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입사되는 방사선을 광으로 전환하는 비에스오(BSO) 섬광체; 및상기 비에스오 섬광체에 의해 전환된 광을 전기적 신호로 전환하는 실리콘 광전 변환 소자를 포함하는 방사선 센서
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제 1항에 있어서,상기 비에스오 섬광체와 상기 실리콘 광전 변환 소자는 광학적으로 결합되어지는 것을 특징으로 방사선 센서
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제 2항에 있어서,상기 비에스오 섬광체와 상기 실리콘 광전 변환 소자는 광 그리스에 의해 광학적으로 직접 결합되어지는 것을 특징으로 방사선 센서
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제 2항에 있어서,상기 비에스오 섬광체와 상기 실리콘 광전 변환 소자는 광섬유에 의해 광학적으로 간접 결합되어지는 것을 특징으로 방사선 센서
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제 1항에 있어서,상기 비에스오 섬광체는 Bi2O3와 SiO2를 모체로 하는 것을 특징으로 하는 방사선 센서
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제 5항에 있어서,상기 비에스오 섬광체는 초클라스키 방식 또는 브리지만 방식을 이용하여 육성된 단결정 형태를 갖는 것을 특징으로 하는 방사선 센서
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제 5항에 있어서,상기 비에스오 섬광체는 Bi4Si3O12 또는 Bi12SiO20을 포함하는 것을 특징으로 하는 방사선 센서
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제 1항에 있어서,상기 비에스오 섬광체는 370 ~ 460 nm 범위의 발광 파장을 갖는 것을 특징으로 하는 방사선 센서
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제 1항에 있어서,상기 비에스오 섬광체는 100 ns 이하의 형광 감쇠 시간을 갖는 것을 특징으로 하는 방사선 센서
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제 1항에 있어서,상기 비에스오 섬광체는 자연 방사선 핵종을 포함하는 않는 것을 특징으로 하는 방사선 센서
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제 1항에 있어서,상기 실리콘 광전 변환 소자는 가이거 방식 사태 포토다이오드, 실리콘 광증배관 및 다중 화소 광자 계수기 중에서 선택된 적어도 하나를 사용하는 것을 특징으로 하는 방사선 센서
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제 1항에 있어서,상기 실리콘 광전 변환 소자는 상기 전기적 신호의 증폭 정도를 조절하는 기능을 더 갖는 것을 특징으로 하는 방사선 센서
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제 12항에 있어서,상기 증폭 정도를 조절하는 기능은 상기 비에스오 섬광체에 의해 전환된 상기 광이 상기 실리콘 광전 변환 소자에서 포화되지 않도록 하는 것을 특징으로 하는 방사선 센서
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제 1항에 있어서,상기 실리콘 광전 변환 소자를 냉각시키기 위한 냉각부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방사선 센서
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제 14항에 있어서,상기 냉각부는 상기 비에스오 섬광체를 추가로 냉각시키는 것을 특징으로 하는 방사선 센서
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제 14항에 있어서,상기 냉각부는 펠티에 소자인 것을 특징으로 하는 방사선 센서
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제 14항에 있어서,상기 냉각부는 냉매로 액체 질소 또는 액체 헬륨을 사용하는 것을 특징으로 하는 방사선 센서
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비에스오(BSO) 섬광체와 실리콘 광전 변환 소자가 광학적으로 결합되어진 방사선 센서를 포함하는 양전자 방출 단층촬영 시스템
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