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인코딩된 데이터인 코드워드를 저장하는 반도체 메모리 장치; 및상기 반도체 메모리 장치에 저장된 코드워드를 디코딩하여 복호화된 데이터를 생성하는 LDPC 디코더를 포함하되,상기 LDPC 디코더는정보 전달 기반 알고리즘에 따라 최대 반복 횟수 동안 상기 코드워드를 복호하는 제1 디코딩을 수행하고, 매 반복마다 측정된 불만족 체크노드들의 개수 중 최소값을 구하는 정보 전달 디코딩부; 및상기 제1 디코딩을 실패하고, 상기 최소값이 제2 임계치 이하인 경우 상기 최소값에 대한 불만족 체크노드들 각각을 최상위 노드로 갖는 트리를 생성하여 오류 경로 후보군을 검출하고, 상기 검출된 오류 경로 후보군을 최대 LLR(Log Likelihood Ratio) 크기의 오름차순으로 정렬하며, 상기 정렬된 순서에 따라 오류 경로 후보에 포함된 변수노드들의 심볼 값 및 LLR을 재설정하여 상기 정보 전달 디코딩부로 상기 재설정된 심볼값 및 LLR에 대한 정보를 제공하는 오류 경로 검출부를 포함하되,상기 정보 전달 디코딩부는 상기 제공된 재설정된 심볼값 및 LLR에 대한 정보에 기초하여 재복호 최대 반복 횟수 동안 제2 디코딩을 수행하는반도체 메모리 시스템
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제1 항에 있어서,상기 오류 경로 검출부는상기 트리의 제1 레벨에 위치한 체크노드와 연결된 변수노드들을 상기 트리의 제2 레벨에 위치시키는 변수노드 연결동작을 수행하고, 상기 제2 레벨에 위치한 변수노드들 각각과 연결된 체크노드들 중 빅팀 불만족 체크노드를 제외한 나머지 체크노드들을 상기 트리의 제3 레벨에 위치시키는 체크노드 연결동작을 수행하며, 레벨 값이 제3 임계치에 도달할 때까지 상기 변수노드 연결동작 및 상기 체크노드 연결동작을 하위 노드들에 대해 수행하는 반도체 메모리 시스템
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제2 항에 있어서,상기 변수노드들 각각에 대한 상기 빅팀 불만족 체크노드는상기 최상위 노드에 위치한 불만족 체크노드인반도체 메모리 시스템
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제2 항에 있어서,상기 변수노드들 각각에 대한 상기 빅팀 불만족 체크노드는상기 변수노드들 각각이 위치한 상기 제1 레벨과 인접한 상위 레벨에 위치한 체크노드들 중 상기 변수노드들 각각과 연결된 체크노드인반도체 메모리 시스템
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제2 항에 있어서,상기 오류 경로 검출부는상기 트리로부터 상기 최상위 노드에 위치한 제1 불만족 체크노드와 하위 레벨에 위치한 제2 불만족 체크노드들을 연결하는 경로들 중 LLR 크기가 제4 임계치 이상인 변수노드를 포함하는 경로를 제외한 나머지 경로들을 상기 오류 경로 후보로 검출하는반도체 메모리 시스템
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제5 항에 있어서,상기 제1 불만족 체크노드와 상기 제2 불만족 체크노드는 서로 다른 체크노드인반도체 메모리 시스템
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제1 항에 있어서,상기 오류 경로 검출부는상기 오류 경로 후보에 포함된 변수노드들의 심볼을 반전시킨 값으로 재설정 하는반도체 메모리 시스템
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제1 항에 있어서,상기 오류 경로 검출부는상기 오류 경로 후보에 포함된 변수노드들의 LLR을 최대 양자화 값으로 재설정하는반도체 메모리 시스템
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제8 항에 있어서,상기 오류 경로 검출부는최초 디코딩 시점에 상기 변수노드들 각각이 가질 수 있는 LLR 크기의 최대값인 상기 최대 양자화 값을 제1 임계치로 설정하는반도체 메모리 시스템
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제1 항에 있어서,상기 재복호 최대 반복 횟수는상기 미리 정해진 최대 반복 횟수보다 작은반도체 메모리 시스템
