방법
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제17항에 있어서,상기 혼합 용액을 열처리하는 단계는 90℃ 내지 130℃의 온도 조건하에서 10 내지 14시간동안 수행되는 금속 나노플레이트 제조 방법
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제11항에 있어서,상기 구리 나노플레이트는 (111) 결정면 우선 배향성을 갖는, 구리 나노플레이트 제조 방법
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