| 1 |
1
복수의 띠 형상을 가지며 P형 불순물이 고농도 도핑된 P+ 영역이 상면에 형성되고, 하면의 거의 전면에 N형 불순물이 고농도 도핑된 N+ 영역이 형성된 N형 반도체 기판;
상기 N형 반도체 기판의 상면에 형성된 제1 유전체층;
상기 제1 유전체층 상면에 형성되며, 상기 P+ 영역이 형성하는 복수의 띠 형상마다 각각 하나씩 구비된 복수의 저항층;
상기 저항층 및 제1 유전체층 상에 형성된 제2 유전체층;
상기 제2 유전체층 상면에 형성되며, 상기 P+ 영역이 형성하는 복수의 띠 형상에 수직방향으로 중첩되도록 띠 형상으로 형성된 복수의 제1 금속층;
상기 제2 유전체층 상면에 상기 저항층마다 하나씩 형성되며 상기 P+ 영역 및 상기 저항층의 일단과 각각 콘택을 형성하는 복수의 제2 금속층;
상기 제2 유전체층 상면에 형성되며 상기 저항층의 타단과 콘택을 형성하는 제3 금속층 및
상기 N+ 영역의 하면에 형성된 제4 금속층을 포함하는 방사선 검출용 센서
|
| 2 |
2
제1항에 있어서,
상기 저항층은,
상기 P+ 영역이 형성하는 복수의 띠 형상의 일측 상에 형성된 것을 특징으로 하는 방사선 검출용 센서
|
| 3 |
3
제1항에 있어서,
상기 저항층은,
폴리실리콘 저항인 것을 특징으로 하는 방사선 검출용 센서
|
| 4 |
4
제1항에 있어서,
상기 제3 금속층은,
상기 P+ 영역을 둘러싸는 구조로 형성되는 것을 특징으로 하는 방사선 검출용 센서
|
| 5 |
5
제1항에 있어서,
상기 제3 금속층 및 제4 금속층을 통해 바이어스 전압이 인가되는 것을 특징으로 하는 방사선 검출용 센서
|
| 6 |
6
제1항에 있어서,
상기 N형 반도체 기판 상면에는 상기 제3 금속층보다 더 상기 기판 외곽에 위치하며 상기 P+ 영역을 둘러싸는 링 형상을 갖도록 P형 불순물이 고농도 도핑된 가드링 영역이 더 형성되며,
상기 제2 유전체층 상면에 상기 가드링 영역과 수직방향으로 중첩되도록 형성되며 상기 가드링 영역과 복수의 콘택을 형성하는 제5 금속층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방사선 검출용 센서
|
| 7 |
7
제1항에 있어서,
상기 제1 내지 제4 금속층은,
외부와의 전기적 연결을 위한 패드부를 각각 포함하는 것을 특징으로 하는 방사선 검출용 센서
|
| 8 |
8
제6항에 있어서,
상기 제5 금속층은,
외부와의 전기적 연결을 위한 패드부를 포함하는 것을 특징으로 하는 방사선 검출용 센서
|
| 9 |
9
N형 반도체 기판을 마련하는 단계;
상기 N형 반도체 기판 상면에 복수의 띠 형상으로 P형 불순물을 고농도 도핑하여 P+ 영역을 형성하고, 상기 N형 반도체 기판 하면의 거의 전면에 N형 불순물을 고농도 도핑하는 단계;
상기 P+ 영역이 형성된 N형 반도체 기판 상면에 제1 유전체층을 형성하는 단계;
상기 제1 유전체층 상면에, 상기 P+ 영역이 형성하는 복수의 띠 형상마다 각각 하나씩 배치되도록 복수의 저항층을 형성하는 단계;
상기 저항층 및 제1 유전체층 상에 제2 유전체층을 형성하는 단계;
상기 제2 유전체층 일부를 제거하여 상기 저항층의 양단 및 상기 P+ 영역의 복수의 띠 형상 각각의 일부를 노출시키는 단계;
상기 제2 유전체층 상면에 상기 P+ 영역이 형성하는 복수의 띠 형상에 수직방향으로 중첩되도록 띠 형상으로 제1 금속층을 복수개 형성하는 단계;
상기 제2 유전체층 상면에 상기 노출된 P+ 영역의 복수의 띠 형상 각각의 일부 및 상기 저항층의 일단과 각각 콘택을 형성하도록 제2 금속층을 복수개 형성하는 단계;
상기 제2 유전체층 상면에 형성되며 상기 저항층의 타단과 콘택을 형성하도록 제3 금속층을 형성하는 단계 및
상기 N+ 영역의 하면에 제4 금속층을 형성하는 단계를 포함하는 방사선 검출용 센서의 제조 방법
|
| 10 |
10
제9항에 있어서,
상기 저항층을 형성하는 단계는,
상기 P+ 영역이 형성하는 복수의 띠 형상 각각의 일측 상에 하나씩 저항층을 형성하는 단계인 것을 특징으로 하는 방사선 검출용 센서의 제조 방법
|
| 11 |
11
제9항에 있어서,
상기 저항층은,폴리실리콘 저항인 것을 특징으로 하는 방사선 검출용 센서의 제조 방법
|
| 12 |
12
제9항에 있어서,
상기 제3 금속층 및 제4 금속층을 통해 바이어스 전압이 인가되는 것을 특징으로 하는 방사선 검출용 센서의 제조 방법
|
| 13 |
13
제9항에 있어서,
상기 제3 금속층을 형성하는 단계는,
상기 P+ 영역을 둘러싸는 구조로 상기 제3 금속층을 형성하는 단계인 것을 특징으로 하는 방사선 검출용 센서의 제조 방법
|
| 14 |
14
제9항에 있어서,
상기 고농도 도핑하는 단계는, N형 반도체 기판 상면에 상기 제3 금속층보다 더 상기 기판 외곽에 위치하며 상기 P+ 영역을 둘러싸는 링 형상을 갖도록 P형 불순물이 고농도 도핑하여 가드링 영역을 형성하는 단계를 더 포함하며,
상기 가드링 영역과 복수의 콘택을 형성하도록 상기 가드링 영역과 수직방향으로 중첩되는 위치의 상기 제2 유전체층 상면에 제5 금속층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방사선 검출용 센서의 제조 방법
|
