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내부에 광전자가 이동하는 공간을 제공하는 진공관;상기 진공관의 내면에 제공되어, 외부로부터 입사되는 입사광을 제1 광전자로 변환하는 광음극부;상기 제1 광전자와 반응하여 신틸레이션 광을 발생시키는 신틸레이터부;상기 신틸레이션 광을 제2 광전자로 변환하고, 변환된 상기 제2 광전자를 증배시켜 전기 신호를 생성하는 광증배 소자; 및상기 진공관의 내측면에 배치되어, 상기 제1 광전자를 상기 신틸레이터부로 포커싱하는 전극;을 포함하되,상기 입사광의 이동 경로 상에 상기 광음극부, 상기 신틸레이터부 및 상기 광증배 소자가 순차적으로 배치되며,상기 진공관은, 구 형상의 상부 영역 및 원 기둥 형상의 하부 영역을 가지고,상기 광음극부 및 상기 전극은 상기 진공관의 상부 영역에 위치되고, 상기 신틸레이터부 및 상기 광증배 소자는 상기 진공관의 하부 영역에 위치되는 광 센서
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제1항에 있어서,상기 신틸레이터부는, 상기 신틸레이션 광 중 상기 광음극부를 향하는 광을 차단하는 금속 박막을 포함하는 광 센서
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제2항에 있어서,상기 신틸레이터부는, 상기 광증배 소자의 상면에 접하여 위치되는 신틸레이터 판을 포함하는 광 센서
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제3항에 있어서,상기 신틸레이터 판은,두께가 1mm 내지 2mm인 무기 결정 신틸레이터(Inorganic Crystalline Scintillator), 유기 결정 신틸레이터(Organic Crystalline Scintillator) 및 플라스틱 신틸레이터(Plastic Scintillator) 중 어느 하나로 제공되는 광 센서
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제2항에 있어서,상기 신틸레이터부는, 상기 광증배 소자의 상면에 접하여 위치되는 기판; 및상기 기판의 상면에 형성되는 신틸레이터 층;을 포함하는 광 센서
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제5항에 있어서,상기 신틸레이터 층은, 유기 신틸레이터(Organic Scintillator) 또는 플라스틱 신틸레이터(Plastic Scintillator)로 제공되는 광 센서
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제5항에 있어서,상기 기판은, 두께가 1 mm 내지 2 mm이고,상기 신틸레이터 층은, 두께가 20 μm인 광 센서
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제1항에 있어서,상기 전극은, 3 kV 내지 30 kV의 전압이 인가되는 광 센서
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제1항에 있어서,상기 진공관의 상부 영역의 직경은, 상기 진공관의 하부 영역의 단면적의 직경보다 크게 제공되는 광 센서
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제11항에 있어서,상기 광음극부는, 상기 신틸레이터부의 단면적보다 넓은 범위에 걸쳐 제공되는 광 센서
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제12항에 있어서,상기 광음극부의 상측에서 바라볼 때, 상기 신틸레이터부의 모든 영역이 상기 광음극부에 중첩되도록 제공되는 광 센서
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제1항 내지 제7항 중 어느 하나에 있어서,상기 광증배 소자는, 실리콘 광증배 소자(Silicon PhotoMultiplier)인 광 센서
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