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정보 전달 기반 알고리즘에 따라 최대 반복 횟수 동안 코드워드를 복호하는 제1 디코딩을 수행하는 제1 디코딩 단계;매 반복마다 측정한 불만족 체크노드들의 개수 중 최소값을 구하는 단계;상기 제1 디코딩을 실패하고, 상기 최소값이 제2 임계치 이하인 경우 상기 최소값에 대한 불만족 체크노드들 각각을 최상위 노드로 갖는 트리를 생성하여 오류 경로 후보군을 검출하는 오류 경로 검출 단계;상기 검출된 오류 경로 후보군을 최대 LLR(Log Likelihood Ratio) 크기의 오름차순으로 정렬하는 단계;상기 정렬된 순서에 따라 오류 경로 후보에 포함된 변수노드들의 심볼 값 및 LLR을 재설정하는 업데이트 단계; 및상기 심볼값 및 LLR을 재설정할 때마다 상기 재설정된 변수노드들의 심볼 값 및 LLR에 기초하여 재복호 최대 반복 횟수 동안 디코딩을 다시 수행하는 제2 디코딩 단계를 포함하는 반도체 메모리 시스템의 동작방법
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제11 항에 있어서,상기 오류 경로 검출 단계는상기 트리의 제1 레벨에 위치한 체크노드와 연결된 변수노드들을 상기 트리의 제2 레벨에 위치시키는 변수노드 연결동작을 수행하고, 상기 제2 레벨에 위치한 변수노드들 각각과 연결된 체크노드들 중 빅팀 불만족 체크노드를 제외한 나머지 체크노드들을 상기 트리의 제3 레벨에 위치시키는 체크노드 연결동작을 수행하며, 레벨 값이 제3 임계치에 도달할 때까지 상기 변수노드 연결동작 및 상기 체크노드 연결동작을 하위 노드들에 대해 수행하는 반도체 메모리 시스템의 동작방법
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제12 항에 있어서,상기 변수노드들 각각에 대한 상기 빅팀 불만족 체크노드는상기 최상위 노드에 위치한 불만족 체크노드인반도체 메모리 시스템의 동작방법
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제12 항에 있어서,상기 변수노드들 각각에 대한 상기 빅팀 불만족 체크노드는상기 변수노드들 각각이 위치한 상기 제1 레벨과 인접한 상위 레벨에 위치한 체크노드들 중 상기 변수노드들 각각과 연결된 체크노드인반도체 메모리 시스템의 동작방법
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제12 항에 있어서,상기 오류 경로 검출 단계는상기 트리로부터 상기 최상위 노드에 위치한 제1 불만족 체크노드와 하위 레벨에 위치한 제2 불만족 체크노드들을 연결하는 경로들 중 LLR 크기가 제4 임계치 이상인 변수노드를 포함하는 경로를 제외한 나머지 경로들을 상기 오류 경로 후보로 검출하는반도체 메모리 시스템의 동작방법
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제15 항에 있어서,상기 제1 불만족 체크노드와 상기 제2 불만족 체크노드는 서로 다른 체크노드인반도체 메모리 시스템의 동작방법
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제11 항에 있어서,상기 업데이트 단계는상기 오류 경로 후보에 포함된 변수노드들의 심볼을 반전시킨 값으로 재설정 하는반도체 메모리 시스템의 동작방법
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제11 항에 있어서,상기 업데이트 단계는상기 오류 경로 후보에 포함된 변수노드들의 LLR을 최대 양자화 값으로 재설정하는반도체 메모리 시스템의 동작방법
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제18 항에 있어서,상기 업데이트 단계는최초 디코딩 시점에 상기 변수노드들 각각이 가질 수 있는 LLR 크기의 최대값인 상기 최대 양자화 값을 제1 임계치로 설정하는반도체 메모리 시스템의 동작방법
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제11 항에 있어서,상기 재복호 최대 반복 횟수는상기 미리 정해진 최대 반복 횟수보다 작은반도체 메모리 시스템의 동작방법
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